制备吡唑的方法技术

技术编号:15195296 阅读:145 留言:0更新日期:2017-04-21 00:39
本发明专利技术涉及一种用于制备式V的吡唑化合物的方法,所述方法包括使式IV的腙取代的α,β‑不饱和羰基化合物通过使其与合适的试剂如还原剂、有机金属试剂或亲核试剂反应而环化。式V化合物是用于制备吡唑衍生的精细化学品的通用反应工具。本发明专利技术还涉及式Va、Vb、Vc和VI的吡唑化合物。

Process for the preparation of pyrazole

The invention relates to a method for preparing pyrazole compounds of formula V, wherein the method comprises the IV hydrazone substituted alpha, beta unsaturated carbonyl compounds by with the appropriate reagents such as reducing agent, organic metallic reagent or nucleophilic cyclization reaction. Compounds of formula V are general reaction tools for the preparation of pyrazole derived fine chemicals. The invention also relates to pyrazole compounds of formula Va, Vb, Vc and VI.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及根据以下反应顺序制备吡唑化合物的方法:特别地,本专利技术涉及制备式V的吡唑化合物的方法,其包括使式IV的腙取代的α,β-不饱和羰基化合物通过使其与合适的试剂如还原剂、有机金属试剂或亲核试剂反应而环化(步骤(c))。该方法可以进一步包括通过使在β-位上包含离去基团的式III的α,β-不饱和羰基化合物与式II的腙化合物反应而制备式IV的腙取代的α,β-不饱和羰基化合物(步骤(b)),以及通过使式I的羰基化合物与肼反应而制备所述式II的腙化合物(步骤(a))。本专利技术方法可以进一步包括根据以下反应顺序使某些4-取代的吡唑化合物转化成经活化的4-吡唑甲酸衍生物的步骤:特别地,本专利技术方法可以任选地进一步包括使在4位上包含酯基的式Va的吡唑化合物或在4-位上包含氰基的式Vb的吡唑化合物转化成式Vc的4-吡唑甲酸化合物(步骤(d))。此外,该方法可以进一步包括使式Vc的4-吡唑甲酸化合物转化成式VI的经活化的4-吡唑甲酸衍生物(步骤(e))。本专利技术方法还可以进一步包括根据以下反应使经活化的4-吡唑甲酸衍生物转化成已知作为农药活性化合物的4-吡唑N-(杂)芳基酰胺化合物的步骤:特别地,该方法还可以进一步包括使式VI的经活化的4-吡唑甲酸衍生物与合适的式VII的N-(杂)芳基胺化合物反应以得到式VIII的4-吡唑N-(杂)芳基酰胺化合物的步骤(步骤(f))。本专利技术还涉及新型式Va、Vb、Vc和VI的吡唑化合物。吡唑化合物,特别是4-吡唑羧酸衍生物如酯、腈、酸和经活化的酸衍生物是用于制备吡唑衍生的精细化学品的通用中间体化合物,例如药物或农业化学领域中的化合物。特别地,该化合物是用于制备吡唑衍生的农药如4-吡唑N-(杂)芳基酰胺化合物的通用中间体化合物,已知其对于防治无脊椎动物害虫特别有用(参见WO2009/027393、WO2010/034737、WO2010/034738和WO2010/112177)。特别令人感兴趣的是吡唑化合物和4-吡唑羧酸衍生物,其在一个氮原子处被取代并任选地也在3-和/或5-位上被取代,因为包括上述4-吡唑酰胺化合物的吡唑衍生的农药通常包含相应被取代的吡唑结构部分。鉴于上面情况,需要一种制备N-取代的吡唑化合物并任选进一步将其转化成吡唑衍生的农药的方法。如果取代基存在于吡唑环的3-和/或5-位上,特别是如果取代基存在于3-位上而不在5-位上,如果取代基存在于5-位上而不在3-位上,或者如果不同的取代基存在于3-和5-位上,则伴随制备N-取代的吡唑化合物的一个特殊问题是区域选择性。因此,特别需要一种用于区域选择性地制备N-取代的吡唑化合物的方法,所述化合物在吡唑环的3-或5-位上具有取代基或在吡唑环的3-和5-位上具有不同的取代基。鉴于作为农药的4-吡唑N-(杂)芳基酰胺化合物的制备,这种方法应特别适合于区域选择性地获得N-取代的4-吡唑羧酸衍生物,其在吡唑环的3-或5-位上具有取代基或者在3-和5-位上具有不同取代基。应注意,N-取代的吡唑化合物的原子编号通常如下。取代基的位置由相同的数字表示。氮原子上的取代基通常称为N-取代基而不是1-位上的取代基,但是这也是合适的。2-位,即N-取代的吡唑化合物的第二个氮原子通常未被取代。相反,3-、4-和5-位可以各自被取代。主要有两种已知用于制备3-和/或5-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物的方法。首先,这种N-取代的4-吡唑羧酸衍生物可以通过使α,β-不饱和羰基化合物如在β-位上包含离去基团的α,β-不饱和酮与在两个氮原子中的一个上具有取代基的肼衍生物反应而制备。鉴于取代的肼衍生物包含两个通常在其亲核反应性方面非常相似的氨基的事实,通常获得所需N-取代的吡唑化合物的两个区域异构体,因为肼衍生物的被取代的氮原子或者未被取代的氮原子可以反应。