一种联蒽衍生物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种联蒽衍生物，具有式(I)或式(II)所示结构。本发明专利技术提供的联蒽衍生物是通过在联蒽化合物里引进不同的基团以形成非对称结构从而改善联蒽衍生物的立体效果和调节联蒽衍生物的波长，另外调节Ar2的分子量、R1、R3的种类改善材料的性能，进而使用本发明专利技术提供的联蒽衍生物的有机器件有高的亮度、良好的耐热性、寿命长以及效率高的特点。

Anthracene derivative and preparation method and application thereof

The invention provides a anthracene derivative, which has the structure of formula (I) or formula (II). The present invention provides bianthracene derivatives by introducing different stereo groups to form asymmetric structure so as to improve bianthracene derivatives in bianthracene compounds and regulating bianthracene derivatives performance wavelength, molecular weight, R1, type R3 in the regulation of Ar2 to improve the materials, and then use the organic device provided by the invention bianthracene derivatives with high brightness, good heat resistance, long service life and high efficiency characteristics.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机电致发光材料
，具体涉及一种联蒽衍生物及其制备方法和应用。
技术介绍
一般的有机发光器件(OLED)是由阴极、阳极及阴极和阳极之间插入的有机物层构成的，器件的组成是透明ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、LiAl等阴极形成，按需要可省略1～2有机层。器件的两个电极之间形成电压一边从阴极电子注入另一边阳极注入空穴。这电子和空穴在发光层再结合形成激发态，激发态回到稳定的基态。发光材料分为荧光材料和磷光材料，发光层的形成方法是荧光主体材料中掺杂磷光材料(有机金属)的方法和荧光主体材料掺杂荧光(包含氮的有机物)掺杂剂的方法及发光体里利用掺杂剂(DCM，Rubrene，DCJTB等)具现长波长的方法，通过这样的参杂改善发光波长，效率，驱动电压，寿命等因素。一般形成发光层材料是具有苯、萘、芴、螺二芴、蒽、芘、咔唑等中心体和苯、联苯、萘、杂环等配体；对位、间位、邻位的结合位置及氰基、氟、甲基、叔丁基等置换结构。所述化合物中a,a-MADN和b,b-MADN的情况跟a,a-AND和b,b-AND比较结构差异点是多一个甲基，但跟SK-1和BD1器件结果甲基的立体结构改善性能。Adv.Mater.2005,17,2493–2497,APPLIEDPHYSICSLETTERS91083515(2007)及CurrentAppliedPhysics8(2008)573–576已经报道。在OLED面板发展到大型化，需要更细腻和色彩更鲜明的材料，其中解决的重点是蓝色材料，尤其是需要浅蓝色移到深蓝色的高性能材料，另一方面需要发光波长的色坐标、高效率发光效率及热稳定性好的高玻璃化温度材料。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种联蒽衍生物及其制备方法和应用，本专利技术提供的联蒽衍生物为蓝色发光材料，并且该材料具有较高的发光效率以及良好的寿命。本专利技术提供了一种联蒽衍生物，具有式(I)或式(II)所示结构：在式(I)或式(II)中，A独立的选自C1～C60的烷基、C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；Ar独立的选自C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基或C6～C60的芳基；L1和L2独立的选自0～2的整数；R1选自氢、卤素、C1～C60烷基、C1～C60醚基、C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基和C5～C60的杂环基，所述C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的取代氨基、C1～C60的取代巯基、C2～C60的炔烃基、C6～C60的芳基、C8～C60的芳烯基、硅基及C5～C60的杂环基所取代。优选的，所述A独立的选自C1～C30的烷基、C6～C30的芳基或C5～C30的杂环基；所述Ar独立的选自C5～C30的稠环基、C5～C30的杂环基或C6～C30的芳基；所述L1和L2独立的选自0或1；所述R1选自氢、卤素、C1～C30烷基、C1～C30醚基、C6～C30芳基、C5～C30的稠环基或C5～C30的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C30的芳基、C5～C30的稠环基和C5～C30的杂环基，所述C6～C30的芳基、C5～C30的稠环基或C5～C30的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的取代氨基、C1～C30的取代巯基、C2～C30的炔烃基、C6～C30的芳基、C8～C30的芳烯基、硅基及C5～C30的杂环基所取代。优选的，所述A独立的选自甲基、苯基或吡啶基；所述Ar选自独立的选自其中，X选自独立的选自CH、N或C-R4；R4选自C1～C60烷基,C1～C60醚基，C6～C60芳基，C6～C60的芳氨基,C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基；所述R1选自H、甲氧基、萘基、吡啶基、其中，Y选自C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R4、R5或R6独立的选自氢、卤基、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C6～C60的芳基、C8～C60的稠环基、C8～C60的杂环基R2或R3独立的选自苯基、吡啶基或优选的，所述Ar独立的选自所述R1选自H、甲氧基、萘基、吡啶基、优选的，所述化合物具有以下E-1～E-51任一结构：本专利技术还提供了一种联蒽衍生物的制备方法，包括以下步骤：将式(III)所示化合物与式(IV)所示化合物进行反应，得到具有式(I)所示结构的联蒽衍生物；或者，将式(III)所示化合物与式(V)所示化合物进行反应，得到具有式(II)所示结构的联蒽衍生物；其中，M选自-Br、I或F；Y1为-B(OH)2、-B(OCH(CH3)2)2或A独立的选自C1～C60的烷基、C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；Ar独立的选自C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基或C6～C60的芳基；L1和L2独立的选自0～2的整数；R1选自氢、卤素、C1～C60烷基、C1～C60醚基、C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基和C5～C60的杂环基，所述C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的取代氨基、C1～C60的取代巯基、C2～C60的炔烃基、C6～C60的芳基、C8～C60的芳烯基、硅基及C5～C60的杂环基所取代。优选的，所述式(III)所示化合物按照如下方法进行制备：将式(V)所示化合物与硼酸三异丙酯或联硼酸频那醇酯进行反应，得到具有式(VI)所示结构的化合物；将式(VI)所示化合物与式(VIII)所示化合物进行反应，得到具有式(III)所示结构的化合物；本专利技术还提供了一种有机发光材料，包括上述联蒽衍生物或上述制备方法制备的联蒽衍生物。本专利技术还提供了一种有机电子器件，包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层；所述有机物层包括上述联蒽衍生物或上述制备方法制备的联蒽衍生物，所述有机物层选自空穴注入层、空穴传输层和空穴注入技能及空穴传输技能同时具备的技能层，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。优选的，有机电子器件包括有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管。与现有技术相比，本专利技术提供了一种联蒽衍生物，具有式(I)或式(II)所示结构：在式(I)或式(II)中，A独立的选自C1～C60的烷基、C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；Ar独立的选自C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基或C6～C60的芳基；L1和L2独立的选自0～2的整数；R1选自氢、卤素、C1～C60烷基、C1～C60醚基、C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C60的芳基、C5～C60的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种联蒽衍生物，具有式(I)或式(II)所示结构：在式(I)或式(II)中，A独立的选自C1～C60的烷基、C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；Ar独立的选自C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基或C6～C60的芳基；L1和L2独立的选自0～2的整数；R1选自氢、卤素、C1～C60烷基、C1～C60醚基、C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基和C5～C60的杂环基，所述C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的取代氨基、C1～C60的取代巯基、C2～C60的炔烃基、C6～C60的芳基、C8～C60的芳烯基、硅基及C5～C60的杂环基所取代。

