一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法技术

本发明专利技术提供了一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，对落在浅沟槽隔离区上的离子注入层边界进行优化修正，满足生产所需的精度要求。通过将离子注入层边界移动到冗余填充图形上或者向器件图形靠拢的操作，消除了来自多晶硅及底部衬底反射的影响，并且由于浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以本发明专利技术仍然满足设计规则要求，同时又有效地降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法。
技术介绍
随着半导体工艺的不断发展，技术节点的不断减小，离子注入层图形的特征尺寸及与前层的对准精度要求越来越高。在曝光过程中，由于前层衬底形貌起伏的影响，来自硅片衬底和前层多晶硅的反射光也会对光刻胶层曝光，从而造成打开的光刻胶区域即离子注入层的图案与设计的图案有偏差，以致对准精度下降，甚至造成光刻胶与衬底结合不牢而脱落。光学临近修正(OPC)是解决上述问题常用的手段之一，设计者为了增加曝光图案的真实性,利用一系列复杂的计算机算法，对掩蔽层上的离子注入层边界进行光学临近修正，即对掩蔽层上面的离子注入层边界进行选择性补偿，将上述反射光产生的光学效应尽可能补偿掉，就可以在实际光刻中得到真正想要的图形。现有的光学临近修正方法是通过对大量的测试图形进行测试并收集数据建立数据库，再根据数据反馈情况从数据库中选择最接近的情况补偿离子注入层边界的修正，该方法必须进行大量的实验来得到足够多的数据库数据，因此成本较高，并且不能完全涵盖所有的可能，尤其对于来自硅片衬底和前层多晶硅的反射光的影响数据不全，导致光学临近修正的结果不精确，无法满足小尺寸版图设计时对线宽精度控制的要求。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学邻近修正方法，包括以下步骤：步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界；步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形；步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04；步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，且与非冗余填充图形的最小距离不违反预设值，以对所述边界进行基于模型的OPC修正。进一步的，步骤S03中，将所述边界移动至所述冗余填充图形的中间，所述边界与所述冗余填充图形的中心线的距离不大于5nm。进一步的，步骤S04中，所述预设值为30nm—100nm。进一步的，所述的冗余填充图形为有源区和多晶硅集合。进一步的，所述的非冗余填充图形为有源区和多晶硅构成的器件图形。本专利技术提供的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，可以对落在浅沟槽隔离区上的离子注入层边界进行优化修正，满足生产所需的精度要求。通过将离子注入层边界移动到冗余填充图形上或者向器件图形靠拢的操作，消除了来自多晶硅及底部衬底反射的影响，并且由于浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以本专利技术仍然满足设计规则要求，同时又有效地降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。附图说明图1是本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法的流程图；图2-图4是本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法的结构示意图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本专利技术的实施方式时，为了清楚地表示本专利技术的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本专利技术的限定来加以理解。在以下本专利技术的具体实施方式中，请参阅图1-图4,图1是本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法的流程图，图2-图4是本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法的结构示意图。由图所示，本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，包括以下步骤：步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界。该步骤中，根据离子注入层版图图形，将一已有前层图案的模型结合一定的数学算法选定离子注入层落入浅沟槽隔离区内的边界。离子注入的前层图形主要包括有源区和浅沟槽隔离区，有源区是源漏极所在区域，包含电子电路所需的器件；有源区以外的区域即为浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区是为了实现半导体器件有源区之间的隔离。离子注入在有源区范围内是有效的，注入在浅沟槽隔离区上则是无意义的。为了便于上下层图形的精确对准，同时降低离子注入层的光刻胶脱落风险，本专利技术的OPC修正方法就是针对离子注入层落在浅沟槽隔离区上的部分进行的。如图2所示，用一矩形10代表离子注入层，即光刻胶要打开的区域，离子注入层10以外的面积即为浅沟槽隔离区(图中未标记)，根据一定的数学算法，选出离子注入层10落入浅沟槽隔离区内的边界，假定图2中所标记的边界11为离子注入层10落在浅沟槽隔离区内的边界，接下来需要对边界11进行修正。步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形。该步骤中，如图2所示，在离子注入层10的区域中，根据离子注入设计版图，首先检索到距离边界11最近的前层图形20。前层图形可分为两类，分别是冗余填充图形和非冗余填充图形。基于局部密度原则和冗余填充方法，在晶圆上加入填充图形以提高版图整体的图形密度均一性。冗余填充图形不通电，不对产品的电气性能造成影响。非冗余填充图形就是器件图形，在后序加工中生成各种元件。然后，判定前层图形20的种类，即前层图形20是冗余填充图形，还是非冗余填充图形。步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04。该步骤中，如图3所示，如果前层图形为冗余填充图形21，则对离子注入层落入浅沟槽隔离区的边界11的矫正方法为：将边界11移动到冗余填充图形21上，因为，冗余填充图形中无器件，如此便最大程度的减小了离子注入层落入浅沟槽隔离区的面积，即最大程度的减小了光刻胶需打开的面积，避免在实际光刻曝光工艺中光刻胶发生倒胶脱落，增加产品的良率。优选地，将所述边界移动至所述冗余填充图形的中间，所述边界与所述冗余填充图形的中心线的距离不大于5nm。步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，且与非冗余填充图形的最小距离不违反预设值，以对所述边界进行基于模型的OPC修正。该步骤中，如图4所示，如果前层图形为非冗余填充图形22，则对离子注入层落入浅沟槽隔离区的边界11的矫正方法为：将边界11向非冗余填充图形22靠拢，因为，非冗余填充图形中有器件，应为光刻胶需要打开的区域，需在后续工艺中进行离子注入，所以，边界11只能向非冗余填充图形22靠拢，而不能位于非冗余填充图形22上。优选地，所述预设值为30nm—100nm，以致最大程度的减小光刻胶发生倒胶的几率。本专利技术的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，可以用于前层图形为有源区或多晶硅的修正，即冗余填充图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界；步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形；步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04；步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，且与非冗余填充图形的最小距离不违反预设值，以对所述边界进行基于模型的OPC修正。

【技术特征摘要】
1.一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界；步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形；步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04；步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张逸中，张月雨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31