其中取代的肼衍生物以盐的形式使用的反应已经描述于例如JP2007/326784、WO2010/142628和WO2012/019015中,并且其中使用单保护的取代肼衍生物的反应已经描述于WO2012/019015中。然而,不能解决在所得N-取代的4-吡唑羧酸衍生物的3-/5-取代模式方面的区域选择性问题。其次,3-和/或5-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物可以通过使α,β-不饱和羰基化合物,例如在β-位上包含离去基团的α,β-不饱和酮与肼反应,然后将所得的吡唑衍生物N-烷基化而制备。由于作为中间体获得的吡唑化合物的互变异构,通常在烷基化时获得所需的N-取代的吡唑化合物的两种区域异构体。这样的反应序列例如已经描述于Heterocycles2000,2775,LiebigsAnalendeRchemie1985,794或JournalofHeterocyclicChemistry1985,1109中。用于区域选择性地制备被3-取代或被不同取代基3-和5-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物的方法由Glorius等在Angew.Chem.Int.Ed.2010,7790和GreenChem.2012,14,2193中出版。所述方法通过在化学计量量或催化量的铜存在下使烯胺化合物与过量的合适腈化合物反应而进行。尽管该方法区域选择性地提供了被3-取代或被不同取代基3-和5-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物,但该方法的缺点在于包括作为重金属的铜,并且必须使用过量的至少三当量的腈化合物,使得该方法不是环境友好的且不经济的。此外,该方法没有描述HCN作为腈化合物,最可能是因为HCN将在反应条件下聚合,使得不会发生根据上述反应方案的烯胺化合物的环化反应。因此,5-取代的而非3-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物显然不能根据Glorius等描述的方法获得。鉴于上面情况,本专利技术的目的是提供一种用于制备N-取代的吡唑化合物和任选进一步将其转化为吡唑衍生的农药的方法。特别地,本专利技术的目的是提供一种用于制备在3-和/或5-位上和/或在4-位上被取代的N-取代的吡唑化合物的方法,其中这些取代基可以相同或不同,优选不同。本专利技术的另一目的是提供一种用于区域选择性地制备3-和/或5-取代的N-取代的吡唑化合物的方法。特别地,本专利技术的目的是提供区域选择性地得到各种3-取代、5-取代或被不同取代基3-和5-取代,优选5-取代而非3-取代的N-取代的吡唑化合物的方法。本专利技术的又一目的是提供一种用于区域选择性地制备3-和/或5-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物如酯或腈的方法。特别地,其目的是提供区域选择性地得到各种3-取代、5-取代或被不同取代基3-和5-取代,优选5-取代而非3-取代的N-取代的4-吡唑羧酸衍生物的方法。连同上述目的,再一目的是提供一种方法,其可以由易可容易且廉价得到的原料进行。此外,连同上述目的,目的是提供一种方法,其在收率和彼此反应的反应物的量方面是经济的。此外,连同上述目的,目的是提供一种适合于工业规模的方法。本专利技术的又一目的是提供一种方法,其还允许提供游离N-取代的4-吡唑羧酸及其经活化的衍生物,其中所述化合物优选为3-和/或5-取代的,例如3-取代的、5-取代的或被不同取代基3-和5-取代的,特别优选5-取代而非3-取代的。本专利技术的又一目的是提供一种方法,其还允许提供N-取代本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备式V的吡唑化合物或其盐、立体异构体、互变异构体或N‑氧化物的方法所述方法包括以下步骤:使式IV的腙取代的α,β‑不饱和羰基化合物通过使其与包含R6基团的试剂反应而环化,其中R1选自H、卤素、CN、NO2、C1‑C10烷基、C2‑C10链烯基、C2‑C10炔基,其中C原子未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、C(Y)ORc、S(O)mRd、S(O)mY1Rd、NReRf、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3‑C10环烷基、C3‑C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;R2选自H、C1‑C10烷基、C2‑C10链烯基、C2‑C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;C(Y)ORc、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3‑C10环烷基、C3‑C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;并且R3选自H、卤素、CN、NO2、C1‑C10烷基、C2‑C10链烯基、C2‑C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、C(Y)ORc、S(O)mRd、S(O)mY1Rd、NReRf、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