一种半导体纳米线结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的半导体纳米线结构，由于所述半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止在刻蚀过程中造成所述半导体纳米线结构断裂，有利于形成超长超细的半导体纳米线结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种半导体纳米线结构的制备方法。
技术介绍
现阶段先进的半导体集成电路工艺已进入纳米领域，并且晶体管的特征尺寸还将持续按比例缩小，在提高器件性能并降低单个晶体管成本的同时，对半导体工艺条件也提出了更高的要求，并且受量子效应的影响，器件的特征尺寸不可能无限地持续缩小，传统的半导体材料、工艺将遭遇瓶颈，摩尔定律将失去对半导体工业的指导意义。研发新的材料、新的工艺来替代现有的集成电路中材料和工艺已有迫切的需要。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件，在纳米研究领域中的地位显得越发重要。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出一种上述半导体纳米线结构的制备方法，该方法包括如下步骤：提供半导体衬底；上光阻，所述光阻覆盖所述半导体衬底，并将所述光阻图形化；所述图形化的光阻为宽度间隔加宽的长条状；以所述图形化的光阻为掩模，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成上述的半导体纳米线结构；去除剩余的光阻。可选的，所述将光阻图形化的方法为光刻、纳米压印光刻、电子束光刻或X射线光刻中的任一种。可选的，所述刻蚀为湿法刻蚀，或者先干法刻蚀再湿法刻蚀。可选的，所述湿法刻蚀的腐蚀剂为KOH或氢氧化四甲基胺。可选的，所述干法刻蚀的刻蚀气体至少包含CF4、SiF6、Cl2、HBr、HCl中的一种。可选的，在所述湿法刻蚀前，还包括将所述半导体衬底氧化的步骤。与现有技术相比，本专利技术提供的半导体纳米线结构的制备方法，通过光刻及刻蚀形成宽度间隔加宽的半导体纳米线结构，由于所述半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止在刻蚀过程中造成所述半导体纳米线结构断裂，有利于形成超长超细的半导体纳米线结构。附图说明图1为本专利技术的步骤流程图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种半导体纳米线结构的制备方法作进一步详细说明。一种半导体纳米线结构的制备方法，包括如下步骤：S201、提供半导体衬底210；S202、上光阻220，所述光阻220覆盖所述半导体衬底210，并将所述光阻220图形化；所述图形化的光阻220为宽度间隔加宽的长条状；S203、以所述图形化的光阻220为掩模，对所述半导体衬底210进行湿法刻蚀，形成半导体纳米线结构230；S204、去除剩余的光阻220。综上所述，本专利技术还提供了一种半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的半导体纳米线结构，由于所述半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止在刻蚀过程中造成所述半导体纳米线结构断裂，有利于形成超长超细的半导体纳米线结构。显然，本领域的技术人员可以对专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体纳米线结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；上光阻，所述光阻覆盖所述半导体衬底，并将所述光阻图形化；所述图形化的光阻为宽度间隔加宽的长条状；以所述图形化的光阻为掩模，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成如权利要求1所述的半导体纳米线结构；去除剩余的光阻。

【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米线结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；上光阻，所述光阻覆盖所述半导体衬底，并将所述光阻图形化；所述图形化的光阻为宽度间隔加宽的长条状；以所述图形化的光阻为掩模，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成如权利要求1所述的半导体纳米线结构；去除剩余的光阻。2.如权利要求1所述的半导体纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述将光阻图形化的方法为光刻、纳米压印光刻、电子束光刻或X射线光刻中的任一种。3.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁献武，
申请(专利权)人：袁献武，
类型：发明
国别省市：广西;45