一种负电压比较器制造技术

本发明专利技术公开了一种负电压比较器，涉及同步整流控制技术领域，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及同步整流控制
，特别涉及一种负电压比较器。
技术介绍
在AC/DC或DC/DC转换开关电源的控制中，为了提高转换效率，通常采用同步整流控制技术。对同步整流开关器件如NMOSFET的控制需要和一个负电压进行比较。实际电路设计中，通常把负电压转换成大于零的正电压。如图1所示，Vref通常设置为地电位(0.0V)，同步整流开关器件导通时，电流通常是从NMOSFET的源极流向其漏极，而Vfb就是对NMOSFET漏极电位的检测，通常是低于0V的负电压。为了保证电流不会从NMOSFET的漏极流向源极，同步整流器件NMOSFET必须在Vfb接近于0V但还低于0V时关断，即图2的off点。这样，就需要一个负电压比较器。目前的通用做法是把负电压转换成正电压再进行比较，如图1所示，在Vfb和比较器的负端连接一个电阻，在比较器负端和电源VDD之间连接一个电流源I0，那么，比较器负端电压V-＝vfb+I0*R，当比较器的负输入端电压V-大于其正端电压V+＝Vref＝0V时，比较器输出Vout从高电平变为低电平，同步整流开关器件关断。但由于集成电路工艺误差，电阻R和电流源I0都有离散，一般把I0*R设计的较大，也即同步整流器件关断的比较早，达不到效率最佳化的目的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种负电压比较器，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种负电压比较器，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。优选的，所述电阻R6处还设有与电阻R6并联的依次串联电阻R5和MOS管5连接有所述电阻R4和电阻R7。优选的，所述电阻R1处还设有与电阻R1并联的依次串联电阻R2和MOS管4连接有所述电阻R4和电阻R7。优选的，所述MOS管4和MOS管5相互连接，并耦接至地端GND。优选的，所述操作电压VDD处还耦接有依次串联的MOS管0和电流源I0，所述MOS管0、MOS管1、MOS管2相互并连，即MOS管1和MOS管2耦接至所述电流源I0。优选的，所述电阻RI、电阻R2、电阻R5、电阻R6的阻值均相同。优选的，所述电阻R3、电阻R4的阻值均相同。优选的，所述MOS管0、MOS管1、MOS管2、MOS管3、MOS管4、MOS管5和MOS管6的型号均相同。采用以上技术方案的有益效果是：提出了一种直接比较的负电压比较器，无需将负电压转换成正电压，在AC/DC或DC/DC转换开关电源的控制中，可以提高转换效率；应用到本专利技术负电压比较器的芯片灵敏度高，同时启动电压和静太电流比普通芯片要低。附图说明图1是现有技术的电压比较器的电路原理图1。图2是现有技术的电压比较器的电路原理图2。图3是本专利技术的电路原理图。图4是本专利技术实施例2中芯片的电路原理图。图5是本专利技术实施例2中应用电路的电路原理图。图6是本专利技术实施例3中芯片的电路原理图。图7是本专利技术实施例3中应用电路的电路原理图。其中，1-运算放大器Ⅰ，201-电阻R1，202-电阻R2，203-电阻R3，204-电阻R4，205-电阻R5，206-电阻R6，207-电阻R7，208-电阻R8，301-MOS管0，302-MOS管1，303-MOS管2，304-MOS管3，305-MOS管4，306-MOS管5，307-MOS管6，4-电流源I0，5-220V输出交流电源,6-整流桥，601-上行输入端，602-下行输入端，603-输出端，604-中间输入端，701-运算放大器1，702-运算放大器2，703-运算放大器3，704-运算放大器4，705-运算放大器5,706-运算放大器6,707-1号运算放大器，708-8号运算放大器，709-3号运算放大器，710-4号运算放大器，711-5号运算放大器，712-6号运算放大器，801-电阻Ⅰ，802-电阻Ⅱ，9-控制器,10-负电压比较器,11-稳压管,12-滤波器,13-上/下钳位器,14-三极管，15-MOS管,16-稳压器,17-内部电源,18-过电压侦测器,19-启动器，20二输入或门，21-RS触发器，2101-RS触发器Ⅰ，2102-RS触发器Ⅱ，22-二极管，23-四输入或非门,24-二输入与门，25-变压器，2501-变压器Ⅰ，2502变压器，2601-R1电阻，2602-R2电阻，2603-R3电阻，2604-R4电阻，2605-R5电阻，2606-R6电阻，2607-R7电阻，2608-R8电阻，2609-R9电阻，2610-R10A电阻，2611-R10B电阻，2612-R11电阻，2613-R12电阻，2614-R13A电阻，2615-R13B电阻，2616-R14电阻，2617-R15电阻，2701-C1电容，2702-C2电容，2703-C3电容，2704-C4电容，2705-C5电容，2706-C6电容,2707-C7电容，2708-C8电容，2709-C9电容，2801-D1二极管，2802-D2二极管,2803-D3二极管，2804-D4二极管，2805-D5二极管，29-LED灯组，30-MOS管Ⅰ，31-热敏电阻，32-调节器，33-滤波器Ⅰ，34-数字积分器，35-频率/占空比控制器，36-数模转换器,37-相位测量器，38-电流极限状态器，39-非门Ⅰ，40-二输入或门，41-四输入与门,42-自动启动器,43-二输入与门,44-三输入与门,45-延时器,46-非门Ⅱ。具体实施方式下面结合附图详细说明本专利技术负电压比较器的具体实施方式。实施例1图3-图5出示本专利技术负电压比较器的具体实施方式：一种负电压比较器，包括运算放大器Ⅰ1、多个电阻和多个MOS管，所述运算放大器Ⅰ1的正相输入端通过电阻R8208、电阻R3203耦接至地端GND，所述电阻R8208和电阻R3203为并联关系；运算放大器Ⅰ1的负相输入管通过电阻R7207、电阻R4204耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6307、电阻R6206和MOS管2303耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3304、电阻1201、MOS管1301耦接至操作电压VDD，所述MOS管3304耦接至基准电压Vref，所述MOS管6307耦接至反馈电压Vfb。在本实施例中，所述电阻R6206处还设有与电阻R626并联的依次串联电阻R5205和MOS管5306连接有所述电阻R4204和电阻R7207。在本实施例中，所述电阻R1201处还设有与电阻R1201并联的依次串联电阻R5205和MOS管4305连接有所述电阻R4204和电阻R7207。在本实施例中，所述MOS管4305和MOS管5306相互连接，并耦接至地端GND。在本实施例中，所述操作电压VDD处还耦接有依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负电压比较器，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，其特征在于：所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。

【技术特征摘要】
1.一种负电压比较器，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，其特征在于：所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。2.根据权利要求1所述的一种负电压比较器，其特征在于，所述电阻R6处还设有与电阻R6并联的依次串联电阻R5和MOS管5连接有所述电阻R4和电阻R7。3.根据权利要求1所述的一种负电压比较器，其特征在于，所述电阻R1处还设有与电阻R1并联的依次串联电阻R2和MOS管4连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜明，张冬平，
申请(专利权)人：芜湖鑫芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34