有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法技术

FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板在转接区域内具备多个转接单元，以将共用电极、第1共用干配线(31)以及第2共用干配线(32)电连接。转接单元包含：接触孔(41)，其将与共用电极形成为一体的转接电极(37)和第1共用干配线(31)连接；以及接触孔(42)，其将转接电极(37)和第2共用干配线(32)连接。第2共用干配线(32)的非晶Si膜(122)在接触孔(41)的位置形成得比第2共用干配线(32)的主导体部(131)大，由作为保护绝缘膜的SiNx膜(151、152)覆盖。由此，防止转接电极在共用干配线的图案端部断开。

Active matrix substrate, liquid crystal panel and manufacturing method of active matrix substrate

The active matrix substrate of the liquid crystal panel of the FFS mode is provided with a plurality of switching units in the transfer area, so as to electrically connect the common electrode, the first common dry wiring (31) and the common dry wiring (32). The transfer unit includes a contact hole (41), it will form a whole transfer electrode and the common electrode (37) and first common stem wiring (31) connected; and a contact hole (42), it will transfer the electrode (37) and second common stem wiring (32) connection. An amorphous Si film (122) having a common dry wiring (32) formed at a position of the contact hole (41) is larger than the main conductor portion (131) of the common dry wiring (32), which is covered by the SiNx film (151, 152), which serves as an insulating film (). Thus, the switching electrode is prevented from being disconnected from the pattern end of the common dry wiring.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置，特别是涉及具有共用电极的有源矩阵基板、具备该有源矩阵基板的液晶面板以及具有共用电极的有源矩阵基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示装置作为薄型、轻量、低功耗的显示装置已得到广泛利用。液晶显示装置所包含的液晶面板具有将有源矩阵基板和相对基板贴合且在2个基板之间设置有液晶层的结构。在有源矩阵基板上形成有多个栅极线、多个数据线以及包含薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下称为TFT)和像素电极的多个像素电路。作为对液晶面板的液晶层施加电场的方式，已知纵电场方式和横电场方式。在纵电场方式的液晶面板中，使用像素电极和形成于相对基板的共用电极对液晶层施加大致纵向的电场。在横电场方式的液晶面板中，共用电极与像素电极一起形成于有源矩阵基板，使用像素电极和共用电极对液晶层施加大致横向的电场。横电场方式的液晶面板与纵电场方式的液晶面板相比具有视野角较大的优点。作为横电场方式，已知IPS(In-PlaneSwitching：面内开关)模式和FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式。在IPS模式的液晶面板中，像素电极和共用电极分别形成为梳齿状，以在俯视时不重叠的方式配置。在FFS模式的液晶面板中，在共用电极和像素电极中的任意一方形成狭缝，像素电极和共用电极以隔着保护绝缘膜在俯视时重叠的方式配置。FFS模式的液晶面板与IPS模式的液晶面板相比具有开口率较高的优点。在FFS模式的液晶面板中，从外部输入应施加给共用电极的共用电极信号。为了将输入的共用电极信号施加给共用电极，在有源矩阵基板的显示区域的外周部分(称为边框区域)形成共用干配线。优选共用干配线具有形成在与栅极线相同的配线层的部分(以下，称为第1共用干配线)和形成在与数据线相同的配线层的部分(以下，称为第2共用干配线)。如果使用2种共用干配线，则通过在栅极线或数据线与共用干配线的交叉部，适当地选择共用干配线的配线层，能减小栅极线的转接次数、数据线的转接次数，降低栅极线和数据线的电阻。另外，通过选择电阻小的配线层，在所选择的配线层形成共用干配线，能降低共用干配线的电阻。在具有2种共用干配线的有源矩阵基板中，需要用于将形成于不同的配线层的共用干配线电连接的转接电路。例如，使用利用与共用电极形成为一体的转接电极将2种共用干配线电连接的转接电路。专利文献1中记载了在FFS模式的液晶面板中将共用电极和2种共用干配线电连接的转接电路的例子。FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板是使用5个或6个光掩模而制造的。专利文献2中记载有使用5个光掩模的有源矩阵基板的制造方法。在专利文献2记载的制造方法中，不使用半导体层用的光掩模，而使用源极层用的光掩模将半导体层图案化，使用像素电极层用的光掩模形成TFT的沟道区域。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开2013/77262号专利文献2：日本特开2010-191410号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在通过专利文献2记载的制造方法形成将共用电极和2种共用干配线连接的转接电路的情况下，转接电极在第2共用干配线的图案端部容易断开(参照后述的图10)。当发生这种断开时，在共用电极信号中产生钝化，产生串扰等显示不良。因此，本专利技术的目的在于提供防止转接电极在共用干配线的图案端部断开的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板。用于解决问题的方案本专利技术的第1方面是有源矩阵基板，其特征在于，具备：多个栅极线，其形成于第1配线层；多个数据线，其是形成于半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线；多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比形成于上层；共用电极，其形成在上述保护绝缘膜的上层；第1共用干配线，其形成于上述第1配线层，具有形成在转接区域内的部分；第2共用干配线，其是形成于上述半导体层、上述第2配线层以及上述像素电极层的层叠配线，具有形成在上述转接区域内的部分；转接电极，其在上述转接区域内与上述共用电极形成为一体；以及多个转接单元，其配置在上述转接区域内，各自包含第1接触孔和第2接触孔，上述第1接触孔将上述转接电极和上述第1共用干配线连接，上述第2接触孔将上述转接电极和上述第2共用干配线连接，上述第2共用干配线的形成于上述半导体层内的一部分层的部分在上述第1接触孔的位置形成得比上述第2共用干配线的形成于上述第2配线层的部分大，由上述保护绝缘膜覆盖。本专利技术的第2方面的特征在于，在本专利技术的第1方面中，在上述第1配线层和上述半导体层之间还具备栅极绝缘膜，上述栅极绝缘膜和上述保护绝缘膜在上述第1接触孔的位置以越往下层侧越大的方式分别形成为锥状。本专利技术的第3方面的特征在于，在本专利技术的第1方面中，上述第1接触孔和上述第2接触孔分开形成在上述转接单元内。本专利技术的第4方面的特征在于，在本专利技术的第3方面中，上述第1接触孔和上述第2接触孔中的至少一方的形状为长方形和长方形以外的多边形中的任意一种。本专利技术的第5方面的特征在于，在本专利技术的第3方面中，上述第1接触孔和上述第2接触孔中的至少一方的形状为圆形和椭圆形中的任意一种。本专利技术的第6方面的特征在于，在本专利技术的第1方面中，上述第1接触孔和上述第2接触孔在上述转接单元内形成为一体。本专利技术的第7方面的特征在于，在本专利技术的第6方面中，形成为一体的接触孔的形状为长方形和长方形以外的多边形中的任意一种。本专利技术的第8方面的特征在于，在本专利技术的第6方面中，形成为一体的接触孔的形状为圆形和椭圆形中的任意一种。本专利技术的第9方面的特征在于，在本专利技术的第1方面中，上述转接单元在上述转接区域内形成空隙区域并且配置为2维状。本专利技术的第10方面是液晶面板，其特征在于，具备：有源矩阵基板；以及相对基板，其与上述有源矩阵基板相对地配置，上述有源矩阵基板包含：多个栅极线，其形成于第1配线层；多个数据线，其是形成于半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线；多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比形成于上层；共用电极，其形成在上述保护绝缘膜的上层；第1共用干配线，其形成于上述第1配线层，具有形成在转接区域内的部分；第2共用干配线，其是形成于上述半导体层、上述第2配线层以及上述像素电极层的层叠配线，具有形成在上述转接区域内的部分；转接电极，其在上述转接区域内与上述共用电极形成为一体；以及多个转接单元，其配置在上述转接区域内，各自包含第1接触孔和第2接触孔，上述第1接触孔将上述转接电极和上述第1共用干配线连接，上述第2接触孔将上述转接电极和上述第2共用干配线连接，上述第2共用干配线的形成于上述半导体层内的一部分层的部分在上述第1接触孔的位置形成得比上述第2共用干配线的形成于上述第2配线层的部分大，由上述保护绝缘膜覆盖，上述转接单元在上述转接区域内形成空隙区域并且配置为2维状，上述相对基板在与上述空隙区域相对的位置具有柱间隔物。本专利技术的第11方面是在转接区域内具有多个转接单元的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具备：在第1配线层形成多个栅极线和具有形成在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：多个栅极线，其形成于第1配线层；多个数据线，其是形成于半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线；多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比形成于上层；共用电极，其形成在上述保护绝缘膜的上层；第1共用干配线，其形成于上述第1配线层，具有形成在转接区域内的部分；第2共用干配线，其是形成于上述半导体层、上述第2配线层以及上述像素电极层的层叠配线，具有形成在上述转接区域内的部分；转接电极，其在上述转接区域内与上述共用电极形成为一体；以及多个转接单元，其配置在上述转接区域内，各自包含第1接触孔和第2接触孔，上述第1接触孔将上述转接电极和上述第1共用干配线连接，上述第2接触孔将上述转接电极和上述第2共用干配线连接，上述第2共用干配线的形成于上述半导体层内的一部分层的部分在上述第1接触孔的位置形成得比上述第2共用干配线的形成于上述第2配线层的部分大，由上述保护绝缘膜覆盖。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.07 JP 2014-1619421.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：多个栅极线，其形成于第1配线层；多个数据线，其是形成于半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线；多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比形成于上层；共用电极，其形成在上述保护绝缘膜的上层；第1共用干配线，其形成于上述第1配线层，具有形成在转接区域内的部分；第2共用干配线，其是形成于上述半导体层、上述第2配线层以及上述像素电极层的层叠配线，具有形成在上述转接区域内的部分；转接电极，其在上述转接区域内与上述共用电极形成为一体；以及多个转接单元，其配置在上述转接区域内，各自包含第1接触孔和第2接触孔，上述第1接触孔将上述转接电极和上述第1共用干配线连接，上述第2接触孔将上述转接电极和上述第2共用干配线连接，上述第2共用干配线的形成于上述半导体层内的一部分层的部分在上述第1接触孔的位置形成得比上述第2共用干配线的形成于上述第2配线层的部分大，由上述保护绝缘膜覆盖。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，在上述第1配线层和上述半导体层之间还具备栅极绝缘膜，上述栅极绝缘膜和上述保护绝缘膜在上述第1接触孔的位置以越往下层侧越大的方式分别形成为锥状。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1接触孔和上述第2接触孔分开形成在上述转接单元内。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1接触孔和上述第2接触孔中的至少一方的形状为长方形和长方形以外的多边形中的任意一种。5.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1接触孔和上述第2接触孔中的至少一方的形状为圆形和椭圆形中的任意一种。6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1接触孔和上述第2接触孔在上述转接单元内形成为一体。7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于，形成为一体的接触孔的形状为长方形和长方形以外的多边形中的任意一种。8.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于，形成为一体的接触孔的形状为圆形和椭圆形中的任意一种。9.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述转接单元在上述转接区域内形成空隙区域并且配置为2维状。10.一种液晶面板，其特征在于，具备：有源矩阵基板；以及相对基板，其与上述有源矩阵基板相对地配置，上述有源矩阵基板包含：多个栅极线，其形成于第1配线层；多个数据线，其是形成于半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线；多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上...

【专利技术属性】
技术研发人员：河村武彦，樽井哲弥，木本英伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP