一种微波暗室制造技术

本发明专利技术公开了一种微波暗室，包括电磁屏蔽室、安装于所述电磁屏蔽室内壁的吸波材料及测量天线，所述吸波材料至少上部为周期性角锥，其特征在于，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。本发明专利技术通过一种简单，易操作，低成本的方式，在不改变暗室结构或吸波材料高度的情况下，仅仅通过改变吸波材料的布局就可以极大程度降低暗室反射，创造一个更纯净的测量环境，提高测量精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测量
，尤其涉及一种用于无线性能参数测量的微波暗室。
技术介绍
微波暗室又称为无回波室、无反射室或吸波暗室(以下简称暗室)，是在电磁屏蔽室的内壁(墙壁、地板、天棚等)铺设吸波材料，有效地吸收入射到这些地方的电磁波，减小或消除反射和散射，从而形成天线测量所需要的自由空间条件。微波暗室广泛应用于天线参数测量以及电磁波绕射、散射及辐射特性测量的理想场所。微波暗室最基本的功能是提供一个稳定可控的、满足测量所需的电磁信号环境。根据吸波材料安装方式的不同，微波暗室分为全波暗室、半波暗室两种。全波暗室内部所有表面都覆有吸波材料，用于模拟自由空间条件；半波暗室内部侧壁和顶部表面覆有吸波材料，地面为电波反射面，用于模拟开阔测试场地。暗室所用的吸波材料几乎都是锥体，且大多为角锥型，典型的角锥型吸波材料如图1所示，包括基座和上部的周期性角锥。电磁波入射至吸波材料时，在电磁波的入射面或界面都会发生反射、投射(折射)和吸收。吸波材料的性能直接影响暗室内部的反射情况。为了降低暗室内部反射，现有技术中通常的做法是优化吸波材料的吸收效能，具体方法主要包括四种：(1)增加吸波剂的添加量；(2)增加锥体或平板的高度；(3)暗室不同区域铺设不同性能的吸波材料；(4)减小天线辐射到暗室主要反射区吸波材料的入射角度。对于第(1)种方法而言，一般情况下，随着吸波剂体积百分数的增加，吸波效能呈现增加的态势，但吸波剂的增加是有极限的，对导电材料来说(以炭粉为例)，它的极限不超过所要求的最低频率对应的趋肤深度，此外，还要考虑发泡倍数的影响。对于第(2)种方法而言，一般来说，锥体的高度与频宽和吸收效能是成正比的，随着高度增加，通常频宽有向低频段扩展的趋势，其吸收效果也相对较高，但为了达到这一点，还需降低炭粉含量或使含碳量呈阶梯分布。以上两种方法对吸波效能的改善效果有限，且会增加吸波体的重量和/或高度，同时也增加了成本。并且，对于较小的暗室而言，内部空间有限，无法使用较高的吸波材料。对于第(3)种方法而言，一般在暗室后墙铺设最高性能的吸波材料(一般来说即高度最高)，在暗室地面、屋顶及两个侧墙铺设较高性能的吸波材料，前墙铺设较差性能的吸波材料，由于吸波材料价格昂贵，这种做法仍然会极大的增大成本，并且对于较小的暗室而言，内部空间有限，无法使用较高的吸波材料。对于第(4)种方法，由于角锥型吸波材料对正入射电磁波的吸收性能最佳，而随着入射角度的增大，吸收性能逐渐恶化，常用解决方法是增大暗室尺寸使得某些主要反射区的入射角度减小，从而减小反射，或者设计异型吸波材料，使椎体顶部正对入射来波的方向，如CN104005483B中公开的用于改善微波暗室静区性能的模块化介质栅栏。这种解决方法同样会增加暗室制造成本。现有暗室中，吸波材料的放置方向未作特殊设计，通常以方便安装、减少浪费、美观为准则。以典型的矩形暗室为例，如图4a所示，为了便于安装，吸波材料是以类似“砌砖”的方式安装于暗室内壁。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种微波暗室，仅通过改变吸波材料的布局方式大幅降低暗室内部的反射噪声，提供一个纯净的测量环境，提高测量的准确性。为实现上述目的，本专利技术第一方面实施例提出了一种技术方案：一种微波暗室，包括电磁屏蔽室、安装于所述电磁屏蔽室内壁的吸波材料及测量天线，所述吸波材料至少上部为周期性角锥，其特征在于，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。进一步，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边正对主要来波方向。