A transmitter including a voltage mode driver and a current mode driver is provided. The current mode driver includes a plurality of cross conductors, which are biased by a high pass filter version of the differential output voltage from the voltage mode driver.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年9月4日提交的美国非临时申请No.14/477,143的优先权,其通过援引全部纳入于此。
本申请涉及发射机,尤其涉及具有高频信号峰化的宽带低功率发射机。背景现代微处理器对相对大的字进行操作。例如,对于一些微处理器而言处理64比特字是常规的。随着处理器时钟速率增加得越来越高,在宽比特总线上路由此类相对较宽比特字变得有问题。在高传输速度下,关于在宽比特总线中分开轨迹上传播的不可避免的偏斜可能导致不可接受的误比特率。此外,此类总线需要大量功率且设计起来是昂贵的。为了在没有与高速宽比特总线相关联的偏斜和失真问题的情况下实现数据字的高速传输,已经开发了串化器-解串器(SERDES)系统。SERDES发射机将数据字串行化为高速串行数据流。对应的SERDES接收机接收该高速串行数据流并且将其解串行化回并行数据字。串行传输通常是差分的并且包括嵌入式时钟。由此减轻了与高速宽比特数据总线相关联的偏斜和失真问题。尽管SERDES系统实现了甚高速数据传输(诸如10吉比特每秒或者甚至更高的速率),但是发射机与接收机之间的差分串行数据信道的传输特性在跨对应的5Ghz的奈奎斯特信道带宽上不是线性的。相反,该信道具有使数据的较高频率部分的振幅减小的频率相关响应。为了抵消所得到的失真,SERDES发射机包括放大器,该放大器具有跨信道带宽不是线性的、而是替代地增强所传送数据频谱的较高频带的频率响应。然而,这种增强会是有问题的,这是因为其需要过量的功率。但是用于减小发射机功耗的常规尝试限制了可实现的带宽。因此,本领域存在对能够补偿信道频率相关损耗的宽 ...
【技术保护点】
一种电路,包括:电压模式驱动器,其被配置成:驱动跨输出节点对的差分输出电压;电流模式驱动器,其被配置成:响应于所述差分输出电压的第一极性,在第一方向上驱动差分电流通过所述输出节点对,并且响应于所述差分输出电压的相反的第二极性,在相反的第二方向上驱动差分电流通过所述输出节点对,所述电流模式驱动器包括多个跨导体,所述多个跨导体用于响应于对应的偏置电压而生成所述差分电流;以及与所述多个跨导体相对应的多个高通滤波器,每个高通滤波器被配置成:响应于所述差分输出电压而生成用于对应跨导体的偏置电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.04 US 14/477,1431.一种电路,包括:电压模式驱动器,其被配置成:驱动跨输出节点对的差分输出电压;电流模式驱动器,其被配置成:响应于所述差分输出电压的第一极性,在第一方向上驱动差分电流通过所述输出节点对,并且响应于所述差分输出电压的相反的第二极性,在相反的第二方向上驱动差分电流通过所述输出节点对,所述电流模式驱动器包括多个跨导体,所述多个跨导体用于响应于对应的偏置电压而生成所述差分电流;以及与所述多个跨导体相对应的多个高通滤波器,每个高通滤波器被配置成:响应于所述差分输出电压而生成用于对应跨导体的偏置电压。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电流模式驱动器包括多个开关,所述多个开关被配置成:响应于所述差分输出电压而切换,以控制是在所述第一方向上还是在所述相反的第二方向上驱动所述差分电流。3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述多个开关包括:第一对交叉耦合的开关;以及第二对交叉耦合的开关。4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电压模式驱动器包括用于驱动所述输出节点中的正输出节点的正驱动器以及用于驱动所述输出节点中的负输出节点的负驱动器。5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述正驱动器包括多个可选择切片,以取决于多少可选择切片被选择而在所述正输出节点处提供经校准输出阻抗。6.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述负驱动器包括多个可选择切片,以取决于多少可选择切片被选择而在所述负输出节点处提供经校准输出阻抗。7.如权利要求1所述的电路,其特征在于,每个高通滤波器包括电容器和电阻器的串联组合。8.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第一对交叉耦合的开关包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述输出节点中的正输出节点的漏极并具有耦合到所述输出节点中的负输出节点的栅极,所述第一NMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极和耦合到所述正输出节点的栅极。9.如权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第二对交叉耦合的开关包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极并具有耦合到所述正输出节点的栅极,所述第二NMOS晶体管具有耦合到所述正输出节点的漏极和耦合到所述负输出节点的栅极。10.如权利要求1所述的电路,其特征在于,每个跨导体包括并联布置的跨导体阵列。11.如权利要求10所述的电路,其特征在于,进一步包括与所述多个跨导体阵列相对应的多个使能晶体管阵列,并且其中,每个使能晶体管充当响应于使能信号的开关,以控制对应的跨导体是否对所述差分电流作出贡献。12.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述跨导体中的第一多个跨导体包括PMOS晶体管,并且其中,所述跨导体中的第二多个跨导体包括NMOS晶体管。13.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电压模式驱动器被配置成:响应于来自预增强电路的多个输入信号而驱动所述差分输出电压。14.一种方法,包括:响应于对第一输出节点的电压进行高通滤波而调整第一偏置电压;响应于对第二输出节点的电压进行高通滤波而调整第二偏置电压;以及响应于跨所述第一输出节点与所述第二输出节点的差分输出电压具有第一极性,根据所述第一偏置电压和所述第二偏置电压来进行跨导,以在第一方向上驱动差分电流通过耦合在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的负载。15.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:Z·陈,K·L·阿卡迪亚,T·蒋,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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