倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法技术

本发明专利技术涉及一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态的检查方法，该方法包括如下的步骤：向倒装芯片的凸点涂覆助焊剂；识别所述倒装芯片的凸点位置，并校正所识别的位置；向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的照明光；对借助所述照明光而从所述凸点反射的反射光进行拍摄而获取视频或图像；以及读取所述获取的视频或图像而检查助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态。

Method for inspecting flux coating state of flip chip

Check method of flux coating state of the invention relates to a flip chip, the method comprises the following steps: to bump flip chip coated with flux; convex point identification of the flip chip, and the correction of the identification of the location; the illumination light to the salient points of the flip chip light with a specific area for the flux absorption rate is high and the wavelength range of light; and reflected from the bump light reflected by the shooting and access to video or image by means of the lighting; and reading the acquisition of video or image and bump check flux for the flip chip coated state.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，具体而言，涉及一种照射具有助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，从而根据所反射的反射光的光强之差来检查倒装芯片的助焊剂涂覆状态的方法。
技术介绍
近年来，随着电子通信技术的发展，电子设备越来越倾向于小型化、轻量化。因此，内置于各种电子设备的电子部件(例如，半导体芯片)必须满足高集成化、超小型化。因此，针对将高密度、超小型的表面贴装部件(SMD：SurfaceMountDevice)贴装到印刷电路基板(PCB：PrintedCircuitBoard，在下文中，将其称之为“基板”)的表面贴装技术的研究正积极进行着。作为这种表面贴装技术，代替以往的键合技术而有一种利用凸点(Bump)将作为半导体芯片的裸片(die)的电极和基板连接的倒装芯片(FlipChip)工艺。倒装芯片是能够以面朝下(Face-down)形态将电子装置或半导体芯片直接安装到基板的贴装板的装置。在将倒装芯片安装到基板时，可以通过生成在芯片表面上的导电性凸点实现电连接，而且在将芯片安装到基板时，该芯片以倒置的状态得到贴装，基于此称之为倒装芯片。倒装芯片不需要焊线(Wirebond)，因此倒装芯片的尺寸明显小于通常的经过引线键合工序(Wire-bondingprocess)的芯片。此外，在引线键合中，焊线的芯片和基板之间的连接是以一次焊接一个的方式进行，相反，在倒装芯片中，可以同时执行，因此，相比焊线的芯片，倒装芯片的费用将会得到节俭，而且倒装芯片的连接长度比引线键合的芯片短，因此其性能也将会得到提高。以下，对根据上述的倒装芯片工艺而将倒装芯片贴装到基板的工艺进行简单说明。首先执行凸点加工(Bumping)工艺，即，从晶片(wafer)分离并取出芯片，并翻转(flip)芯片而使上下表面的位置翻转。之后执行回流(Reflow)工艺，即，贴装机的头将被翻转的芯片吸附之后使其移动到预定的位置，并且在需要时对包含凸点的面进行加热。此时，为提高基板和芯片的接合性能，将执行助熔(Fluxing)工艺，即，向芯片的凸点转移助焊剂(Flux)。之后，执行如下的工艺：利用相机视觉(cameravision)识别基板的作为将要贴装芯片的预定位置的衬垫，从而识别凸点的位置，并使凸点抵接衬垫以贴装(Mounting)芯片。最后，，通过回流进行加热以接合基板和芯片，并通过涂覆环氧树脂的底部填充(Underfilling)和借助热等来进行硬化的固化(Curing)而保护芯片。在如上所述的倒装芯片工艺中，在进行朝芯片的凸点转移助焊剂的助熔工艺时，可能会发生助焊剂无法正常地被涂覆在芯片的凸点的情况，在此情况下，芯片没有正常地接合到基板的可能行较大，据此，可能会引起生产出不良电子部件的问题。对此，在现有技术中，被提出用于检查助焊剂是否正常地被涂覆在芯片凸点的多样的方法。例如，具有如下的方法：将芯片浸渍(Deeping)在装有助焊剂的容器之后，利用相机对容器内助焊剂的凸点痕迹进行拍摄而检查助焊剂的涂覆与否。然而这种方法，由于助焊剂由液体构成，因而其痕迹将会瞬间消失，从而存在着难以容易地检查针对芯片凸点的助焊剂的涂覆与否的问题。此外，也有一种将可识别的其他添加物添加到助焊剂以能够容易地实现识别过程的技术，然而对该技术而言，可能会存在助焊剂特性变化的问题。另外，还提出过通过利用相机拍摄助焊剂涂覆于芯片的凸点的状态而获取的视频或图像来检查针对芯片凸点的助焊剂的涂覆与否的方法，然而，在此情况下，由于助焊剂是无色液体，因此为了正确地判断助焊剂被涂覆在芯片的凸点的状态而需要使用具有高价的镜头的相机，从而存在发生费用负担的问题。[现有技术文献][专利文献]韩国授权专利第10-1377444号日本公开专利第2008-041758号
技术实现思路
