参考电压发生电路、使用其的接收器、半导体装置和系统制造方法及图纸

可以提供一种参考电压发生电路。所述参考电压发生电路可以被配置成根据电压设定码而产生参考电压。参考电压发生电路可以包括电压电平稳定器。参考电压发生电路可以被配置成基于电压设定码而在参考电压的电平改变时，将电压电平稳定器去激活。

Reference voltage generating circuit, receiver using the same, semiconductor device and system

The invention provides a reference voltage generating circuit. The reference voltage generating circuit can be configured to generate a reference voltage according to a voltage setting code. A reference voltage generation circuit may include a voltage level stabilizer. A reference voltage generating circuit can be configured to activate a voltage level stabilizer based on a voltage setting code while changing the level of the reference voltage.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月22日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0147416的韩国申请的优先权，通过引用所述的全部整体合并于此。
各种实施例总体而言涉及一种半导体装置，并且更具体地，涉及一种参考电压发生电路、以及使用该参考电压发生电路的接收器、半导体装置和系统。
技术介绍
电子系统包括多个半导体装置。多个半导体装置中的每个通过信号传输线来执行数据通信。信号传输线可以是传输总线。通过信号传输线，可以传输差分信号或者单端信号。当差分信号通过信号传输线传输时，半导体装置通过放大差分信号来接收差分信号。另一方面，当单端信号通过信号传输线传输时，半导体装置通过放大单端信号和参考电压来接收单端信号。参考电压可以具有与通过信号传输线传输的单端信号的摆幅范围的一半相对应的电压电平。
技术实现思路
各种实施例可以提供一种参考电压发生电路、以及使用所述参考电压发生电路的接收器、半导体装置和系统，所述参考电压发生电路能够快速地将参考电压的电平增加至目标电平。在一个实施例中，可以提供一种参考电压发生电路。参考电压发生电路可以包括内部参考电压发生器，其被配置成根据电压设定码来改变参考电压的电平。参考电压发生电路可以包括电压电平稳定器，其被配置成响应于使能信号而使参考电压稳定。参考电压发生电路可以包括电平稳定控制器，其被配置成基于电压设定码来产生使能信号。在一个实施例中，可以提供一种接收器。接收器可以包括接收电路，其被配置成通过将参考电压与经由信号传输线传输的信号进行差分放大而产生内部信号。接收器可以包括参考电压发生电路。参考电压发生电路可以包括电压电平稳定器，其被配置成根据电压设定码来调节参考电压，以及使参考电压的电平稳定，以及参考电压发生电路被配置成根据电压设定码来产生参考电压，以及基于电压设定码，当参考电压的电平改变时将电压电平稳定器去激活以及当参考电压达到目标电平时将电压电平稳定器激活。在一个实施例中，可以提供一种接收器。接收器可以包括接收电路，其被配置成通过将参考电压与经由信号传输线传输的信号进行差分放大来产生内部信号。接收器可以包括参考电压发生电路，其被配置成基于电压设定码而产生参考电压，以及在参考电压达到目标电平之后使参考电压的电平稳定。附图说明图1是图示根据一个实施例的系统的示例表示的框图。图2是图示根据一个实施例的存储系统的示例表示的框图。图3是图示根据一个实施例的接收器的示例表示的框图。图4是图示根据一个实施例的参考电压发生电路的示例表示的框图。图5是图示根据一个实施例的电压电平稳定器的示例表示的框图。图6A和6B是图示根据一个实施例的电平稳定控制器的示例表示的框图。图7是图示根据一个实施例的参考电压发生电路的操作的示例表示的时序图。图8是图示根据一个实施例的电压电平稳定器的示例表示的框图。图9是图示根据一个实施例的电平稳定控制器的示例表示的框图。具体实施方式在下文中，以下将通过实施例的示例，参考附图来描述半导体装置。参见图1，根据本公开的一个实施例的系统1可以包括第一半导体装置110和第二半导体装置120。第一半导体装置110和第二半导体装置120可以是彼此通信的电子元件。在一个实施例中，第一半导体装置110可以是主装置，而第二半导体装置120可以是在第一半导体装置110的控制下执行各种操作的从装置。例如，第一半导体装置110可以是诸如处理器的主装置，并且处理器可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、多媒体处理器(MMP)、数字信号处理器中的一种或更多种。处理器可以通过将诸如应用处理器(AP)的具有各种功能的处理器芯片组合而以片上系统(Soc)的形式来实施。第二半导体装置120可以是存储器。存储器可以包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可以包括：静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)以及同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器可以包括：只读存储器(ROM)、可编程ROM(RROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、电可编程ROM(EPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。第一半导体装置110和第二半导体装置120可以通过信号传输线130而彼此电耦接。第一半导体装置110可以包括焊盘111，并且焊盘111可以电耦接至信号传输线130。第二半导体装置120可以包括焊盘121，并且焊盘121可以电耦接至信号传输线130。信号传输线130可以是通道、链接和总线中的一种。第一半导体装置110可以包括发射器112和接收器113。发射器112可以根据第一半导体装置110的内部信号来产生输出信号，以及可以经由信号传输线130将输出信号传送至第二半导体装置120。接收器113可以通过接收经由信号传输线130从第二半导体装置120传送来的信号，来产生内部信号。采用相似的方式，第二半导体装置120可以包括发射器122和接收器123。发射器122可以根据第二半导体装置120的内部信号来产生输出信号，以及可以经由信号传输线130将输出信号传送至第一半导体装置110。接收器123可以通过接收经由信号传输线130从第一半导体装置110传送来的信号，来产生内部信号。图2是图示根据本公开的一个实施例的存储系统2的示例表示的框图。参见图2，存储系统2可以包括存储器控制器210和存储器220。存储器控制器210可以控制存储器220执行各种操作。存储器控制器210可以是第一半导体装置110，而存储器220可以是第二半导体装置120。存储器控制器210和存储器220可以通过多个总线而彼此电耦接，以及可以彼此执行数据通信。例如，多个总线可以包括数据总线231、命令总线232、时钟总线233、地址总线234和数据选通总线235，它们中的每个可以包括多个信号传输线。存储器控制器210可以将各种控制信号传送至存储器220。例如，存储器控制器210可以经由多个总线将数据DQ、命令信号CMD、时钟信号CLK、地址信号ADD、数据选通信号DQS提供给存储器220。存储器220可以经由数据总线231和数据选通总线235将数据DQ和数据选通信号DQS提供给存储器控制器210。存储器220可以在存储器控制器210的控制下执行写入操作和读取操作。对于存储器220的写入操作，存储器控制器210可以将数据DQ、命令信号CMD、时钟信号CLK、地址信号ADD和数据选通信号DQS提供给存储器220。对于存储器220的读取操作，存储器控制器210可以将命令信号CMD、时钟信号CLK和地址信号ADD提供给存储器220，并且存储器220可以将数据DQ和数据选通信号DQS提供给存储器控制器210。数据DQ、命令信号CMD、时钟信号CLK、地址信号ADD和数据选通信号DQS中的每个可以是差分信号，并且可以通过多个总线231至235来提供。数据DQ、命令信号CMD、时钟信号CLK、地址信号ADD和数据选通信号DQS中的一个或更多个可以是单端信号。存储器220可以包括以上参照图1所述的接收器123以用于接收经由多个总线231至235传输来的信号。即，存储器220可以包括：电耦接至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压发生电路，包括：内部参考电压发生器，被配置成根据电压设定码而改变参考电压的电平；电压电平稳定器，被配置成响应于使能信号而使参考电压稳定；以及电平稳定控制器，被配置成基于电压设定码而产生使能信号。

