次烷氧基衍生物的制造方法及其应用技术

技术编号:15266258 阅读:123 留言:0更新日期:2017-05-04 00:35
本发明专利技术有关于一种次烷氧基衍生物(alkoxylene derivate)的制造方法及其应用。此制造方法是先对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物,其中此混合物包含烷基醇化合物及缩水甘油醚化合物。然后,对第一中间产物及环氧烷基化合物进行第二反应或第三反应,即可制得次烷氧基衍生物。所制得的次烷氧基衍生物可有效提升抗静电性及防雾性。

Process for the production of alkoxy derivatives and uses thereof

The invention relates to a secondary alkoxy derivatives (alkoxylene derivate) manufacturing method and its application. The process is to first react with the mixture to form a first intermediate product, wherein the mixture comprises an alkyl alcohol compound and a glycidyl ether compound. Then, the first intermediate product and the epoxy alkyl compound are subjected to a second reaction or a reaction of the third to obtain the alkoxy derivative. The obtained alkoxy derivatives can effectively enhance the antistatic and anti fogging properties.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种次烷氧基衍生物(alkoxylenederivate)的制造方法及其应用,特别是提供一种可提升抗静电性及防雾性的次烷氧基衍生物的制造方法及其应用
技术介绍
随着生活品质的重视,习知的电子商品越趋轻薄化发展,连带使得电子商品内部的光电元件越加微小化。然而,随着光电元件的体积缩小,其对于使用环境的要求亦越趋严苛。当光电元件使用于高温高湿的环境时,雾气容易凝结于元件表面,而影响其效能,甚至造成元件损坏。特别地,于显示领域中,雾气则会影响显示器的显像,降低其效能。其次,由于光电元件主要是藉由电荷的传导促成其功效,故稳定的电场环境有助于提升光电元件的性能。惟,日常生活所产生的静电常会影响光电元件。静电虽是瞬间放电,但其具有高电压,故静电对于微小化的光电元件常会造成极大的损坏。为了有效消除前述雾气或静电对于光电元件的损坏,光电元件的表面可藉由设置防雾材料或抗静电材料避免雾气凝结或消除静电,进而避免光电元件损坏。前述的防雾材料或抗静电材料一般可为包含防雾剂或抗静电剂的复合膜,以具有前述的功效。然而,习知的防雾剂或抗静电剂仅是以物理方式与保护膜的树脂材料混合均匀,故随着环境温度湿度的变化或时间的增长,防雾剂或抗静电剂会迁移(migration)至复合膜表面,而降低其防雾性或抗静电效能。其次,迁移至表面的防雾剂或抗静电剂亦会造成复合膜表面回粘(after-tack),而降低其表面性质。有鉴于此,亟须提供一种次烷氧基衍生物的制造方法及其应用,以改进习知次烷氧基衍生物的制造方法及其应用的缺陷。
技术实现思路
因此,本专利技术的一个方面在于提供一种次烷氧基衍生物的制造方法,藉由单体的选用合成具有良好抗静电性及防雾性的次烷氧基衍生物。本专利技术的另一方面在于提供一种次烷氧基衍生物,其是利用前述的方法制得。本专利技术的又一方面在于提供一种光固化树脂组合物,其包含利用前述的方法所制作的次烷氧基衍生物。本专利技术的再一方面在于提供一种复合膜,其包含利用前述光固化树脂组合物制成的光固化膜。根据本专利技术的一方面,提出一种次烷氧基衍生物的制造方法。此制造方法是先对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物,其中此混合物包含如下式(I)所示的烷基醇化合物及如式(II)所示的缩水甘油醚:于式(I)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的氧原子与氢原子键结;且x代表0至100的整数。于式(II)中,R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;且R4代表具有碳-碳双键的基团。然后,对第一中间产物及环氧烷基化合物进行第二反应,以制得次烷氧基衍生物,其中此环氧化合物包含碳数为2至4的环氧烷基化合物。依据本专利技术的一实施例,进行前述的第二反应后,此制造方法更包含对前述第二反应的产物与酸基化合物进行第三反应,以形成第二中间产物,并对此第二中间产物进行中和反应,以制得次烷氧基衍生物。依据本专利技术的另一实施例,前述的酸基化合物包含磺酸基化合物、磷酸基化合物或羧酸基化合物。依据本专利技术的又一实施例,前述中和反应的中和剂为碱金属化合物、碱土金属化合物、胺基化合物、烷基胺化合物或具有烷基取代或不取代的醇胺化合物。根据本专利技术的另一方面,提出一种次烷氧基衍生物,其是利用前述的方法制得,且此次烷氧基衍生物具有如下式(III)所示的结构:于式(III)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的烷基与R1O-键结;R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;R4代表具有碳-碳双键的基团;R5代表碳数为2至4的次烷氧基,且R5的氧原子与R6键结;R6代表氢原子;x代表0至100的整数;y代表1至10的整数;且z代表1至100的整数。根据本专利技术的又一方面,提出一种次烷氧基衍生物,其是利用前述的方法制得,且此次烷氧基衍生物具有如下式(IV)所示的结构:于式(IV)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的烷基与R1O-键结;R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;R4代表具有双键的基团;R5代表碳数为2至4的次烷氧基,且R5的氧原子与R7键结;R7代表阴离子基团;x代表0至100的整数;y代表1至10的整数;且z代表1至100的整数。依据本专利技术的一实施例,前述的阴离子基团可包含但不限于-SO3M、-PO3M2、-PO3MH、-COOM或其他适当的阴离子基团,且M代表氢原子、碱金属原子、(碱土金属原子)1/2、铵基、烷基铵或具有烷基取代或不取代的醇铵基。根据本专利技术的再一方面,提出一种光固化树脂组合物。此光固化树脂组合物包含光固化树脂及次烷氧基衍生物,且此次烷氧基衍生物是利用前述的方法制作。其中,基于光固化树脂的使用量为100重量份,此次烷氧基衍生物的使用量为0.2重量份至15重量份。根据本专利技术的又另一方面,提出一种复合膜。此复合膜包含基材及光固化膜,其中光固化膜设置于基材的表面上。此光固化膜是由前述的光固化树脂组合物经光固化制程所形成,且该光固化膜对水的接触角不超过30度。依据本专利技术的一实施例,前述每单位面积的复合膜的第一阻抗值小于1011欧姆。依据本专利技术的另一实施例,前述的复合膜放置于温度为65℃且湿度为95%的环境后,每单位面积的复合膜的第二阻抗值小于1011欧姆,且第二阻抗值与第一阻抗值的比值是小于100且大于0.01。依据本专利技术的又一实施例,前述第二阻抗值与第一阻抗值的比值是小于20且大于0.1。依据本专利技术的再一实施例,前述第二阻抗值与第一阻抗值的比值是小于16且大于0.1。应用本专利技术的次烷氧基衍生物及其制造方法与应用,其是藉由特定的单体合成次烷氧基衍生物,并藉由所具有的双键基团与树脂材料形成化学键结,而具有良好的经时稳定性。附图说明图1是绘示依照本专利技术的一实施例的次烷氧基衍生物的制造方法的流程图;图2是绘示依照本专利技术的另一实施例的次烷氧基衍生物的制造方法的流程图;其中,符号说明:100:方法100a:方法110:对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物的步骤120:对第一中间产物及环氧烷基化合物进行第二反应的步骤121:对第二反应的产物及胺基化合物进行第三反应,以形成第二中间产物的步骤123:对第二中间产物进行中和反应的步骤130:制得次烷氧基衍生物。具体实施方式以下仔细讨论本专利技术实施例的制造和使用。然而,可以理解的是,实施例提供许多可应用的专利技术概念,其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论的特定实施例仅供说明,并非用以限定本专利技术的范围。本专利技术所称的回粘(after-tack)是指涂膜因温度及湿度,或者防雾剂或抗静电剂迁移(migration)至复合膜表面所造成的表面粘附缺陷,而使涂膜表面易沾粘污染物,或降低其表面平整性,进而降低涂膜的表面性质。请参照图1,其是绘示依照本专利技术的一实施例的次烷氧基衍生物(alkoxylenederivate)的制造方法的流程图。在一实施例中,此制造方法100是先对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物,如步骤110所示。前述的混合物包含如下式(I)所示的烷基醇化合物及如下式(II)所示的缩水甘油醚化合物:于式(I)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的氧原子与氢原子键结;且x代表0至100的整数。本文档来自技高网...
次烷氧基衍生物的制造方法及其应用

