封装结构、扇出封装结构及其方法技术

一种封装件结构包括螺旋线圈、再分布层(RDL)和模制材料。模制材料填充螺旋线圈的间隙。螺旋线圈连接至RDL。一种扇出封装件结构包括螺旋线圈、RDL和管芯。螺旋线圈具有大于约2的深宽比。RDL连接至螺旋线圈。管芯通过RDL连接至螺旋线圈。一种半导体封装方法包括；提供载体；在载体上粘合螺旋线圈；在载体上粘合管芯；在载体上分配模制材料以填充螺旋线圈和管芯之间的间隙；以及在载体上方设置再分布层(RDL)以将螺旋线圈与管芯连接。本发明专利技术实施例涉及封装结构、扇出封装结构及其方法。

Packaging structure, fan out packaging structure and method thereof

A package structure comprises a spiral coil, a redistribution layer (RDL) and a molding material. Gap of molded material filled helical coil. Spiral coil connected to RDL. The utility model relates to a fan out package structure which comprises a spiral coil, a RDL and a core. The helical coil has a depth width ratio greater than about 2. RDL connected to coil. The core is connected to the coil by RDL. A semiconductor package includes providing a carrier; method; spiral coils adhered on the carrier; the carrier adhesive tube core; molding material to fill the gap distribution between the core tube and spiral coil on the carrier; and setting the redistribution layer in the above vector (RDL) to the spiral coil is connected with the tube core. The embodiment of the invention relates to a packaging structure, a fan out packaging structure and a method thereof.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及封装结构、扇出封装结构及其方法。
技术介绍
由框架电镀形成的图案化的薄膜可以用于螺旋线圈。在这样的应用中，在一些情况下，可能需要宽度小且厚度大的图案化的薄膜。现在，将考虑利用框架电镀以形成宽度小且厚度大的上述图案换的薄膜的情况。如果在该情况中使用单层框架来形成图案化的薄膜，需要制作一个具有较大的厚度的框架和具有减小的宽度的槽。然而，难以准确地制作这样的框架。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种封装结构，包括：螺旋线圈；再分布层(RDL)；以及模制材料，填充所述螺旋线圈的间隙；其中，所述螺旋线圈连接至所述RDL。在上述封装件结构中，还包括连接至所述RDL的管芯，从而使得所述管芯通过所述RDL连接至所述上部螺旋线圈。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种扇出封装件结构，包括：螺旋线圈，具有大于约2的深宽比；再分布层(RDL)，连接至所述螺旋线圈；以及管芯，通过所述RDL连接至所述螺旋线圈。根据本专利技术的又一实施例，还提供了一种半导体封装方法，包括：提供载体；将螺旋线圈粘合在所述载体上；将管芯粘合在所述载体上；在所述载体上分配模制材料以填充位于所述螺旋线圈和所述管芯之间的间隙；以及在所述载体上方设置再分布层(RDL)以将所述螺旋线圈与所述管芯连接。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。图1至图6是根据本专利技术的一些示例性实施例示出的包括螺旋线圈的扇出结构的制造中的中间阶段的示意图和截面图。图7至图12是根据本专利技术的一些示例性实施例示出的包括两级螺旋线圈的扇出结构的制造中的中间阶段的截面图和顶视图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。尽管提出本专利技术宽泛范围的数值范围和参数设定是近似值，在特定实例中的数值设定被尽可能精确地报告。任何数值，然而，固有地包含某些必然误差，该误差由各自的测试测量结果中发现的标准偏差产生。同样，正如本文使用的术语“约”一般指在给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。