【技术特征摘要】
2015.10.22 KR 10-2015-01474161.一种参考电压发生电路，包括：内部参考电压发生器，被配置成根据电压设定码而改变参考电压的电平；电压电平稳定器，被配置成响应于使能信号而使参考电压稳定；以及电平稳定控制器，被配置成基于电压设定码而产生使能信号。2.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，电压电平稳定器响应于使能信号而改变输出参考电压的节点的电容。3.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，电平稳定控制器根据电压设定码的值变化而产生使能信号。4.根据权利要求3所述的参考电压发生电路，其中，电平稳定控制器在使能信号被禁止之后的预定时间将使能信号使能。5.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，电压电平稳定器包括多个电容器，所述多个电容器响应于使能信号而电耦接至输出参考电压的节点。6.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，使能信号包括多个使能信号，以及其中，电压电平稳定器包括多个电容器，所述多个电容器响应于所述多个使能信号而电耦接至输出参考电压的节点。7.根据权利要求6所述的参考电压发生电路，其中，电平稳定控制器包括编码部，所述编码部被配置成通过对电压设定码编码而产生所述多个使能信号。8.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，电压电平稳定器通过改变输出参考电压的节点的负载而使参考电压稳定。9.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其中，电平稳定控制器在参考电压改变时将电压电平稳定器去激活，以及在参考电压处于目标电平之后将电压电平稳定器激活。10.一种接收器，包括：接收电路，被配置成通过将参考电压与经由信号传输线传输的信号进行差分放大而产生内部信号；以及参考电压发生电路：所述参考电压发生电路包括电压电平稳定器，所述电压电平稳定器被配置成根据电压设定码来调节参考电压，以及使参考电压的电平稳定，以及所述参考电压发生电路被配置成根据电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光训，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR