【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路器件、用于集成电路器件的单元库、单元架构和电子设计自动化工具。
技术介绍
在集成电路的设计中,通常使用标准的单元库。设计由单元库中的实体指定的单元的处理可以是密集的,通过调整单元的部件的材料、几何形状和大小来实现变量(诸如单元的大小、单元的驱动功率、单元的速度等)之间的折中。设计单元库中指定的单元的过程通常是劳动密集型处理,要求高技能的设计者手动设计并精炼单元的设计。finFET的开发为设计者提供了一些传统的灵活性,它们可应用于特定单元的变形的有效设计。因此,一些功能库基于finFET。可以在具有栅格结构的块结构中实施finFET,其中,鳍在衬底上的第一方向上并行布置(其具有窄间隙),并且栅极在与鳍相交的垂直方向上布置。使用互补n沟道和p沟道晶体管的集合来形成各个单元,它们的源极、漏极和沟道位于鳍中。可以通过增加或减少用于给定晶体管的并行用作沟道结构的相同鳍的数量来调整利用finFET的单元中的各个晶体管的驱动功率和其他特性。这在单元库的开发中提供了设计的一些粒度。然而,许多电路参数可以得益于电路结构的更精细调整。为了细调finFET型电路,可以要求鳍或其他结构的复杂的再配置。以下文献描述了纳米线和2D材料场的开发,并且它们所有信息结合于此作为参考:·VanderWaalsHeterostructures,A.K.Geim等人,2013年7月25日,|VOL499|NATURE|419-425;·VerticallyIntegratedNanowireFieldEffectTransistors,JoshGoldberge等人,加州 ...
【技术保护点】
一种计算机系统,用于处理电路设计的计算机实施表示,所述计算机系统包括:处理器和耦合至所述处理器的存储器,所述存储器存储可由所述处理器执行的指令,包括从单元库中选择单元的指令;所述单元库,包括用于多个单元的实体,所述单元库中的实体包括计算机可执行语言中的特定单元的规范;以及所述单元库中的至少一个实体包括电路的物理结构和定时参数的规范,所述电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有包括并行布置且具有第一数量的组件的纳米线或2D材料带的第一集合的沟道,所述第二晶体管具有包括并行布置且具有第二数量的组件的纳米线或2D材料带的第二集合的沟道,所述第一数量和所述第二数量不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.23 US 14/312,0401.一种计算机系统,用于处理电路设计的计算机实施表示,所述计算机系统包括:处理器和耦合至所述处理器的存储器,所述存储器存储可由所述处理器执行的指令,包括从单元库中选择单元的指令;所述单元库,包括用于多个单元的实体,所述单元库中的实体包括计算机可执行语言中的特定单元的规范;以及所述单元库中的至少一个实体包括电路的物理结构和定时参数的规范,所述电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有包括并行布置且具有第一数量的组件的纳米线或2D材料带的第一集合的沟道,所述第二晶体管具有包括并行布置且具有第二数量的组件的纳米线或2D材料带的第二集合的沟道,所述第一数量和所述第二数量不同。2.根据权利要求1所述的计算机系统,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合相对于衬底的表面水平设置,并且纳米线或2D材料带的所述第二集合相对于所述衬底的表面水平设置。3.根据权利要求1所述的计算机系统,包括与纳米线或2D材料带的所述第一集合相交的栅极以及与纳米线或2D材料带的所述第二集合相交的栅极。4.根据权利要求1所述的计算机系统,其中所述第一晶体管被配置用于n沟道操作,并且所述第二晶体管被配置用于p沟道操作。5.根据权利要求1所述的计算机系统,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合包括设置在第一堆叠件中的纳米线或2D材料带,以及纳米线或2D材料带的所述第二集合包括设置在第二堆叠件中的纳米线或2D材料带,所述第二堆叠件和所述第一堆叠件具有不同数量的纳米线或2D材料带。6.根据权利要求1所述的计算机系统,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合包括设置在第一多个堆叠件中的纳米线或2D材料带,以及纳米线或2D材料带的所述第二集合包括设置在第二多个堆叠件中的纳米线或2D材料带,所述第二多个堆叠件和所述第一多个堆叠件包括不同数量的堆叠件。7.根据权利要求1所述的计算机系统,其中集合中的纳米线或2D材料带包括具有小于10纳米的最小尺寸的纳米线。8.根据权利要求1所述的计算机系统,其中在栅极导体与所述纳米线或2D材料带的交点处,集合中的纳米线或2D材料带具有与所述纳米线的纵轴正交的高度和宽度,并且所述宽度等于或大于所述高度的两倍。9.根据权利要求7所述的计算机系统,其中所述第一晶体管被配置用于n沟道操作,并且所述第二晶体管被配置用于p沟道操作,并且其中纳米线或2D材料带的所述第一集合包括设置在单个堆叠件中的纳米线或2D材料带,并且纳米线或2D材料带的所述第二集合包括设置在单个堆叠件中的纳米线或2D材料带,纳米线或2D材料带的所述第一集合和纳米线或2D材料带的所述第二集合具有不同数量的层。10.根据权利要求1所述的计算机系统,其中:所述指令还包括利用所述至少一个实体中的规范来确定所述单元的物理布局的逻辑。11.根据权利要求1所述的计算机系统,其中所述单元库包括指定具有公共电路结构的电路的实体的集合,并且其中所述实体的集合中的第一实体指定所述电路结构中的特定晶体管包括并行布置的第一指定数量的纳米线或2D材料带,并且所述实体的集合中的第二实体指定所述电路结构中的所述特定晶体管包括并行布置的第二指定数量的纳米线或2D材料带,所述第二指定数量不同于所述第一指定数量。12.一种计算机程序产品,包括:存储设备,其上存储有单元的机器可读规范,所述单元的规范包括指定电路的物理实施的结构特征的计算机可读参数,所述电路包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管所具有的沟道包括并行布置且具有第一数量的组件的纳米线或2D材料带的第一集合,所述第二晶体管所具有的沟道包括并行布置且具有第二数量的组件的纳米线或2D材料带的第二集合,所述第一数量和所述第二数量不同。13.根据权利要求12所述的计算机程序产品,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合相对于衬底的表面水平设置,并且纳米线或2D材料带的所述第二集合相对于所述衬底的表面水平设置。14.根据权利要求12所述的计算机程序产品,包括与纳米线或2D材料带的所述第一集合相交的栅极以及与纳米线或2D材料带的所述第二集合相交的栅极。15.根据权利要求12所述的计算机程序产品,其中所述第一晶体管被配置用于n沟道操作,并且所述第二晶体管被配置用于p沟道操作。16.根据权利要求12所述的计算机程序产品,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合包括设置在第一堆叠件中的纳米线或2D材料带,并且纳米线或2D材料带的所述第二集合包括设置在第二堆叠件中的纳米线或2D材料带,所述第二堆叠件和所述第一堆叠件具有不同数量的纳米线或2D材料带。17.根据权利要求12所述的计算机程序产品,其中纳米线或2D材料带的所述第一集合包括设置在第一多个堆叠件中的纳米线或2D材料带,并且纳米线或2D材料带的所述第二集合包括设置在第二多个堆叠件中的纳米线或2D材料带,所述第二多个堆叠件和所述第一多个堆叠件具有不同数量的堆叠件。18.根据权利要求12所述的计算机程序产品,其中集合中的纳米线或2...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·莫洛兹,J·卡瓦,
申请(专利权)人:美商新思科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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