或者，术语“约”意思是在本领域普通的技术人员可以考虑到的可接受的平均标准误差内。除了在操作/工作实例中，或者除非明确指出，否则应该理解，通过术语“大约”修改所有示例中的所有的数值范围、数量、值和百分比(诸如用于本文所公开的材料的数量、持续时间、温度、操作条件、比率大小等)。因此，除非有相反规定，本专利技术和所附权利要求所记载的数值参数设定是可以根据要求改变的近似值。至少，每个数值参数应该至少被解释为根据被报告的有效数字的数目，并应用普通的四舍五入技术。此处范围可以表示为从一个端点到另一个端点或在两个端点之间。此处公开的所有范围包括端点，除非另有说明。根据各种示例性实施例提供了具有包含的至少一个螺旋线圈的扇出封装件结构及其形成方法。示出了形成扇出封装件的中间阶段。讨论实施例的变化。贯穿各个视图和示例性实施例，相同的参考标号用于指定相同的元件。图1至图6是根据本专利技术的一些示例性实施例示出的包括螺旋线圈的扇出结构的制造中的中间阶段的示意图。同时参照图1B和图3C，图1是示出了载体20和在载体20上的粘合层22的截面图。载体20可为玻璃载体、陶瓷载体等。粘合层22可以是由诸如粘合膜的粘合剂形成的。图2A是示出了在载体20上方的螺旋线圈23的放置的三维立体图。螺旋线圈23是具有4匝的平坦的螺旋线圈电感器且从顶视图角度看时具有多边形的基本轮廓。在该实施例中，从顶视图角度，螺旋线圈23描绘了四边形的轮廓。在一些实施例中，从顶视图角度，螺旋线圈23可以布置为四方形、正多边形、圆形或椭圆形。在一些实施例中，螺旋线圈23可具有圆角。如图2A所示，螺旋线圈23具有多边形、圆形或椭圆形的截面，且横截面具有高度H和宽度W的尺寸。请注意，这不旨在为本专利技术限制于此处所示的几何实例。螺旋线圈23包括位于线圈最外匝处的第一端23a和位于线圈最内匝处的第二端23b。螺旋线圈23是在别处制造的组件且随后被放置在载体20上。在一些实施例中，螺旋线圈23可以是由铜(Cu)组成的且通过诸如低成本穿孔、湿蚀刻或激光切割的操作制造。与通过在图案化的衬底上电镀线圈的镀敷方法制备的现有的螺旋线圈相比，由所述操作制造的螺旋线圈23具有增加的厚度(即，H)且因此具有更大的深宽比(即，H和W的比率，又称长宽比)。在固定的宽度下，更大的深度为螺旋线圈23提供更大的截面面积，因此增加了整个电感。在一些实施例中，深宽比可以超过2。图2B是示出了沿图2A的线2-2截取的载体20上方的螺旋线圈23的放置的截面图。在一些实施例中，可以利用拾取放置机器以将平坦的螺旋线圈23逐一地安装至晶圆上。拾取放置机器可以包括在其上具有多个孔的真空喷嘴以提供真空吸力从而当将平坦的螺旋线圈23从托盘移动至晶圆上的具体位置时牢固地固定平坦的螺旋线圈23。在一些其他实施例中，与前述的拾取放置机器相反，可以利用振动部件对准装置以将一组平坦的螺旋线圈23一次性地安装至晶圆上。振动部件对准装置可以包括由振动发生器固定支撑的线圈对准托板，其中，该线圈对准托板具有多个凹槽用于在振动发生器期间平坦的螺旋线圈23组的对准。然后，晶圆被翻转且附接至线圈对准托板从而使得平坦的螺旋线圈23的组通过按压和加热操作从托板转移至晶圆。图3A是示出了在载体20上方的管芯24和25的放置的三维立体图。管芯24和管芯25放置在载体20上方且在螺旋线圈23的旁边。在一些实施例中，管芯24和管芯25附接至粘合层22，粘合层22粘合至载体20。管芯24可以为其中包括逻辑晶体管的逻辑器件管芯。管芯25可以包括诸如电阻器、电容器和电感器的集成无源器件(IPD)。形成电连接件26作为管芯24和管芯25的顶部且电连接件26电连接至管芯24中的器件和管芯25中的IPD。在一些实施例中，电连接件26包括可以在器件管芯24和管芯25放置在载体20上方之前预形成的金属柱(诸如铜柱)。金属柱26可以无焊料且可以包括垂直的侧壁。在一些实施例中，介电层38形成在管芯24和管芯25的顶面处，金属柱26在介电层中具有至少下部或全部。介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，包括：螺旋线圈；再分布层(RDL)；以及模制材料，填充所述螺旋线圈的间隙；其中，所述螺旋线圈连接至所述RDL。

【技术特征摘要】
2015.10.14 US 14/882,8871.一种封装结构，包括：螺旋线圈；再分布层(RDL)；以及模制材料，填充所述螺旋线圈的间隙；其中，所述螺旋线圈连接至所述RDL。2.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述螺旋线圈的深宽比大于约2。3.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述螺旋线圈包括铜(Cu)。4.根据权利要求1所述的封装件结构，还包括位于所述螺旋线圈上方的上部螺旋线圈。5.根据权利要求1所述的封装件结构，还包括连接至所述RDL的管芯，从而使得所述管芯通过所述RDL连接至所述螺旋线圈。6.根据权利要求4所述的封装件结构，还包括位...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄见翎，廖信宏，邱于庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71