用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，所述的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠在所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。采用了该实用新型专利技术中的组合装置，利用去离子水滴落在硅片上的表现形式不一致来区分二氧化硅是否覆盖良好，载片装置使硅片以30度的角度倾斜，方便于测试人员测试，移液枪取出分量固定为20μL，取水过多则即使在覆盖不良的状态下，等离子水也能往下流动，取水过少则无法流到硅片底部，从而影响对结果的判断。

Combined device for testing hydrophilicity of silicon chip ozone oxidation layer

The utility model relates to a device for testing the combination of ozone oxidation silicon layer of hydrophilic combination, the device comprises a slide slide device, the device comprises a supporting surface and a silicon wafer of the solid support to resist, resist parallel to the bottom edge of the supporting surface and the. The wafer at a 30 degree angle on the supporting surface, the top edge and the resist a water intake device, the device for liquid water transfer gun 20 L. The combination device of the utility model, using deionized drop forms in silicon is not consistent to distinguish whether the silica covered well and slide device of the silicon wafer is tilted at a 30 degree angle, convenient to the tester, pipette out component is fixed at 20 L, the water is too much even in cover the bad condition, the plasma water can flow down, the water flow to the bottom of the wafer is not too small, and the influence on the result of judgment.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能制造
，尤其涉及太阳能硅片，具体是指一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置。
技术介绍
目前，在太阳能电池生产过程中，在对硅片进行湿法刻蚀后需要在硅片表面进行氧化以形成一层氧化膜二氧化硅，二氧化硅表面含有羟基，羟基可以与水分子短暂的结合，因此被氧化后的硅片表面由疏水变成亲水性，因此为了检测硅片表面是否已经被氧化，通常需要对硅片表面进行亲水性测试，而常用的方法就是将水滴于硅片表面，观察硅片表面是否浸润，以判断硅片的亲水性效果，从而用亲水性测试的结果确定硅片的氧化效果。
技术实现思路
本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种倾斜角度固定、精准移取去离子水、测试稳定、结果准确的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置。为了实现上述目的，本技术的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置具有如下构成：所述的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。较佳地，所述的组合装置还包括用以记录测试过程的摄像设备。较佳地，所述的载片装置还包括连接支撑面的底边与抵挡条的连接面，所述的抵挡条设置于所述的连接面上。较佳地，所述的载片装置具有可放置若干个硅片同时进行测试的长度。较佳地，斜靠于所述的载片装置上的硅片的上边沿滴有用所述的20μL的移液枪形成的水滴。采用了该技术中的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，根据去离子水遇硅有明显的脱水性、去离子水遇二氧化硅有明显的亲水性的差异，利用去离子水滴落在硅片上的表现形式不一致来区分二氧化硅是否覆盖良好，载片装置使硅片以30度的角度倾斜，方便于测试人员测试，移液枪取出分量固定为20μL，取水过多则即使在覆盖不良的状态下，等离子水也能往下流动，取水过少则无法流到硅片底部，从而影响对结果的判断。附图说明图1为本技术的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置的载片装置的右视图。图2为本技术的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置的载片装置的俯视图。附图标记1支撑面2连接面3抵挡条具体实施方式为了能够更清楚地描述本技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。针对上述问题，本技术旨在提供一种能够实现。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：本技术的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面1的底边与所述的抵挡条3相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。其中所述的组合装置还包括用以记录测试过程的摄像设备；所述的载片装置还包括连接支撑面的底边与抵挡条的连接面2，所述的抵挡条设置于所述的连接面上；所述的载片装置具有可放置若干个硅片同时进行测试的长度；斜靠于所述的载片装置上的硅片的上边沿滴有用所述的20μL的移液枪形成的水滴。本技术中的组合装置用于检测过臭氧机后的硅片是否氧化层覆盖良好，氧化层的覆盖情况对PID效果影响较大。根据去离子水遇硅有明显的脱水性，和去离子水遇二氧化硅有明显的亲水性的差异，利用去离子水滴落在硅片上的表现形式不一致来区分二氧化硅是否覆盖良好。本技术提供的组合装置中的一种实施方式中，移液枪取出分量固定为20μL，取水过多则即使在覆盖不良的状态下，等离子水也能往下流动，取水过少则无法流到硅片底部，从而影响对结果的判断。取水装置采用按压式真空方式进行取液，精度可达到±0.4uL，顶部旋钮可进行校准。在使用时准备去离子水，用移液枪将去离子水滴在硅片的上边沿，移液枪取液的分量是20μL。水滴滴落的位置分别均匀的分布在硅片上边沿的五点，去离子水在短时间内均匀的流到硅片底部视为合格，水滴无法均匀的流下去视为不合格。本技术提供的载片装置的一种实施方式中，结构简单，容易放置硅片，让硅片以30度的角度斜靠，扩散面朝上，方便于测试人员测试，所述的载片装置可放置若干个硅片同时进行测试，如图2所示的组合装置的俯视图。本技术提供的组合装置的一种实施方式中，还设置摄像头对检测过程进行保存，点击电脑界面的抓取，即可保存图片，方便记录臭氧实际运行情况，及时做出防治措施，从图片中读取时间、线别、道次，如图2所述的线别标注L1-1，还可进行存档，存档以半年内视为有效。通过该组合装置有效的监控硅片的氧化层覆盖情况，防止未覆盖氧化层的电池片流入后道，造成PID不良。在实际操作中由生产员取片测试，每小时测试一次，一次取刻蚀机每道的片子做亲水性检测。若亲水性不良则立即通知刻蚀机停线，工艺设备人员前来排查。采用了该技术中的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，根据去离子水遇硅有明显的脱水性、去离子水遇二氧化硅有明显的亲水性的差异，利用去离子水滴落在硅片上的表现形式不一致来区分二氧化硅是否覆盖良好，载片装置使硅片以30度的角度倾斜，方便于测试人员测试，移液枪取出分量固定为20μL，取水过多则即使在覆盖不良的状态下，等离子水也能往下流动，取水过少则无法流到硅片底部，从而影响对结果的判断。在此说明书中，本技术已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本技术的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，其特征在于，所述的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。

【技术特征摘要】
1.一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，其特征在于，所述的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。2.根据权利要求1所述的用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，其特征在于，所述的组合装置还包括用以记录测试过程的摄像设备。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭威，王斌，何悦，胡克喜，任勇，李志刚，王在发，
申请(专利权)人：尚德太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31