一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法技术

技术编号:15223247 阅读:165 留言:0更新日期:2017-04-27 01:01
本发明专利技术公开了一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料,由主料和辅料制成,所述主料以摩尔百分比计由以下组分组成:52~53mol%Fe2O3,18.5~19.5mol%ZnO,余量为MnO,所述辅料以主料总重量计由以下质量百分含量的组分组成:0.03~0.05wt%CaCO3,0.01~0.03wt%Nb2O5,0.01~0.03wt%ZrO2。本发明专利技术的MnZn铁氧体材料具有高磁导率的同时具有较低的损耗。本发明专利技术还公开了一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料制备方法,包括以下步骤:(1)配料;(2)预烧;(3)二次砂磨;(4)喷雾造粒和成型;(5)烧结。本发明专利技术制备方法步骤简单,可操作性强,适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及软磁铁氧体
,尤其是涉及一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
技术介绍
现有可穿戴设备的功率都比较小,所以利用MnZn铁氧体材料的高磁导率,可以有效减少铜线绕组的同时具有相同的性能,来实现轻量化的目的。但是目前常规的MnZn铁氧体材料无法同时满足高磁导率(5000±20%),低损耗(Pcv[60℃]<330kW/m3@100KHz,200mT)的性能,使其在可穿戴设备中的应用受到了限制。因此有必要开发一种在具有高磁导率的同时具有较低的损耗的MnZn铁氧体材料。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有技术的MnZn铁氧体材料无法在具有高磁导率(的同时具有低损耗的问题,提供了一种组分合理,为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料,其由主料和辅料制成,所述主料以摩尔百分比计由以下组分组成:52~53mol%Fe2O3,18.5~19.5mol%ZnO,余量为MnO,以主料总重量计,所述辅料由以下质量百分含量的组分组成:0.03~0.05wt%CaCO3,0.01~0.03wt%Nb2O5,0.01~0.03wt%ZrO2。本专利技术对MnZn铁氧体材料的具体成分配比进行了优化调整,限定了主料和辅料的具体组分种类和含量,使得MnZn铁氧体材料具有高磁导率的同时具有较低的损耗。一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料制备方法,包括以下步骤:(1)配料:按上述配比称取主料和辅料后,在主料中加入去离子水进行一次砂磨,喷雾干燥后得喷物料。(2)预烧:将喷物料放入预烧炉中进行预烧,得预烧料。(3)二次砂磨:在预烧料中加入辅料后,加去离子水进行二次砂磨,得二次砂磨料。(4)喷雾造粒和成型:在二次砂磨料中加入为二次砂磨料质量0.06~0.08%PVA及0.002~0.004%消泡剂,进行喷雾造粒后成型,得环毛坯。(5)烧结:将环毛坯置于氧化性气氛中进行烧结,得高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料样环。作为优选,步骤(1)中,一次砂磨时间为10~40min;作为优选,步骤(2)中,预烧温度为800~900℃,预烧时间2~4h。作为优选,步骤(3)中,二次砂磨时间为90~120min。作为优选,步骤(4)中,喷雾造粒的物料粒径为50~200μm。作为优选,步骤(5)中,氧化性气氛为空气,烧结曲线为:升温速度3~4℃/min;最高温度为1280~1320℃,保温3~4h,氧气浓度1~3%;降温到850~900℃,降温速度为1~2℃/min,按照平衡氧气浓度设定;降温到常温,降温速度为3~4℃/min,氮气。因此,本专利技术具有如下有益效果:(1)对MnZn铁氧体材料的具体成分配比进行了优化调整,限定了主料和辅料的具体组分种类和含量,使得MnZn铁氧体材料具有高磁导率的同时具有较低的损耗,具有较大的推广应用价值;(2)制备方法步骤简单,可操作性强,适合工业化生产。具体实施方式下面通过具体实施方式对本专利技术做进一步的描述。实施例1(1)配料:按53mol%Fe2O3,19.5mol%ZnO,余量为MnO的摩尔百分比配比称量各组分作为主料,以主料总重量计,按0.05wt%CaCO3,0.03wt%Nb2O5,0.03wt%ZrO2的质量百分含量配比称取各组分作为辅料,在主料中加入去离子水进行一次砂磨,砂磨时间为40min,喷雾干燥后得喷物料;(2)预烧:将喷物料放入预烧炉中进行预烧,得预烧料,预烧温度为900℃,预烧时间2h;(3)二次砂磨:在预烧料中加入辅料后,加去离子水进行二次砂磨,二次砂磨时间为120min,得二次砂磨料;(4)喷雾造粒和成型:在二次砂磨料中加入为二次砂磨料质量0.08%PVA及0.004%消泡剂,进行喷雾造粒后成型,喷雾造粒的物料粒径为200μm,得环毛坯;(5)烧结:将环毛坯置于氧化性气氛中进行烧结,得高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料样环,氧化性气氛为空气,烧结曲线为:升温速度4℃/min;最高温度为1320℃,保温4h,氧气浓度3%;降温到900℃,降温速度为2℃/min,按照平衡氧气浓度设定;降温到常温,降温速度为4℃/min,氮气。