一种雪崩光电二极管及光电接收机制造技术

一种雪崩光电二极管(1)及光电接收机，涉及光电技术领域，能够在不改变APD结构的基础上，降低APD自身的暗电流，提升APD的性能。雪崩光电二极管(1)包括：雪崩光电二极管主体(10)；与雪崩光电二极管主体(10)连接的电容结构(11)，电容结构(11)接地；其中，雪崩光电二极管主体(10)的长度在10微米到70微米的范围内。光电接收机包括雪崩光电二极管(1)以及与雪崩光电二极管(1)连接的跨阻放大器(2)，其中，雪崩光电二极管(1)的电容值与跨阻放大器(2)的电容值相等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹权，付生猛，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44