【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种同步式多通道发光二极管驱动装置,特别涉及不使用变流器的交流电源(AC)直接耦合型线性(Linear)方式的多通道发光二极管(LED,LightEmittingDiode)驱动装置,其是能够与输入电压的大小无关地使所有通道的发光二极管同时发光的同步式多通道发光二极管驱动装置。
技术介绍
使用发光二极管的照明的驱动大致能够分为像SMPS(SwitchingModePowerSupply)那样使用电感器(Inductor)和电容器(Capacitor)控制电流的变流器(Converter)方式和不使用SMPS而是直接利用商用交流电源控制电流的交流电源直接耦合型线性方式。首先,在变流器方式的情况下,存在如下问题,即,系统的结构复杂,难以减少系统的大小和重量,而且为了提高功率因数(PowerFactor)需使用其它功率因素校正电路,并且需构成用于抑制切换(Switching)时所发生的电磁波产生的附加电路,因此生产成本高。相反,交流电源直接耦合型线性方式因为直接利用商用电源即交流电源来控制电流,所以与变流器方式相比具有电路简单的优点,但是不同于使用蓄能元件即电感器和电容器而即使在交流电源电压低的区间也能够使一定的电流在发光二极管中流过的变流器方式,存在产生闪烁(Flicker)的问题。在此,闪烁是指视觉上感到光度的周期性变化的现象,作为将闪烁的程度数值化的方法,有百分比闪烁(PercentageFlicker)和闪烁指数(FlickerIndex)。此时,百分比闪烁是对将最高光量和最低光量的差除以这两个的和的值进行百分比化而得的,其越高,意味着闪 ...
【技术保护点】
一种同步式多通道发光二极管驱动装置,其包括:整流部,其接受所施加的交流电源电压而进行整流;多通道发光二极管部,其从所述整流部接受经过整流的电流而发光,串联连接有至少包括第1发光二极管和第2发光二极管的多个发光二极管;电流检测部,其对在所述第1发光二极管中流过的电流进行检测;电流镜部,其对通过所述电流检测部检测的电流进行镜像化,将经过镜像化的电流供给到所述第2发光二极管;以及依序电流驱动部,其与所述第1发光二极管和所述第2发光二极管连接而提供在所述第1发光二极管中流过的电流或在所述第2发光二极管中流过的电流的路径,根据输入电压电平激活所述电流检测部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.18 KR 10-2014-01067511.一种同步式多通道发光二极管驱动装置,其包括:整流部,其接受所施加的交流电源电压而进行整流;多通道发光二极管部,其从所述整流部接受经过整流的电流而发光,串联连接有至少包括第1发光二极管和第2发光二极管的多个发光二极管;电流检测部,其对在所述第1发光二极管中流过的电流进行检测;电流镜部,其对通过所述电流检测部检测的电流进行镜像化,将经过镜像化的电流供给到所述第2发光二极管;以及依序电流驱动部,其与所述第1发光二极管和所述第2发光二极管连接而提供在所述第1发光二极管中流过的电流或在所述第2发光二极管中流过的电流的路径,根据输入电压电平激活所述电流检测部。2.如权利要求1所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流镜部包括:电流镜,其第1端子与所述第1发光二极管的阳极连接,第2端子与所述电流检测部连接,第3端子与所述第2发光二极管的阳极连接,通过所述检测的电流生成所述经过镜像化的电流;以及二极管,其阳极与所述第1发光二极管的阴极连接,阴极与所述第2发光二极管的阳极连接,接受所输入的所述经过镜像化的电流而向所述第2发光二极管传递,防止所述经过镜像化的电流向所述第1发光二极管逆流。3.如权利要求2所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测部包括:电流检测器,其第1端子与所述第1发光二极管的阴极连接,第2端子与所述电流镜连接,第3端子与所述依序电流驱动部连接,将所述检测的电流向所述依序电流驱动部传递。4.如权利要求3所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述依序电流驱动部包括:第1MOSFET,其栅极接受所输入的决定在所述第1发光二极管中流过的电流量的电压,漏极端子与所述电流检测器的第2端子连接,源极端子与所述整流部侧连接,在所述输入电压电平为所述第1发光二极管的驱动电压以上且所述第1发光二极管的驱动电压与所述第2发光二极管的驱动电压的和以下的情况下接通;以及第2MOSFET,其栅极接受所输入的决定在所述第2发光二极管中流过的电流量的电压,漏极端子与所述第2发光二极管的阴极连接,源极端子与所述整流部侧连接,根据所述第1MOSFET的接通而接通,或者在所述输入电压电平超过所述第1发光二极管的驱动电压与所述第2发光二极管的驱动电压的和的情况下接通。5.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器包括:第1感测电阻,其第1端子与所述第1发光二极管的阴极连接,第2端子与所述依序电流驱动部连接;以及第1晶体管,其栅极与所述第1感测电阻的所述第1端子连接,源极端子与所述第1感测电阻的所述第2端子连接,漏极端子与所述电流镜连接。6.如权利要求5所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流镜包括:第2感测电阻,其第1端子与所述第1发光二极管的阳极连接,第2端子与所述第1晶体管的漏极端子连接;以及第2晶体管,其栅极与所述第2感测电阻的所述第2端子连接,源极端子与所述第2感测电阻的所述第1端子连接,漏极端子与所述第2发光二极管的阳极连接。7.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流镜是用于根据所述经过镜像化的电流产生与所述检测的电流成比例的经过放大的电流的放大器电路。8.如权利要求6所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述第1晶体管是N型MOSFET,所述第2晶体管是P型MOSFET。9.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器是第1共源共栅电流镜电路,所述电流镜是与所述第1共源共栅电流镜电路互补的第2共源共栅电流镜电路。10.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器是第1威尔逊电流镜电路,所述电流镜是与所述第1威尔逊电流镜电路互补的第2威尔逊电流镜电路。11.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器是第1Widlar电流镜电路,所述电流镜是与所述第1Widlar电流镜电路互补的第2Widlar电流镜电路。12.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器包括:放大器电路,其对与所述检测的电流成比例的电流进行检测而向所述电流镜部传递。13.如权利要求4所述的同步式多通道发光二极管驱动装置,其中,所述电流检测器包括:第3感测电阻,其第1端子与所述第1发光二极管的阴极连接,第2端子与所述依序电流驱动部连接;以及第1电压-电流变换电路,其第1端子与所述第3感测电阻的所述第1端子连接,第2端子与所述第3感测电阻的所述第2端子连接,第3端...
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