3‑C10环烷基、C3‑C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;并且其中R4和R5彼此独立地选自H、NO2、C1‑C10烷基、C2‑C10链烯基、C2‑C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;C1‑C10卤代烷基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C10烷基,其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被相同或不同的取代基Ry取代;C(Y)ORc、C(Y)NRgRh、C(Y)NRiNReRf、C1‑C5亚烷基‑ORa、C1‑C5亚烷基‑CN、C1‑C5亚烷基‑C(Y)ORc、C1‑C5亚烷基‑NReRf、C1‑C5亚烷基‑C(Y)NRgRh、C1‑C5亚烷基‑S(O)mRd、C1‑C5亚烷基‑S(O)mNReRf、C1‑C5亚烷基‑NRiNReRf,杂环基、C3‑C10环烷基、C3‑C10环烯基、杂芳基、芳基、杂环基‑C1‑C5烷基、C3‑C10环烷基‑C1‑C5烷基、C3‑C10环烯基‑C1‑C5烷基、杂芳基‑C1‑C5烷基、芳基‑C1‑C5烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个相同或不同的取代基Ry取代;基团D‑E,其中D是直接键、C1‑C6亚烷基、C2‑C6亚烯基或C2‑C6亚炔基,其碳链可以部分或完全地被Rn取代,并且E是非芳族的3‑12元碳环或杂环,其可以包含1、2、3或4个选自N‑Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,所述碳环或杂环可以部分或完全地被Rn取代;以及基团A‑SOm‑G,其中A是C1‑C6亚烷基、C2‑C6亚烯基和C2‑C6亚炔基,其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被Rp取代,并且G是C1‑C4卤代烷基或可被卤化的C3‑C6环烷基;或者R4和R5与它们所连接的碳原子一起形成3‑12元非芳族碳环或杂环,所述杂环可以包含1、2、3、4或5个选自N‑Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,并且所述碳环或杂环可以部分或完全地被Rj取代;并且其中R6选自H、CN、C1‑C6氟烷基、C1‑C6烷基、C2‑C6链烯基、C2‑C6炔基、C3‑C6环烷基、C3‑C6环烷基‑C1‑C2烷基、C3‑C6环烯基、C3‑C6环烯基‑C1‑C2烷基、杂环基、杂环基‑C1‑C2烷基、芳基、芳基‑C1‑C2烷基、杂芳基、杂芳基‑C1‑C2烷基,其中碳链或环状结构部分可以未被取代,部分或完全地被相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、NReRf,和通式(i)的基团并且其中Ra、Rb彼此独立地选自H、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C6环烷基、C3‑C6环烷基甲基、C3‑C6卤代环烷基、C3‑C6环烯基、C3‑C6环烯基甲基、C3‑C6卤代环烯基、C2‑C4链烯基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4炔基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、杂环基、杂环基‑C1‑C4烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C1‑C4烷基和杂芳基‑C1‑C4烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基和C1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.31 EP 14179249.91.一种用于制备式V的吡唑化合物或其盐、立体异构体、互变异构体或N-氧化物的方法所述方法包括以下步骤:使式IV的腙取代的α,β-不饱和羰基化合物通过使其与包含R6基团的试剂反应而环化,其中R1选自H、卤素、CN、NO2、C1-C10烷基、C2-C10链烯基、C2-C10炔基,其中C原子未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、C(Y)ORc、S(O)mRd、S(O)mY1Rd、NReRf、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;R2选自H、C1-C10烷基、C2-C10链烯基、C2-C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;C(Y)ORc、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;并且R3选自H、卤素、CN、NO2、C1-C10烷基、C2-C10链烯基、C2-C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、C(Y)ORc、S(O)mRd、S(O)mY1Rd、NReRf、C(Y)NRgRh、杂环基、杂芳基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基和芳基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团Ry和Rx的相同或不同的取代基取代;并且其中R4和R5彼此独立地选自H、NO2、C1-C10烷基、C2-C10链烯基、C2-C10炔基,其中C原子可以未被取代,可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基Rx取代;C1-C10卤代烷基、C1-C4烷氧基-C1-C10烷基,其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被相同或不同的取代基Ry取代;C(Y)ORc、C(Y)NRgRh、C(Y)NRiNReRf、C1-C5亚烷基-ORa、C1-C5亚烷基-CN、C1-C5亚烷基-C(Y)ORc、C1-C5亚烷基-NReRf、C1-C5亚烷基-C(Y)NRgRh、C1-C5亚烷基-S(O)mRd、C1-C5亚烷基-S(O)mNReRf、C1-C5亚烷基-NRiNReRf,杂环基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基、杂芳基、芳基、杂环基-C1-C5烷基、C3-C10环烷基-C1-C5烷基、C3-C10环烯基-C1-C5烷基、杂芳基-C1-C5烷基、芳基-C1-C5烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个相同或不同的取代基Ry取代;基团D-E,其中D是直接键、C1-C6亚烷基、C2-C6亚烯基或C2-C6亚炔基,其碳链可以部分或完全地被Rn取代,并且E是非芳族的3-12元碳环或杂环,其可以包含1、2、3或4个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,所述碳环或杂环可以部分或完全地被Rn取代;以及基团A-SOm-G,其中A是C1-C6亚烷基、C2-C6亚烯基和C2-C6亚炔基,其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被Rp取代,并且G是C1-C4卤代烷基或可被卤化的C3-C6环烷基;或者R4和R5与它们所连接的碳原子一起形成3-12元非芳族碳环或杂环,所述杂环可以包含1、2、3、4或5个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,并且所述碳环或杂环可以部分或完全地被Rj取代;并且其中R6选自H、CN、C1-C6氟烷基、C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C3-C6环烷基、C3-C6环烷基-C1-C2烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基-C1-C2烷基、杂环基、杂环基-C1-C2烷基、芳基、芳基-C1-C2烷基、杂芳基、杂芳基-C1-C2烷基,其中碳链或环状结构部分可以未被取代,部分或完全地被相同或不同的取代基Rx取代;ORa、SRa、NReRf,和通式(i)的基团并且其中Ra、Rb彼此独立地选自H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6环烷基甲基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、芳基、杂芳基、芳基-C1-C4烷基和杂芳基-C1-C4烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;Rc选自H、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C3-C10环烷基、C3-C10环烷基甲基、C3-C10卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C10链烯基、C2-C10卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、芳基、杂芳基、芳基-C1-C4烷基和杂芳基-C1-C4烷基,其中在后提到的6个基团中的环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;或者Rc与C(Y)O基团一起形成盐[C(Y)O]-NR4+、[C(Y)O]-Ma+或[C(Y)O]-1/2Mea2+,其中Ma是碱金属,Mea是碱土金属,并且其中在氮原子上的取代基R彼此独立地选自H、C1-C10烷基、苯基和苯基-C1-C4烷基;Rd选自C1-C4烷氧基、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6环烷基甲基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、芳基、杂芳基、芳基-C1-C4烷基和杂芳基-C1-C4烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;Re、Rf彼此独立地选自H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6环烷基甲基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷基羰基、C1-C4卤代烷基羰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