【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种大电流密度的LDNMOS结构。
技术介绍
LDNMOS管是比较常见的MOS管,但是现有的LDNMOS管中背栅和源区的尺寸较大,结构布局不够合理,导致导线上的电阻增加,影响开关的导通电阻。另外,作为常用的功率输出级DMOS管,在通以大电流时,衬底注入大电流,闩锁效应明显。因此,需要改进LDNMOS结构的区域排布,提高产品性能。
技术实现思路
本技术的一个目的是要提供一种大电流密度的LDNMOS结构,其能够缩短LDNMOS结构的布线距离,降低导线上电阻,进而减小开关的导通电阻。本技术一个进一步的目的是要减小大电流时的衬底注入,消除闩锁效应,可收集最高比例的电子,同时有助于防止欧姆去偏置。特别地,本技术提供了一种大电流密度的LDNMOS结构,所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置,所述源区和所述背栅采用小尺寸。优选地,在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环,所述N阱环的底部靠近N型埋层,用于构建深保护环。优选地,所述LDNMOS结构与衬底电隔离,是通过PN结反偏隔离。优选地,以所述源区和背栅的布置方向为宽度,所述源区的最小宽度为1um,所述背栅的最小尺寸为3um。与现有技术相比较,本技术的优点在于:本技术中区域结构调整,能够缩短LDNMOS结构的布线距离,降低导线上电阻,进而减小开关的导通电阻。另外,本技术通过深N阱环的设计减小大电流时的衬底注入,消除闩锁效应,可收集最高比例的电子,同时有助于防止欧姆去偏置。根据下文结合附图对本技术具体实施例的详细描述,本领域技术人员将会更加明了本技术的上述以及其他目的、优点和特征。附图说明后文将参照 ...
【技术保护点】
一种大电流密度的LDNMOS结构,其特征在于,所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置,所述源区和所述背栅采用小尺寸;在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环,所述N阱环的底部靠近N型埋层,用于构建深保护环。
【技术特征摘要】
1.一种大电流密度的LDNMOS结构,其特征在于,所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置,所述源区和所述背栅采用小尺寸;在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环,所述N阱环的底部靠近N型埋层,用于构建深保护环。2.根据权利要求1所述的大电流...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋猛,
申请(专利权)人:苏州隆誊微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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