【技术特征摘要】
1.一种联蒽衍生物，具有式(I)或式(II)所示结构：在式(I)或式(II)中，A独立的选自C1～C60的烷基、C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；Ar独立的选自C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基或C6～C60的芳基；L1和L2独立的选自0～2的整数；R1选自氢、卤素、C1～C60烷基、C1～C60醚基、C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基和C5～C60的杂环基，所述C6～C60的芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的取代氨基、C1～C60的取代巯基、C2～C60的炔烃基、C6～C60的芳基、C8～C60的芳烯基、硅基及C5～C60的杂环基所取代。2.根据权利要求1所述的联蒽衍生物，其特征在于，所述A独立的选自C1～C30的烷基、C6～C30的芳基或C5～C30的杂环基；所述Ar独立的选自C5～C30的稠环基、C5～C30的杂环基或C6～C30的芳基；所述L1和L2独立的选自0或1；所述R1选自氢、卤素、C1～C30烷基、C1～C30醚基、C6～C30芳基、C5～C30的稠环基或C5～C30的杂环基；R2和R3独立的选自C6～C30的芳基、C5～C30的稠环基和C5～C30的杂环基，所述C6～C30的芳基、C5～C30的稠环基或C5～C30的杂环基可任选地被一个以上的卤素、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的取代氨基、C1～C30的取代巯基、C2～C30的炔烃基、C6～C30的芳基、C8～C30的芳烯基、硅基及C5～C30的杂环基所取代。3.根据权利要求1所述的联蒽衍生物，其特征在于，所述A独立的选自甲基、苯基或吡啶基；所述Ar选自独立的选自其中，X选自独立的选自CH、N或C-R4；R4选自C1～C60烷基,C1～C60醚基，C6～C60芳基，C6～C60的芳氨基,C5～C60的稠环基、C5～C60的杂环基；所述R1选自H、甲氧基、萘基、吡啶基、其中，Y选自C6～C60芳基、C5～C60的稠环基或C5～C60的杂环基；R4、R5或R6独立的选自氢、卤基、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C6～C60的芳基、C8～C60的稠环基、C8～C60的杂环基；R2或R3独立的选自苯基、吡啶基或4.根据权利要求1所述的联蒽衍生...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔敦洙，李明，秦翠英，姜志远，毕岩，高春吉，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22