一种提高多晶炉投料量的增高装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供的一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，多晶炉上设有铜电极固定座，铜电极固定座上设有增高装置，增高装置包括增高块与铜电极，结构简单，设计合理，通过增高装置将多晶炉上提，提升多晶炉内的空间，增大投料量，提升整体的工作效率，增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，第一密封圈槽上设有密封垫圈，密封垫圈上设有固定块，固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，利用第一密封圈槽与第二密封圈槽配合使用，将密封垫圈锁死，密封性能更好，效率更高，便于安装、拆卸与维修，适用范围更广，更能满足厂家的需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种提高多晶炉投料量的增高装置，用于多晶铸锭炉热场改造，增加产量降低成本,涉及光伏、新能源领域。
技术介绍
随着人类对能源需求的加大，太阳能成为一种新兴能源出现人们的面前，作为太阳电池的机体太阳能多晶硅片目前成文铸造行业的主流，提高多晶硅的利用率成为各个硅片加工企业的研究重点，为了提升产能，行业的铸锭厂商提出来用了增加硅料装填量，提升现有的产能，同时将多晶硅锭做大后可以增加中心区域的高质量晶砖的数量，对于提高整锭的转换效率有很大的帮助，但是由于受到多晶炉热场空间的限制，生产更大尺寸更大投料量的多晶硅锭成为各个生产企业急需解决的问题。现有的多晶炉内空间较小，投料量低，影响工作效率，满足不了厂家的需求。
技术实现思路
本技术所要解决的问题是提供一种提高多晶炉投料量的增高装置，解决现有的多晶炉内空间较小，投料量低，影响工作效率，满足不了厂家的需求的问题。为解决以上问题本技术所采用的方案：一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，所述的多晶炉上设有铜电极固定座，所述的铜电极固定座上设有增高装置，所述的增高装置包括增高块与铜电极，所述的增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，所述的固定安装孔包括通孔与安装槽，所述的安装槽的宽度大于通孔的宽度，所述的电极通孔位于增高块的中心位置上，所述的第一密封圈槽位于电极通孔的外侧、固定安装孔的内侧，所述的第一密封圈槽上设有密封垫圈，所述的密封垫圈上设有固定块，所述的固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，所述的安装孔与增高块上的固定安装孔配合使用，第二密封圈槽与增高块上的第一密封圈槽配合使用，所述的铜电极依次穿过固定块、密封垫圈、增高块与铜电极固定座插入多晶炉内。上述的一种提高多晶炉投料量的增高装置，其中，所述的固定安装孔为四个。上述的一种提高多晶炉投料量的增高装置，其中，所述的固定块与增高块通过螺栓实现固定连接。上述的一种提高多晶炉投料量的增高装置，其中，所述的固定块的高度为增高块高度的十分之一。本方案的有益效果：本技术提供的一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，多晶炉上设有铜电极固定座，铜电极固定座上设有增高装置，增高装置包括增高块与铜电极，结构简单，设计合理，通过增高装置将多晶炉上提，提升多晶炉内的空间，增大投料量，提升整体的工作效率，增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，第一密封圈槽上设有密封垫圈，密封垫圈上设有固定块，固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，利用第一密封圈槽与第二密封圈槽配合使用，将密封垫圈锁死，密封性能更好，效率更高，便于安装、拆卸与维修，适用范围更广，更能满足厂家的需求。附图说明图1是本技术整体结构图。图2是本技术增高装置结构图。图3是本技术增高块结构图。图4是本技术固定块结构图。具体实施方式如图所示，一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉1，所述的多晶炉1上设有铜电极固定座2，所述的铜电极固定座2上设有增高装置3，所述的增高装置3包括增高块4与铜电极5，所述的增高块4上设有固定安装孔6、电极通孔7与第一密封圈槽8，所述的固定安装孔6包括通孔9与安装槽10，所述的安装槽10的宽度大于通孔9的宽度，所述的电极通孔7位于增高块4的中心位置上，所述的第一密封圈槽8位于电极通孔7的外侧、固定安装孔6的内侧，所述的第一密封圈槽8上设有密封垫圈11，所述的密封垫圈11上设有固定块12，所述的固定块12上设有安装孔13、电极通孔7与第二密封圈槽14，所述的安装孔13与增高块4上的固定安装孔6配合使用，第二密封圈槽14与增高块4上的第一密封圈槽8配合使用，所述的铜电极5依次穿过固定块12、密封垫圈11、增高块4与铜电极固定座2插入多晶炉1内。本技术提供的一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，多晶炉上设有铜电极固定座，铜电极固定座上设有增高装置，增高装置包括增高块与铜电极，结构简单，设计合理，通过增高装置将多晶炉上提，提升多晶炉内的空间，增大投料量，提升整体的工作效率，增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，第一密封圈槽上设有密封垫圈，密封垫圈上设有固定块，固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，利用第一密封圈槽与第二密封圈槽配合使用，将密封垫圈锁死，密封性能更好，效率更高，便于安装、拆卸与维修，适用范围更广，更能满足厂家的需求。仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，其特征为，所述的多晶炉上设有铜电极固定座，所述的铜电极固定座上设有增高装置，所述的增高装置包括增高块与铜电极，所述的增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，所述的固定安装孔包括通孔与安装槽，所述的安装槽的宽度大于通孔的宽度，所述的电极通孔位于增高块的中心位置上，所述的第一密封圈槽位于电极通孔的外侧、固定安装孔的内侧，所述的第一密封圈槽上设有密封垫圈，所述的密封垫圈上设有固定块，所述的固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，所述的安装孔与增高块上的固定安装孔配合使用，第二密封圈槽与增高块上的第一密封圈槽配合使用，所述的铜电极依次穿过固定块、密封垫圈、增高块与铜电极固定座插入多晶炉内。

【技术特征摘要】
1.一种提高多晶炉投料量的增高装置，包括多晶炉，其特征为，所述的多晶炉上设有铜电极固定座，所述的铜电极固定座上设有增高装置，所述的增高装置包括增高块与铜电极，所述的增高块上设有固定安装孔、电极通孔与第一密封圈槽，所述的固定安装孔包括通孔与安装槽，所述的安装槽的宽度大于通孔的宽度，所述的电极通孔位于增高块的中心位置上，所述的第一密封圈槽位于电极通孔的外侧、固定安装孔的内侧，所述的第一密封圈槽上设有密封垫圈，所述的密封垫圈上设有固定块，所述的固定块上设有安装孔、电极通孔与第二密封圈槽，所述的安...

【专利技术属性】
技术研发人员：司荣进，王禄宝，
申请(专利权)人：江苏美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32