进一步，所述微波暗室中测量天线周围的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。进一步，所述微波暗室中测量天线周围的吸波材料的角锥的棱边正对主要来波方向。进一步，所述微波暗室中测量天线周围的吸波材料的角锥的棱边朝向临近测量天线的方向。进一步，所述微波暗室中测量天线周围的吸波材料的角锥的棱边正对临近测量天线的方向。本专利技术第二方面实施例提出了一种技术方案：一种微波暗室，包括电磁屏蔽室、安装于所述电磁屏蔽室内壁的吸波材料及测量天线，所述吸波材料至少上部为周期性角锥，其特征在于，所述测量天线至少部分置于吸波材料中，所述测量天线的中心轴与所述吸波材料其中一个角锥的中心轴重合。本专利技术通过一种简单，易操作，低成本的方式，在不改变暗室结构或吸波材料高度的情况下，仅仅通过改变吸波材料的布局就可以极大程度降低暗室反射，创造一个更纯净的测量环境，提高测量精度。附图说明本专利技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为一种典型的吸波材料示意图；图2为矩形暗室中主反射区示意图，图中未示出吸波材料；图3为矩形暗室中非垂直入射的主反射区示意图，图中未示出吸波材料；图4a为现有的矩形暗室中吸波材料的布局示意图；图4b为现有的矩形暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时的入射示意图，图中仅示出部分吸波材料；图4c为现有的矩形暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时的局部入射示意图；图5a为本专利技术实施例1暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时的入射示意图，图中仅示出部分吸波材料；图5b为本专利技术实施例1暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时的局部入射示意图；图5c为本专利技术实施例1暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时一种角度的局部入射俯视图；图5d为本专利技术实施例1暗室中测量天线发射的电磁波到达非垂直入射的主反射区时另一种角度的局部入射俯视图；图6为本专利技术实施例1的一种吸波材料布局方式示意图；图7为一种圆柱形多探头暗室的外观示意图；图8为现有的圆柱形多探头暗室中测量天线周围吸波材料的布局示意图；图9a为本专利技术实施例2暗室中测量天线周围吸波材料的布局示意图；图9b为本专利技术实施例2暗室中测量天线周围吸波材料的布局局部示意图；图10a为本专利技术实施例3暗室中测量天线周围吸波材料的布局示意图；图10b为本专利技术实施例3暗室中测量天线周围吸波材料的布局俯视图；图11a为现有的暗室中测量天线周围吸波材料的布局示意图；图11b为现有的暗室中测量天线周围吸波材料的布局俯视图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波暗室，包括电磁屏蔽室、安装于所述电磁屏蔽室内壁的吸波材料及测量天线，所述吸波材料至少上部为周期性角锥，其特征在于，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。

【技术特征摘要】
1.一种微波暗室，包括电磁屏蔽室、安装于所述电磁屏蔽室内壁的吸波材料及测量天线，所述吸波材料至少上部为周期性角锥，其特征在于，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。2.如权利要求1所述的微波暗室，其特征在于，所述微波暗室中至少位于非垂直入射的主反射区的吸波材料的角锥的棱边正对主要来波方向。3.如权利要求1或2所述的微波暗室，其特征在于，所述微波暗室中测量天线周围的吸波材料的角锥的棱边朝向主要来波方向。4.如权利要求3所述的微波暗室，其特征在于，所述微波暗室中测...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆一宏，于伟，罗庆春，沈鹏辉，
申请(专利权)人：深圳市通用测试系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44