纳米薄雾产生装置的旋转体构造制造方法及图纸

本发明专利技术的纳米薄雾产生装置的旋转体构造的目的在于使纳米薄雾和负离子的产生量最大化。使呈研钵状的旋转体(2)旋转来产生纳米薄雾，旋转体(2)中，下部浸泡在蓄水槽的水中，在上部设置有薄雾飞散口(22)，在将薄雾飞散口(22)的上端高度处的内壁半径设为上部半径(R1)，将从被蓄水槽的水浸泡的吃水线(L)的高度到薄雾飞散口(22)的上端高度为止的高度设为汲取高度(H)，将在汲取高度(H)的范围内，内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度(θ1)，相对于满足‑R1sin3θ+2Hcosθsin2θ+Hcos3θ＝0即基本构造方程式的θ，将侧面平均角度(θ1)设定为在θ±5％以内。

Rotating body structure of nano mist generating device

The aim of the invention is to construct the rotating body of the nano mist generating device to maximize the production of the nano mist and the negative ion. Make a mortar like rotating body (2) rotates to produce nano mist, the rotating body (2), the lower part of the water storage tank is soaked in water, in the upper part is provided with a mist flying mouth (22), in the mist flying mouth (22) is at the height of the inner radius to the upper radius (R1) from the water storage tank, the water soaked waterline (L) to the height of the mist mouth (22) at the upper end of the flying height height to draw height (H), will draw in height (H) range, the average angle of the inner wall and the horizontal line is set to the side (the average angle 1), to meet the theta theta theta theta R1sin3 +2Hcos sin2 +Hcos3 theta = 0: basic structural equation of theta, side the average angle (theta 1) is set to + 5% within.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及纳米薄雾产生装置的旋转体构造，尤其涉及纳米薄雾产生装置的旋转体构造中的侧面平均角度的设定。
技术介绍
以往，已知有利用旋转体的离心力来汲取蓄水槽的水，使纳米薄雾(细微水滴)和负离子产生的纳米薄雾产生装置(例如，专利文献1、2)。在专利文献1和专利文献2中记载的纳米薄雾产生装置通过使研钵状的旋转体的下部以在蓄水部中淹没的状态旋转，来汲取蓄水部的水并使水从多个细孔飞散，从而产生将水的粒子细微化后的纳米薄雾。另外，专利文献2中记载的纳米薄雾产生装置能够对在蓄水部中蓄积的水的水位进行检测，并在低水位到高水位之间进行控制。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1：日本特开2010-12167号公报(参照权利要求1、段落0011～0018、图2及图3)专利文献2：日本特开2011-252692号公报(参照权利要求1、段落0009～0014及图1)
技术实现思路
(专利技术要解决的问题)然而，以往，由于没有关于蓄水槽的水的汲取量判断旋转体的内壁的倾斜角度是否被最优化的基准，因此为了使纳米薄雾和负离子的产生量为最大而重复试制和试验来进行设计。因此，存在以下问题：必须对纳米薄雾产生装置的不同用途或规格的每个产品重复进行用于使旋转体的内壁的倾斜角度最优化的试制和试验。另一方面，近来，由于搭载纳米薄雾产生装置的产品多样化，且为了表现个性也重视设计性，因此，也不得不考虑旋转体的大小和空间，因而，期望在设计的自由度被限制的情况下，有效地使旋转体的内壁的倾斜角度最优化。本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其课题在于，提供能够适宜地设定旋转体的侧面平均角度，从而使纳米薄雾和负离子的产生量最大化的纳米薄雾产生装置的旋转体构造(解决问题的方案)为了解决上述课题，本专利技术第一方面的专利技术是使上部比下部直径大的呈研钵状的旋转体旋转来产生纳米薄雾的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，所述旋转体中，所述下部浸泡在蓄水槽的水中，在所述上部设置有薄雾飞散口，所述纳米薄雾产生装置通过使所述旋转体旋转沿该旋转体的内壁汲取所述水并使所述水从所述薄雾飞散口飞散来产生纳米薄雾，将所述薄雾飞散口的上端高度处的内壁半径设为上部半径R1，将从被所述蓄水槽的水浸泡的吃水线的高度到所述薄雾飞散口的上端高度为止的高度设为汲取高度H，将在该汲取高度H的范围内，所述内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度θ1，相对于满足-R1sin3θ+2Hcosθsin2θ+Hcos3θ＝0即基本构造方程式的θ，将所述侧面平均角度θ1设定为在θ±5％以内。<基本构造方程式的推导>如图5所示，本专利技术的纳米薄雾产生装置将基于旋转体的旋转产生的离心力加速度α引起的水的壁面上升加速度α1(在旋转体的内壁面上升的水的加速度)作为判断基准设定侧面平均角度θ1。本专利技术的纳米薄雾产生装置利用旋转体的离心力加速度α来汲取水，因此，通过使壁面上升加速度α1为极大，能够使水的汲取量为极大并使纳米薄雾及负离子的产生量为极大。能够根据旋转体的内壁半径R、壁面角度θ及角速度ω求得壁面上升加速度α1。壁面上升加速度α1＝Rω2cosθ在该公式中，旋转体的形状产生的因素是旋转体的内壁半径R和壁面角度θ，因此，着眼于Rcosθ(称为“壁面上升加速度单位”。)的值。也就是，为了使水的汲取量为极大(最大)，使壁面上升加速度为极大即可，因此，使壁面上升加速度单位为极大即可。