4卤代烷基磺酰基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、杂环基羰基、杂环基-C1-C4磺酰基、芳基、芳基羰基、芳基磺酰基、杂芳基、杂芳基羰基、杂芳基磺酰基、芳基-C1-C4烷基和杂芳基-C1-C4烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;或者Re和Rf与它们所键合的N原子一起形成5或6元饱和或不饱和的杂环,其可以被选自O、S和N的另外的杂原子作为环成员原子取代,并且其中所述杂环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;Rg、Rh彼此独立地选自H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6卤代环烯基、C2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、芳基、杂芳基、芳基-C1-C4烷基和杂芳基-C1-C4烷基,其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;Ri选自H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6环烷基甲基、C3-C6卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、芳基和芳基-C1-C4烷基,其中芳基环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基的取代基取代;Rj是卤素,OH,CN,C(O)NH2,NO2,C1-C10烷基,C1-C10卤代烷基,C1-C10烷氧基,C1-C10卤代烷氧基,苄氧基,S(O)mRk,C3-C6环烷基,或3-6元杂环,其可以包含1或2个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,所述Rj基团未被取代或者部分或完全地被Rm取代,并且其中两个连接到相同或相邻环原子的基团Rj可以一起形成3-6元碳环或杂环,所述杂环可以包含1或2个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,所述环可以部分或完全地被Rm基团取代;Rk是H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基或C3-C6环烷基,所述环可以部分或完全地被Rl取代;Rl是H、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷基羰基或C1-C4烷氧基羰基;Rm是卤素、OH、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基或S(O)mRk;Rn是卤素、CN、C(Y)ORc、C(O)NH2、NO2、C1-C2烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C3-C6环烷基、C3-C6环烯基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C1-C4亚烷基或S(O)mRo,两个相邻基团Rn可以与它们所键合的原子一起形成3-8元碳环或杂环,其可以包含1、2、3或4个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可以被氧化,所述Rn环状结构部分可以被卤素、Ro或Rl取代;Ro是H、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C1-C4烷氧基;Rp是卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C2烷基、C1-C2卤代烷基、C3-C6环烷基、C1-C4烷氧基或C1-C2卤代烷氧基,或者两个基团Rp可以一起形成3-6元碳环或杂环,所述杂环包含1或2个选自N-Rl、O和S的杂原子,其中S可被氧化,所述碳环或杂环未被取代或者部分或完全地被基团Rq取代;Rq是卤素、CN、C(O)NH2、NO2、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基;Rr和Rs彼此独立地选自Rb、ORc1和NRgRh;Rc1是C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C3-C10环烷基、C3-C10环烷基甲基、C3-C10卤代环烷基、C3-C6环烯基、C3-C6环烯基甲基、C3-C6卤代环烯基、C2-C10链烯基、C2-C10卤代链烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、杂环基、杂环基-C1-C4烷基、芳基、杂芳基、芳基-C1-C4烷基或杂芳基-C1-C4烷基,其中在后提到的6个基团中的环可以未被取代或者可以被1...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·戈科尔D·赛林格S·索格尔M·拉克
申请(专利权)人:巴斯夫欧洲公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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