清洗槽制造技术

本实用新型专利技术公开一种清洗槽，包括一底壁和垂直设置在底壁上的4个侧壁，其中，底壁的下方设置有气缸装置，气缸装置带动底壁上下运动，底壁上还设置有换能器装置，4个侧壁中左右相对设置的2个侧壁的顶部设置有喷淋装置，4个侧壁中前后相对设置的2个侧壁的底部设置有下给水装置。本实用新型专利技术通过在清洗槽上设置气缸装置、换能器装置、喷淋装置以及下给水装置，从而实现清洗槽的一体化设计，与现有技术中的清洗槽相比，可以实现的功能更多，效率更高，更节约资源，对晶片生产过程中的移动次数更少，从而达到提高成品率，提高生产效率，节约资源的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种清洗槽。
技术介绍
在半导体集成电路制造行业，晶片在生产过程中，要经过一系列的清洗步骤，用以保证晶片后续加工制造过程中的质量。通常，将晶片放入超声波清洗槽，使用清洗液加超声波的清洗方法，然后经过QDR槽，使用QDR槽的喷淋下给水、快排的方法将残留在晶片上的污染物去除。当晶片在两个清洗槽之间移动的过程中，会导致晶片的二次污染以及可能发生意外伤害，从而造成不良后果。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种清洗槽，用以解决现有技术中需要两个清洗槽清洗晶片的问题。为了实现上述目的，本技术提供了一种清洗槽，包括一底壁和垂直设置在底壁上的4个侧壁，其中，底壁的下方设置有气缸装置，气缸装置带动底壁上下运动，底壁上还设置有换能器装置，4个侧壁中左右相对设置的2个侧壁的顶部设置有喷淋装置，4个侧壁中前后相对设置的2个侧壁的底部设置有下给水装置。进一步的，前后相对设置的2个侧壁的下半部分向一侧倾斜设置。采用上述本技术技术方案的有益效果是：通过在清洗槽上设置气缸装置、换能器装置、喷淋装置以及下给水装置，从而实现清洗槽的一体化设计，与现有技术中的清洗槽相比，可以实现的功能更多，效率更高，更节约资源，对晶片生产过程中的移动次数更少，从而达到提高成品率，提高生产效率，节约资源的目的。附图说明图1为本技术清洗槽的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本技术公开了一种清洗槽，如图1所示，包括一底壁1和垂直设置在底壁1上的4个侧壁2，其中，为了实现快排功能，底壁1的下方设置有气缸装置3，气缸装置3可以带动底壁1上下运动，使底壁1与四个侧壁2之间形成封闭的容纳空间或不形成封闭的容纳空间；为实现解决现有技术中的清洗槽的单一功能，减少对晶片的移动次数，节约资源的目的，底壁1上还设置有换能器装置4，4个侧壁中左右相对设置的2个侧壁的顶部设置有喷淋装置5，4个侧壁中前后相对设置的2个侧壁的底部设置有下给水装置6，这样可以实现一槽多用，减少晶片的移动次数，避免移动过程中对晶片的二次污染，从而提高成品率。在本实施例中，为减少对清洗液的用量，前后相对设置的2个侧壁2的下半部分向一侧倾斜设置。本技术通过在清洗槽上设置气缸装置、换能器装置、喷淋装置以及下给水装置，从而实现清洗槽的一体化设计，与现有技术中的清洗槽相比，可以实现的功能更多，效率更高，更节约资源，对晶片生产过程中的移动次数更少，从而达到提高成品率，提高生产效率，节约资源的目的。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗槽，其特征在于，包括一底壁和垂直设置在所述底壁上的4个侧壁，所述底壁的下方设置有气缸装置，所述气缸装置带动所述底壁上下运动，所述底壁上还设置有换能器装置，所述4个侧壁中左右相对设置的2个侧壁的顶部设置有喷淋装置，所述4个侧壁中前后相对设置的2个侧壁的底部设置有下给水装置。

【技术特征摘要】
1.一种清洗槽，其特征在于，包括一底壁和垂直设置在所述底壁上的4个侧壁，所述底壁的下方设置有气缸装置，所述气缸装置带动所述底壁上下运动，所述底壁上还设置有换能器装置，所述4个侧壁中左右相对设...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤卫民，
申请(专利权)人：上海泰特实业有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31