本专利技术中，若将所述薄雾飞散口的上端高度处的所述内壁半径设为上部半径R1，将从被所述蓄水槽的水浸泡的吃水线的高度到所述薄雾飞散口的上端高度为止的高度设为汲取高度H，将所述内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度θ1，则能够将吃水线的高度处的所述内壁半径即下部半径R2表示为：下部半径R2＝R1-H/tanθ。能够以下面的方式表示吃水线的高度处的壁面上升加速度单位。R2cosθ＝R1cosθ-Hcos2θ/sinθ设为f(θ)＝R1cosθ-Hcos2θ/sinθ。若根据设计性或设计规格等其他考虑方式已知了上部半径R1和汲取高度H，则能够将该式视为关于θ的一个变量的函数。此外，为了使概念简明方便，使用吃水线的高度处的下部半径R2来推导壁面上升加速度单位，但是，即使使用不是吃水线的高度而是规定的高度处的内壁半径也同样能够推导壁面上升加速度单位。为了求出关于θ的极大值，当设f′(θ)＝0，则由f′(θ)＝-R1sinθ-H(-2cosθsin2θ-cos3θ)/sin2θ，得出-R1sin3θ+2Hcosθsin2θ+Hcos3θ＝0将该式称为关于侧面角度的基本构造方程式。这样，本专利技术所涉及的纳米薄雾产生装置的旋转体构造通过求出对侧面平均角度θ的基准值进行设定的基本构造方程式，能够适宜地设定使水的汲取量为最大的侧面平均角度，可靠地使纳米薄雾和负离子的产生量最大化。本专利技术第二方面的专利技术是根据本专利技术第一方面的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，在将所述吃水线与所述内壁的交点设为下部内壁点，将所述上端高度处的内壁点设为上部内壁点时，将所述侧面平均角度θ1设为将所述下部内壁点和所述上部内壁点连结的直线与水平线所成的角度。本专利技术中，能够将侧面平均角度θ1设为将所述下部内壁点和所述上部内壁点连结的直线与水平线所成的角度。本专利技术第三方面的专利技术是根据本专利技术第一方面或本专利技术第二方面所述的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，将所述侧面平均角度θ1设定在50度≦θ＜80度的范围。本专利技术中，关于所述上部半径R1(例如，33mm)及所述汲取高度H(例如，61mm)，若由基本构造方程式求最合适的侧面平均角度θ1，则为75.7度，由于与实验结果一致，因此，设定了侧面平均角度θ1的适宜范围的基准。本专利技术第四方面的专利技术是根据本专利技术第一方面所述的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，所述内壁由在正面剖面观察时呈直线状地延伸的锥形形状构成。本专利技术中，通过将旋转体设为在正面剖面观察时呈直线状地延伸的锥形形状，从而能够在汲取高度的范围内将壁面上升加速度保持在极大值附近，因此，能够将水的汲取量稳定地保持在极大值附近。本专利技术第五方面的专利技术是根据本专利技术第一方面所述的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，所述内壁在正面剖面观察时呈向外侧膨胀的曲面形状。本专利技术中，通过将旋转体设为在正面剖面观察时呈向外侧膨胀的曲面形状，从而在汲取高度的范围内在下部使内壁的侧面角度变小，随着靠近上部而逐渐变大。本专利技术根据实验结果，能够确认通过将旋转体设为在正面剖面观察时呈向外侧膨胀的曲面形状，从而比设为锥形形状的情况更增大负离子的产生量。本专利技术第六方面的专利技术是根据本专利技术第一方面所述的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，在将所述吃水线的高度控制为在预先设定的下限值与上限值之间变动的情况下，将所述下限值以上且所述上限值以下的数值作为所述吃水线的高度。本专利技术也能够适用于吃水线的高度变动的类型的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，并且在这样的情况下，能够将所述下限值以上且所述上限值以下的数值作为所述吃水线的高度。(专利技术效果)本专利技术所涉及的纳米薄雾产生装置的旋转体构造能够适宜地设定旋转体的侧面平均角度，从而使纳米薄雾和负离子的产生量最大化。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式所涉及的旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其使上部比下部直径大的呈研钵状的旋转体旋转来产生纳米薄雾，其特征在于，所述旋转体中，所述下部浸泡在蓄水槽的水中，在所述上部设置有薄雾飞散口，所述纳米薄雾产生装置通过使所述旋转体旋转沿该旋转体的内壁汲取所述水并使所述水从所述薄雾飞散口飞散来产生纳米薄雾，将所述薄雾飞散口的上端高度处的内壁半径设为上部半径R1，将从被所述蓄水槽的水浸泡的吃水线的高度到所述薄雾飞散口的上端高度为止的高度设为汲取高度H，将在该汲取高度H的范围内，所述内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度θ1，相对于满足‑R1sin3θ+2Hcosθsin2θ+Hcos3θ＝0即基本构造方程式的θ，将所述侧面平均角度θ1设定为在θ±5％以内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.11 JP 2014-1847651.一种纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其使上部比下部直径大的呈研钵状的旋转体旋转来产生纳米薄雾，其特征在于，所述旋转体中，所述下部浸泡在蓄水槽的水中，在所述上部设置有薄雾飞散口，所述纳米薄雾产生装置通过使所述旋转体旋转沿该旋转体的内壁汲取所述水并使所述水从所述薄雾飞散口飞散来产生纳米薄雾，将所述薄雾飞散口的上端高度处的内壁半径设为上部半径R1，将从被所述蓄水槽的水浸泡的吃水线的高度到所述薄雾飞散口的上端高度为止的高度设为汲取高度H，将在该汲取高度H的范围内，所述内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度θ1，相对于满足-R1sin3θ+2Hcosθsin2θ+Hcos3θ＝0即基本构造方程式的θ，将所述侧面平均角度θ1设定为在θ±5％以内。2.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸我胜巳，菅原优辉，
申请(专利权)人：歌路那公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP