一种基于同轴线的高功率功分器制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于同轴线的高功率功分器，包括第一同轴线R1Ω、第二同轴线R2Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5和第六微带线TL6高功率射频信号从第一输入端口RF1输入，第二输出端口RF2和第三输出端口RF3输出信号幅度相同，第二输出端口RF2输出信号与输入信号相位相同，第三输出端口RF3输出信号与输入信号相位差-90°。本实用新型专利技术的有益效果是结构简单、制作方便、可以用于高功率射频信号的分路或者合成，具有成本低、频带宽、稳定性高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功分器
，尤其是涉及一种基于同轴线的高功率功分器。
技术介绍
通常，涉及功率合成的器件被称为合成器，涉及功率分配的器件被称为功分器。由于功率合成器与功率分配器属于互易结构，相同的电路反过来被视为功分器或合成器，其设计取决于输入、输出端口的命名。在平衡功率放大器中需要用3dB正交耦合器作为功分器、合成器。3dB正交耦合器可以使用分支线耦合器或具有90°移相的Wilkinson功分器实现，但这些方法加工时时均要求较高的工艺精度，不容易实现。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种基于同轴线的高功率功分器，其结构简单、制作方便、可以用于高功率射频信号的分路或者合成，具有成本低、频带宽、稳定性高的优点。本技术的技术方案是：一种基于同轴线的高功率功分器，包括第一同轴线R1Ω、第二同轴线R2Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5和第六微带线TL6，所述第一同轴线R1Ω包括第一内导体R11Ω和第一外导体R12Ω，所述第一内导体R11Ω通过第二微带线TL2与第二输出端口RF2连接，所述第二同轴线R2Ω包括第二内导体R21Ω和第二外导体R22Ω，所述第一外导体R12Ω的1脚通过第一微带线TL1与第一输入端口RF1连接，所述第一外导体R12Ω的2脚通过第五微带线TL5与电感L1的1脚连接，电感L1的2脚通过第六微带线TL6与第二外导体R22Ω的1脚连接，第二外导体R22Ω的2脚通过第三微带线TL3与第三输出端口RF3连接，所述第二内导体R21Ω的2脚通过第四微带线TL4和电阻R1接地，所述第一内导体R11Ω的2脚和第二内导体R21Ω的1脚之间连接有第三内导体R31Ω。进一步，所述第一内导体R11Ω、第二内导体R21Ω和第三内导体R31Ω为一体结构的铜导体。本技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，针对超短波频率范围内的射频信号，该功分器两路插损为3.2-3.7dB，相位差为85°-95°，两个输出端口间的隔离度大于20dB。该基于同轴线的高功率功分器具有制作简单、成本低、频带宽、功率容量大等特点。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术做详细说明。如图1本技术的结构示意图所示，本技术提供一种基于同轴线的高功率功分器，其特征在于：包括第一同轴线R1Ω、第二同轴线R2Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5、第六微带线TL6，所述第一同轴线R1Ω包括第一内导体R11Ω和第一外导体R12Ω，所述第一内导体R11Ω通过第二微带线TL2与第二输出端口RF2连接，所述第二同轴线R2Ω包括第二内导体R21Ω和第二外导体R22Ω，所述第一外导体R12Ω的1脚通过第一微带线TL1与第一输入端口RF1连接，所述第一外导体R12Ω的2脚通过第五微带线TL5与电感L1的1脚连接，电感L1的2脚通过第六微带线TL6与第二外导体R22Ω的1脚连接，第二外导体R22Ω的2脚通过第三微带线TL3与第三输出端口RF3连接，所述第二内导体R21Ω的2脚通过第四微带线TL4和电阻R1接地，所述第一内导体R11Ω的2脚和第二内导体R21Ω的1脚之间连接有第三内导体R31Ω。本实例的工作过程：本技术提供的基于同轴线的高功率功分器在使用时，高功率射频信号从第一输入端口RF1输入，第二输出端口RF2和第三输出端口RF3输出信号幅度相同，第二输出端口RF2输出信号与输入信号相位相同，第三输出端口RF3输出信号与输入信号相位差-90°。本功分器作为合成器使用时，第二输出端口RF2和第三输出端口RF3作为输入端，输入信号幅度相同，相位差90°，第一输入端口RF1作为合成信号输出端，其相位与第二输出端口RF2输入信号相位相同。针对超短波频率范围内的射频信号，该功分器两路插损为3.2-3.7dB，相位差为85°-95°，两个输出端口间的隔离度大于20dB。该基于同轴线的高功率功分器具有制作简单、成本低、频带宽、功率容量大等特点。以上对本技术的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本技术的较佳实施例，不能被认为用于限定本技术的实施范围。凡依本技术申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本技术的专利涵盖范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于同轴线的高功率功分器，其特征在于：包括第一同轴线R1Ω、第二同轴线R2Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5和第六微带线TL6，所述第一同轴线R1Ω包括第一内导体R11Ω和第一外导体R12Ω，所述第一内导体R11Ω通过第二微带线TL2与第二输出端口RF2连接，所述第二同轴线R2Ω包括第二内导体R21Ω和第二外导体R22Ω，所述第一外导体R12Ω的1脚通过第一微带线TL1与第一输入端口RF1连接，所述第一外导体R12Ω的2脚通过第五微带线TL5与电感L1的1脚连接，电感L1的2脚通过第六微带线TL6与第二外导体R22Ω的1脚连接，第二外导体R22Ω的2脚通过第三微带线TL3与第三输出端口RF3连接，所述第二内导体R21Ω的2脚通过第四微带线TL4和电阻R1接地，所述第一内导体R11Ω的2脚和第二内导体R21Ω的1脚之间连接有第三内导体R31Ω。

【技术特征摘要】
1.一种基于同轴线的高功率功分器，其特征在于：包括第一同轴线R1Ω、第二同轴
线R2Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微带线TL1、
第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5和第六微带线TL6，
所述第一同轴线R1Ω包括第一内导体R11Ω和第一外导体R12Ω，所述第一内导体R11Ω通
过第二微带线TL2与第二输出端口RF2连接，所述第二同轴线R2Ω包括第二内导体R21Ω
和第二外导体R22Ω，所述第一外导体R12Ω的1脚通过第一微带线TL1与第一输入端口
R...

【专利技术属性】
技术研发人员：石勇，谢建庭，苗尧飞，李翰林，宋光伟，
申请(专利权)人：天津光电通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12