【技术保护点】
一种次烷氧基衍生物的制造方法,其特征在于:对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物,其中所述混合物包含如下式(I)所示的烷基醇化合物及如下式(II)所示的缩水甘油醚化合物:于式(I)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的氧原子与氢原子键结;且x代表0至100的整数;于式(II)中,R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;且R4代表具有碳‑碳双键的基团;以及对所述第一中间产物及环氧烷基化合物进行第二反应,以制得所述次烷氧基衍生物,其中所述环氧烷基化合物包含碳数为2至4的环氧烷基化合物。

【技术特征摘要】
2015.10.23 TW 1041349171.一种次烷氧基衍生物的制造方法,其特征在于:对混合物进行第一反应,以形成第一中间产物,其中所述混合物包含如下式(I)所示的烷基醇化合物及如下式(II)所示的缩水甘油醚化合物:于式(I)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的氧原子与氢原子键结;且x代表0至100的整数;于式(II)中,R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;且R4代表具有碳-碳双键的基团;以及对所述第一中间产物及环氧烷基化合物进行第二反应,以制得所述次烷氧基衍生物,其中所述环氧烷基化合物包含碳数为2至4的环氧烷基化合物。2.如权利要求1所述的次烷氧基衍生物的制造方法,其特征在于,进行所述第二反应后,所述制造方法更包含:对所述第二反应的产物及酸基化合物进行第三反应,以形成第二中间产物;以及对所述第二中间产物进行中和反应,以制得所述次烷氧基衍生物。3.如权利要求2所述的次烷氧基衍生物的制造方法,其特征在于,所述酸基化合物为磺酸化合物、磷酸化合物或羧酸化合物,且所述中和反应的中和剂为碱金属化合物、碱土金属化合物、胺基化合物、烷基胺化合物或具有烷基取代或不取代的醇胺化合物。4.一种次烷氧基衍生物,其特征在于,利用如权利要求1项所述的方法制得,且所述次烷氧基衍生物具有如下式(III)所示的结构:于式(III)中,R1代表碳数为8至30的烷基;R2代表碳数为2至4的次烷氧基,且R2的烷基与R1O-键结;R3代表其中C=O与R4键结,且r代表0或1;R4代表具有碳-碳双键的基团;R5代表碳数为2至4的次烷氧基,且R5的氧原子与R6键结;R6代表氢原子;x代表0至1...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄忠哲林雅慧
申请(专利权)人:中日合成化学股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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