The utility model discloses a semiconductor thermoelectric module welded with LED chip, including LED, semiconductor thermoelectric chip, one end surface of the thermoelectric power generation chip is provided with a circuit layer, LED welding on the circuit layer, the outermost thermoelectric chip exposed end is provided with a metal layer on the metal layer. On the welding heat radiation device. A metal layer is formed on the surface of the semiconductor thermoelectric chip. The utility model cancels the traditional aluminum base plate structure, and the temperature difference power generation chip directly replaces the substrate, which not only simplifies the structure and the production process, reduces the material cost, but also can effectively improve the production efficiency. The thermoelectric power generation chip multi piece welded to each other, can be more efficient and excess heat generated by LED, in the heat and heat conversion to electrical energy feedback to the power supply or active cooling, drive or drive LED light radiating structure, improve the cooling effect.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体温差发电芯片一端表面设置有线路层,LED焊接在线路层上,在最外侧温差发电芯片的露出端焊接有散热装置进行散热,温差发电芯片利用LED热量产生的温差发电的LED模组。
技术介绍
发光二极管(LED)作为新型的半导体发光器件,在以电致光的工作过程中,只有较少部分的能量转化为电能,其他大部分电能转化为了热能。如果这些热能不能有效的从LED芯片上传导并散热,将会造成LED的光衰减和色飘等问题,甚至是不可逆的损坏。因此,在LED光源的应用中,必须考虑如何快速将LED光源产生的热量导出,通过散热装置进行散热,保证LED在多种工作环境下工作状态的稳定性。在LED热量进行散发时,从热能利用的角度,考虑对其进行回收利用,尤其是利用半导体温差发电片装置,通过半导体热电器件把热能转换为电能的电源装置,它根据赛贝克效应原理,采用独特的薄膜技术加工制造而成,通过与LED产生的热源接触来产生温差发电,从而进行热能的回收再使用。在现有技术中,已公开有采用热管、半导体制冷片、或同时采用制冷片和热管结合等多种散热的技术方案。例如,在公告号为CN102810620A的一种以半导体制冷片为支架封装的LED,其特征在于包括半导体制冷片支架和封装于半导体制冷支架冷端外表面的LED芯片,所述半导体制冷支架冷端为导热绝缘板并且其外表面印制有用于电连接于LED芯片形成接线端子的印刷电路。上述专利中,将LED芯片固定在制冷片的冷端,是LED封装领域的人员通过基板材料的替换可以想到并实施应用的技术手段。虽然该方案能够有效保证LED芯片处于正常工作温度,但没有散热结构的设计,如果单纯通过制 ...
【技术保护点】
焊接有半导体温差发电芯片的LED模组,包括有LED、半导体温差发电芯片,其特征在于,所述温差发电芯片的一端表面设置有线路层,LED焊接在所述的线路层,最外侧温差发电芯片的外露端设置有金属层,在金属层上焊接有散热装置。
【技术特征摘要】
1.焊接有半导体温差发电芯片的LED模组,包括有LED、半导体温差发电芯片,其特征在于,所述温差发电芯片的一端表面设置有线路层,LED焊接在所述的线路层,最外侧温差发电芯片的外露端设置有金属层,在金属层上焊接有散热装置。2.根据权利要求1所述焊接有半导体温差发电芯片的LED模组,其特征在于,所述线路层直接制作在温差发电芯片的一端。3.根据权利要求1所述焊接有半导体温差发电芯片的LED模组,其特征在于,所述半导体温差发电芯片的表面制作有金属层。4.根据权利要求2所述焊接有半导体温差发电芯片的LED模组,其特征在于,所述的线路层...
【专利技术属性】
技术研发人员:诸建平,
申请(专利权)人:浙江聚珖科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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