本专利技术是着眼于上述的各种问题而提出的，本专利技术所要解决的技术课题在于提供一种如下的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，该方法向涂覆有助焊剂的倒装芯片的凸点照射具有助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，据此根据对从涂覆有助焊剂的凸点和未涂覆有助焊剂的凸点反射的光的光强之差进行比较和判断，从而能够更为容易地检查助焊剂的涂覆与否。此外，本专利技术所要解决的另一个技术课题在于提供一种如下的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，该方法利用浸渍有助焊剂的倒装芯片的位置校正结果和吸嘴的大小信息而重新设定用于判断助焊剂涂覆状态的搜寻区域，从而能够预防出现助焊剂的涂覆状态检查结果根据凸点的大小或吸嘴的大小及形态而表现为不同的情况。本专利技术的课题并不局限于如上所述的课题，本领域技术人员可以根据下文中的记载而容易地理解未提及的其他课题。根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法可以包括如下的步骤：向倒装芯片的凸点涂覆助焊剂；识别所述倒装芯片的凸点位置，并校正所识别的位置；向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率较高的特定区域的波长范围的照明光；对借助所述照明光而从所述凸点反射的反射光进行拍摄而获取视频或图像；以及读取所述获取的视频或图像而检查助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态。优选地，所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。在此，优选地，从所述倒装芯片的凸点中设定搜寻区域，并获取针对从位于所述搜寻区域内的凸点反射的反射光的视频或图像。在此情况下，所述搜寻区域的设定是根据所述凸点的位置经校正的信息和吸附所述倒装芯片的吸嘴的大小信息而进行。此外，可以包括如下步骤：提取位于所述搜寻区域内的凸点的平均光强值，并将所述提取到的平均光强值和预先设定而输入的基准光强值进行比较，从而判断助焊剂针对倒装芯片的凸点的涂覆状态的良好或不良。在此，如果所述预先设定而输入的基准光强值大于所述搜寻区域内的各凸点的平均光强值，则可以判断为助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态良好；如果所述预先设定而输入的基准光强值小于所述搜寻区域内的各凸点的平均光强值，则可以判断为助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态不良。另外，在所述搜寻区域的设定是根据所述凸点的位置经校正的信息和吸附所述倒装芯片的吸嘴的大小信息而进行再设定。此外，优选地，在提取位于所述搜寻区域内的凸点的平均光强值的步骤之前输入所述预先设定的基准光强值。此外，所述特定区域的波长范围可以是400nm～500nm区域的波长范围，而且可以通过在所述照明光所透过的位置布置偏光膜，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。本专利技术的其他具体事项包含在详细的说明及附图中。根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，本专利技术可以提供如下的效果：向涂覆有助焊剂的倒装芯片的凸点照射具有助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，据此能够根据对从涂覆有助焊剂的凸点和未涂覆有助焊剂的凸点反射的光的光强之差进行比较和判断，更为容易地检查助焊剂的涂覆与否。此外，根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，本专利技术还可以提供如下的效果：利用浸渍有助焊剂的倒装芯片的位置校正结果和吸嘴的大小信息而重新设定用于判断助焊剂涂覆状态的搜寻区域，能够预防出现助焊剂的涂覆状态检查结果根据凸点的大小或吸嘴的大小及形态而表现为不同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，包括如下的步骤：(a)向倒装芯片的凸点涂覆助焊剂；(b)识别所述倒装芯片的凸点位置，并校正所识别的位置；(c)向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的照明光；(d)对借助所述照明光而从所述凸点反射的反射光进行拍摄而获取视频或图像；以及(e)读取所述获取的视频或图像而检查助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态，所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。

【技术特征摘要】
2015.10.22 KR 10-2015-01474491.一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，包括如下的步骤：(a)向倒装芯片的凸点涂覆助焊剂；(b)识别所述倒装芯片的凸点位置，并校正所识别的位置；(c)向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的照明光；(d)对借助所述照明光而从所述凸点反射的反射光进行拍摄而获取视频或图像；以及(e)读取所述获取的视频或图像而检查助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态，所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。2.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，在所述(d)步骤中，从所述倒装芯片的凸点中设定搜寻区域，并获取针对从位于所述搜寻区域内的凸点反射的反射光的视频或图像。3.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，所述搜寻区域的设定是根据所述凸点的位置经校正的信息和吸附所述倒装芯片的吸嘴的大小信息而进行。4.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，包括如下步骤：提取位于所述搜寻区域内的凸点的平均光强值，并将所述提...

【专利技术属性】
技术研发人员：李容在，
申请(专利权)人：韩华泰科株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR