子块垃圾收集制造技术

系统、方法和/或装置被用于使能储存装置中的储存介质的单独可擦除的块的子块的垃圾收集。在一个方面中，方法包括根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数，并且根据所述储存介质中的擦除块的第二子块的一个或多个操作条件确定第二触发参数。根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，第一子块的垃圾收集被使能。此外，根据所述第二触发参数满足第二易损度基准的确定，第二子块的垃圾收集被使能。

Garbage collection

Systems, methods, and / or devices are used for garbage collection of a single erasable block of a storage medium in a storage device. In one aspect, the first parameter is determined according to the triggering method comprises one or more operating conditions in the first sub block erase block in the medium of the storage, and according to the determined second trigger parameters of one or more operating conditions in the medium erase blocks second sub blocks of the storage. According to the first trigger parameter, a first vulnerability criterion is satisfied. In addition, according to the second trigger parameter, the garbage collection of the second sub block can be satisfied by the determination of the second vulnerability datum.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
公开的实施例一般地涉及非易失性数据储存系统，并且具体地涉及使能非易失性数据储存装置中的擦除块的子块的垃圾收集。
技术介绍
半导体存储器装置——包括闪速存储器——通常利用存储器单元来将数据贮存为电的值，诸如电荷或电压。闪速存储器单元、例如包括具有浮置栅极的单个晶体管，该浮置栅极被用于储存数据值的电荷表示。闪速存储器是可以电擦除并且重新编程的非易失性数据储存装置。非易失性存储器与需要电源来维持储存的信息的易失性存储器相反，该非易失性存储器在即使未通电时保留储存的信息。已经以各种方式促进储存密度的增加，包括增加由制造开发使能的芯片上的存储器单元的密度，并且从单级(level)闪速存储器单元向多级闪速存储器单元转变，使得两个或多个位可以由每个闪速存储器单元储存。垃圾收集是回收存储器不在包含有效数据的部分的存储器管理的过程。使用闪速存储器作为示例，数据被写入到被称为页的闪速存储器的单元中，其中页由多个存储器单元构成。但是，闪速存储器以被称为块的更大的单元擦除，其中该块由多个页构成。如果第一块的一些页包含无效数据，那些页不能被覆盖直到包含那些页的整个块被擦除。垃圾收集的过程从第一块将具有有效数据的页读取并且重新写入到第二块并且然后擦除第一块。在垃圾收集之后，第二块包含具有有效数据的页以及可用于写入新的数据的空闲的页。由于垃圾收集涉及将有效数据从一块写入到另一块，其导致“写入放大”，其是写入到基于闪速的储存系统中的闪速存储器的总字节(或者数据的任何其它单元)与由(一个或多个)主机系统写入到基于闪速的储存系统的总字节的比率。通过改善的垃圾收集减少写入放大，改善基于闪速的储存系统的寿命和性能。
技术实现思路
在所附权利要求的范围中的系统、方法和装置的各种实现方式的每一个具有几个方面，没有其单独的一个为这里所述的属性负全部的责任。在不限制所附权利要求的范围的情况下，在考虑本公开之后，并且特别是在考虑名称为“具体实施方式”的章节之后，人们将理解各种实施方式的方面将如何被用于使能储存装置中的储存介质的子块的垃圾收集。在一个方面中，触发参数(例如，读取干扰计数)和易损度基准(例如，读取干扰阈值)被用在垃圾收集方案中。附图说明使得本公开可以被更加详细地理解，可以通过参考各种实现方式的特征而获得具体的说明，其中的一些在附图中示出。但是，附图仅示出本公开的更加显著的特征并且因此不应被认为是限制性的，因为该说明可能具有其他有效特征。图1是示出根据一些实施例的数据储存系统的实现方式的框图。图2是示出根据一些实施例的示例管理模块的框图。图3是根据一些实施例的用于子块的垃圾收集的视觉表示。图4A是根据一些实施例的三维(3D)存储器装置的列的示意图。图4B是根据一些实施例的图4A中的列的一部分的示意图。图5是根据一些实施例的3D存储器装置的块的示意图。图6是根据一些实施例的3D存储器装置的示意图。图7是根据一些实施例的NAND闪速配置中的3D存储器装置的示意图。图8A-8C示出了根据一些实施例的用于储存系统中的储存介质的垃圾收集的方法的流程图表示。图9示出了根据一些实施例的用于储存系统中的储存介质的垃圾收集的方法的流程图表示。根据惯例附图中示出的各种特征可能未按比例绘制。相应地，为了清晰，各种特性的大小可以任意地扩大或减小。此外，一些附图可能没有绘制给定系统、方法或装置的所有组件。最后，贯穿说明书和附图，相似的参考标号可以被用于表示相似的特性。具体实施方式这里所述的各种实现方式包括用于使能储存装置中的储存介质的子块的垃圾收集的系统、方法和/或装置。一些实现方式包括用于利用垃圾收集方案中的触发参数和易损度基准的系统、方法和/或装置。更具体地，一些实现方式包括用于储存系统中的储存介质的垃圾收集的方法。在一些实现方式中，方法包括根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数以及根据所述储存介质中的擦除块的第二子块的一个或多个操作条件确定第二触发参数。根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，所述第一子块的垃圾收集被使能，并且根据所述第二触发参数满足第二易损度基准的确定，第二子块的垃圾收集被使能。触发参数的示例，根据擦除块的子块的一个或多个操作条件确定的是用于子块的读取干扰计数或读取操作计数。更具体地，一个或多个操作条件是在子块中的数据上进行的读取操作，并且可能地在一个或多个邻近子块中或者在一个或多个邻近子块的字线中，并且触发参数是那些操作的计数。可选地，计数是对应于子块的储存介质的区域中的读取操作的“直接的”、未加权的计数。在一些其它实现方式中，但是，计数是加权的计数，其中一些地址中的读取操作(例如，在以预定数量的中间的字线从子块间隔开的字线中)具有比在其它地址(例如，在子块中)中的读取操作更低的计数权重。在一些实施例中，储存装置包括一个或多个闪速存储器装置。在一些实施例中，储存装置包括一个或多个三维(3D)存储器装置和与一个或多个3D存储器装置中的存储器元件的操作相关联的电路。此外，在一些实现方式中，一个或多个3D存储器装置的各个3D存储器装置中的电路和一个或多个存储器元件在相同的基板上(例如，半导体基板)。在一些实施例中，第一子块是所述擦除块的一部分并且第二子块是所述擦除块的另一部分。在一些实施例中，根据所述第一子块的一个或多个特征确定第一易损度基准。在一些实现方式中，储存装置根据所述擦除块或者包括所述擦除块的存储器部分满足预定的年龄基准的确定以及第一触发参数满足第一易损度基准的确定使能所述第一子块的垃圾收集。在一些实施例中，垃圾收集包括在所述储存介质中从第一子块写入到第二擦除块，其中第二擦除块不同于擦除块，并且无效化在擦除块中的第一子块(即，当第一子块被垃圾收集时，无效化保留在第一子块中的任何有效数据)。在一些实施例中，储存装置使能用于包括第一子块的校验条带(paritystripe)的垃圾收集，其中所述校验条带包括在所述储存介质中的多个擦除块之上的多个子块。在一些实施例中，所述第二易损度基准根据所述第二子块的一个或多个特征而确定。在一些实现方式中，第一易损度基准不同于第二易损度基准。在一些情况中，所述第一子块的垃圾收集在所述第二子块的垃圾收集之前进行。在另一方面中，方法包括根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数。根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，所述第一子块的垃圾收集被使能。此外，方法包括确定擦除块是否满足预定的垃圾收集调度基准。根据擦除块满足所述垃圾收集调度基准的确定，擦除块的垃圾收集被使能。在一些实施例中，储存装置包括一个或多个闪速存储器装置。在一些实施例中，储存装置包括一个或多个三维(3D)存储器装置和与所述一个或多个3D存储器装置中的存储器元件的操作相关联的电路。此外，在一些实现方式中，一个或多个3D存储器装置的各个3D存储器装置中的电路和一个或多个存储器元件在相同的基板上(例如，半导体基板)。在一些实施例中，垃圾收集包括在所述储存介质中从第一子块写入到第二擦除块，其中第二擦除块不同于该擦除块，并且无效化擦除块中的第一子块。在又一方面中，储存装置包括一个或多个处理器和存储器，储存将由所述一个或多个处理器执行的一个或多个程序。一个或多个程序包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于储存装置中的储存介质的垃圾收集的方法，所述方法包含：根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数；根据所述储存介质中的擦除块的第二子块的一个或多个操作条件确定第二触发参数；根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，使能所述第一子块的垃圾收集；并且根据所述第二触发参数满足第二易损度基准的确定，使能所述第二子块的垃圾收集，其中所述第一易损度基准不同于所述第二易损度基准，并且其中所述第一擦除块的特定子块的垃圾收集包括：将有效数据的副本从所述特定子块写入到所述储存介质中的第二擦除块，其中所述第二擦除块不同于所述第一擦除块；并且无效化所述第一擦除块中的特定子块。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.19 US 62/014,461;2014.06.20 US 14/311,1521.一种用于储存装置中的储存介质的垃圾收集的方法，所述方法包含：根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数；根据所述储存介质中的擦除块的第二子块的一个或多个操作条件确定第二触发参数；根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，使能所述第一子块的垃圾收集；并且根据所述第二触发参数满足第二易损度基准的确定，使能所述第二子块的垃圾收集，其中所述第一易损度基准不同于所述第二易损度基准，并且其中所述第一擦除块的特定子块的垃圾收集包括：将有效数据的副本从所述特定子块写入到所述储存介质中的第二擦除块，其中所述第二擦除块不同于所述第一擦除块；并且无效化所述第一擦除块中的特定子块。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一子块是所述第一擦除块的一部分，并且所述第二子块是所述第一擦除块的另一部分。3.如权利要求1-2的任一个所述的方法，其中所述第一易损度基准根据所述第一子块的一个或多个特征而确定，并且所述第二易损度基准根据所述第二子块的一个或多个特征而确定。4.如权利要求1-3的任一个所述的方法，其中所述第一子块的垃圾收集在所述第二子块的垃圾收集之前进行。5.如权利要求1-4的任一个所述的方法，还包括：根据所述第一触发参数满足所述第一易损度基准的确定，使能用于包括所述第一子块的校验条带的垃圾收集，其中所述校验条带包括在所述储存介质中的多个擦除块之上的多个子块。6.如权利要求1-5的任一个所述的方法，还包括根据所述第一触发参数满足所述第一易损度基准的确定和第一擦除块或包括所述第一擦除块的存储器部分满足预定的年龄基准的确定来使能所述第一子块的垃圾收集。7.一种用于储存装置中的储存介质的垃圾收集的方法，所述方法包含：根据所述储存介质中的第一擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数；根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定，使能所述第一子块的垃圾收集；在使能所述第一子块的垃圾收集之后，确定所述第一擦除块是否满足预定的垃圾收集调度基准；以及根据所述第一擦除块满足所述垃圾收集调度基准的确定，使能所述第一擦除块的子块垃圾收集。8.如权利要求1或权利要求7所述的方法，其中所述第一子块的垃圾收集包括：将有效数据的副本从所述第一子块写入到所述储存介质中的第二擦除块其中所述第二擦除块不同于所述第一擦除块；以及无效化所述第一擦除块中的第一子块。9.如权利要求1-8的任一个所述的方法，其中所述储存装置包括一个或多个闪速存储器装置。10.如权利要求1-9的任一个所述的方法，其中所述储存装置包括一个或多个三维(3D)存储器装置和与所述一个或多个3D存储器装置中的存储器元件的操作相关联的电路。11.如权利要求10所述的方法，其中所述一个或多个3D存储器装置的各个3D存储器装置中的电路和一个或多个存储器元件在相同的基板上。12.一种储存装置，包含：储存介质；一个或多个处理器；以及存储器，储存将由所述一个或多个处理器执行的一个或多个程序，所述一个或多个程序包含指令以用于：根据所述储存介质中的擦除块的第一子块的一个或多个操作条件确定第一触发参数；根据所述储存介质中的擦除块的第二子块的一个或多个操作条件确定第二触发参数；根据所述第一触发参数满足第一易损度基准的确定、使能所述第一子块的垃圾收集；以及根据所述第二触发参数满足第二易损度基准的确定，使能所述第二子块的...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM希金斯，J菲茨帕特里克，M丹乔，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US