将烧结好的样环用CH3302测试磁导率,用日本岩崎公司的SY8218仪器进行功耗Pcv及饱和磁通密度Bs的测试。测得的性能如下:μi[25℃]=5523;Bs[25℃]=470mT,Bs[60℃]=401mT;Pcv[25℃]=367kW/m3,Pcv[60℃]=329kW/m3(@100KHz,200mT);Pcv[25℃]=302kW/m3,Pcv[60℃]=288kW/m3(@500KHz,50mT);Pcv[25℃]=433kW/m3,Pcv[60℃]=417kW/m3(@1MHz,30mT)。实施例2(1)配料:按52mol%Fe2O3,18.5mol%ZnO,余量为MnO的摩尔百分比配比称量各组分作为主料,以主料总重量计,按0.03wt%CaCO3,0.01wt%Nb2O5,0.01wt%ZrO2的质量百分含量配比称取各组分作为辅料,在主料中加入去离子水进行一次砂磨,砂磨时间为10min,喷雾干燥后得喷物料;(2)预烧:将喷物料放入预烧炉中进行预烧,得预烧料,预烧温度为800℃,预烧时间4h;(3)二次砂磨:在预烧料中加入辅料后,加去离子水进行二次砂磨,二次砂磨时间为90min,得二次砂磨料;(4)喷雾造粒和成型:在二次砂磨料中加入为二次砂磨料质量0.06%PVA及0.002%消泡剂,进行喷雾造粒后成型,喷雾造粒的物料粒径为50~200μm,得环毛坯;(5)烧结:将环毛坯置于氧化性气氛中进行烧结,得高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料样环,氧化性气氛为空气,烧结曲线为:升温速度3℃/min;最高温度为1280℃,保温3h,氧气浓度1%;降温到850℃,降温速度为1℃/min,按照平衡氧气浓度设定;降温到常温,降温速度为3℃/min,氮气。将烧结好的样环用CH3302测试磁导率,用日本岩崎公司的SY8218仪器进行功耗Pcv及饱和磁通密度Bs的测试。测得的性能如下:μi[25℃]=5523;Bs[25℃]=470mT,Bs[60℃]=401mT;Pcv[25℃]=367kW/m3,Pcv[60℃]=329kW/m3(@100KHz,200mT);Pcv[25℃]=302kW/m3,Pcv[60℃]=288kW/m3(@500KHz,50mT);Pcv[25℃]=433kW/m3,Pcv[60℃]=417kW/m3(@1MHz,30mT)。实施例3(1)配料:按52.5mol%Fe2O3,19mol%ZnO,余量为MnO的摩尔百分比配比称量各组分作为主料,以主料总重量计,按0.04wt%CaCO3,0.02wt%Nb2O5,0.02wt%ZrO2的质量百分含量配比称取各组分作为辅料,在主料中加入去离子水进行一次砂磨,砂磨时间为20min,喷雾干燥后得喷物料;(2)预烧:将喷物料放入预烧炉中进行预烧,得预烧料,预烧温度为850℃,预烧时间3h;(3)二次砂磨:在预烧料中加入辅料后,加去离子水进行二次砂磨,二次砂磨时间为100min,得二次砂磨料;(4)喷雾造粒和成型:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料,其由主料和辅料制成,其特征在于,所述主料以摩尔百分比计由以下组分组成:52~53mol%Fe2O3,18.5~19.5mol%ZnO,余量为MnO,以主料总重量计,所述辅料由以下质量百分含量的组分组成:0.03~0.05wt%CaCO3,0.01~0.03wt%Nb2O5,0.01~0.03wt%ZrO2。

【技术特征摘要】
1.一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料,其由主料和辅料制成,其特征在于,所述主料以摩尔百分比计由以下组分组成:52~53mol%Fe2O3,18.5~19.5mol%ZnO,余量为MnO,以主料总重量计,所述辅料由以下质量百分含量的组分组成:0.03~0.05wt%CaCO3,0.01~0.03wt%Nb2O5,0.01~0.03wt%ZrO2。2.一种如权利要求1所述的高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配料:按上述配比称取主料和辅料后,在主料中加入去离子水进行一次砂磨,喷雾干燥后得喷物料;(2)预烧:将喷物料放入预烧炉中进行预烧,得预烧料;(3)二次砂磨:在预烧料中加入辅料后,加去离子水进行二次砂磨,得二次砂磨料;(4)喷雾造粒和成型:在二次砂磨料中加入为二次砂磨料质量0.06~0.08%PVA及0.002~0.004%消泡剂,进行喷雾造粒后成型,得环毛坯;(5)烧结:将环毛坯置于氧化性气氛中进行烧结,得高磁导率低损耗M...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵旭王朝明卢飞翔
申请(专利权)人:横店集团东磁股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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