荧光有机发光材料及有机电激发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种荧光有机发光材料以及有机电激发光装置，荧光有机发光材料的分子式为(Ar)-(Ph)-(X)，其中Ar为,Ph包括至少一苯环，以及X为一六元芳香环，且至少一个氮原子位于六元芳香环上。此荧光有机发光材料可应用于有机电激发光装置的发光层中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种荧光有机发光材料及有机电激发光装置，且特别是有关于一种具有热激活化延迟荧光(ThermalActivatedDelayedFluorescence)机制的荧光有机发光材料及有机电激发光装置。
技术介绍
随着主动式有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)技术的发展，如何有效提升元件的效率成为业界高度关注的议题，其中，元件中发光层材料的设计决定了元件效率的高低。一般而言，基于自旋统计的结果，电子与空穴通过再结合所产生的单重态激发子与三重态激发子比例为1:3，因此，以磷光为放光机制的OLED元件可达的最大效率将会是荧光OLED元件的4倍。然而，因磷光OLED元件依赖含重金属(如:铱、铂、锇)的错合物作为发光体，不但提升了元件本身的制作成本，同时这些重金属发光体的寿命也因为无法有效的提升，因此磷光OLED元件无法成功应用于各项显示器。另一方面，荧光OLED元件虽具有稳定的元件表现，但因单态激发子的比例较低，因此一般认为传统荧光OLED元件最大外部量子效率只有5％。有鉴于此，若能够通过其它的机制，将三重态激发子重新转化为单态激发子以提升整体荧光放光效率，实为业界努力的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种荧光有机发光材料及有机电激发光装置，以将三重态激发子重新转化为单态激发子来提升整体荧光放光效率。本专利技术的一实施例提供一种荧光有机发光材料，其分子式为(Ar)-(Ph)-(X)，其中Ar为(DMAC)，Ph包括至少一苯环，以及X为一六元芳香环，且至少一个氮原子位于六元芳香环上。其中，该荧光有机发光材料的分子式如式(I)所示：其中，Y为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至4的整数。其中，式(I)中Y为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(II)所示：其中，该荧光有机发光材料的分子式如式(III)所示：其中，Z为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至4的整数。其中，式(III)中Z为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(IV)所示：其中，式(III)中Z为氰基，且n为2，该荧光有机发光材料的分子式如式(V)所示：其中，该荧光有机发光材料的分子式如式(VI)所示：其中，W为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至3的整数。其中，式(VI)中W为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(VII)所示：其中，该荧光有机发光材料的分子式如式(VIII)所示：其中，S为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至3的整数。其中，式(VIII)中S为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(IX)所示：其中，该荧光有机发光材料的单重激发态最低能阶与三重激发态最低能阶的能阶差ΔEST的范围为约0电子伏特至约0.19电子伏特。其中，该荧光有机发光材料的最大放光波长λmax的范围为约487纳米至约556纳米。本专利技术的另一实施例提供一种有机电激发光装置，包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。空穴传输层设置于阳极上。发光层设置于空穴传输层上，其中发光层包括前述的荧光有机发光材料。电子传输层设置于发光层上。阴极设置于电子传输层上。其中，该荧光有机发光材料的单重激发态最低能阶与三重激发态最低能阶的能阶差△EST的范围为约0电子伏特至约0.19电子伏特。其中，该荧光有机发光材料的最大放光波长λmax的范围为约487纳米至约556纳米。本专利技术的荧光有机发光材料可通过热激活化延迟荧光机制将三重态激发子重新转化为单态激发子来提升整体荧光放光效率，进而使得有机电激发光装置的发光效率以及寿命有效提升。附图说明图1绘示本专利技术的实施例1-5的荧光有机发光材料薄膜态的荧光光谱。图2绘示本专利技术的实施例1-5的荧光有机发光材料薄膜态在300k下的瞬时光谱。图3绘示本专利技术的有机电激发光装置的剖面示意图。图4绘示本专利技术的试验例1-5的有机电激发光装置的色坐标示意图。其中，附图标记：10有机电激发光装置A阳极H空穴传输层M发光层E电子传输层C阴极具体实施方式为使本领域技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。本专利技术提供一种荧光有机发光材料，其分子式为(Ar)-(Ph)-(X)，其中Ar为(DMAC)，Ph包括至少一苯环，以及X为一六元芳香环，且至少一个氮原子位于六元芳香环上。较佳地，荧光有机发光材料的分子式可如式(I)所示：其中，Y为卤素原子、三氟甲基(-CF3)或氰基(-CN)，且n为1至4的整数。更佳地，其中式(I)中Y为氰基，且n为1，荧光有机发光材料的分子式如式(II)所示：较佳地，荧光有机发光材料的分子式可如式(III)所示：其中，Z为卤素原子、三氟甲基(-CF3)或氰基(-CN)，且n为1至4的整数。更佳地，其中式(III)中Z为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(IV)所示：更佳地，其中式(III)中Z为氰基，且n为2，该荧光有机发光材料的分子式如式(V)所示：较佳地，其中该荧光有机发光材料的分子式可如式(VI)所示：其中，W为卤素原子、三氟甲基(-CF3)或氰基(-CN)，且n为1至3的整数。更佳地，其中式(VI)中W为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(VII)所示：较佳地，其中荧光有机发光材料的分子式可如式(VIII)所示：其中，S为卤素原子、三氟甲基(-CF3)或氰基(-CN)，且n为1至3的整数。更佳地，其中式(VIII)中S为氰基，且n为1，该荧光有机发光材料的分子式如式(IX)所示：实验测试仪器及条件：1H核磁共振光谱(1Hnuclearmagneticresonance，简称1HNMR)是由Varian400unityplus(400MHz)仪器所测定。样品以氘代氯仿(CDCl3)，氘代二氯甲烷(CD2Cl2)为溶剂，化学位移(chemicalshift)以ppm为单位，1HNMR以氯仿(CHCl3)为内标准，其化学位移为7.26，1HNMR以二氯甲烷(CH2Cl2)为内标准，其化学位移为5.32。其分裂形式(splittingpattern)定义如下︰s，单峰(singlet)；d，双峰(doublet)；t，三重峰(triplet)；q，四重峰(quartet)；qn，五重峰(quintet)；sex，六重峰(sextet)；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光有机发光材料，其特征在于，分子式为(Ar)‑(Ph)‑(X)，其中Ar为Ph包括至少一苯环，以及X为一六元芳香环，且至少一个氮原子位于该六元芳香环上。

【技术特征摘要】
2015.12.11 TW 1041417141.一种荧光有机发光材料，其特征在于，分子式为(Ar)-(Ph)-(X)，其中Ar为Ph包括至少一苯环，以及X为一六元芳香环，且至少一个氮原子位于该六元芳香环上。
2.根据权利要求1所述的荧光有机发光材料，其特征在于，该荧光有机发光材料的分子
式如式(I)所示：
其中，Y为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至4的整数。
3.根据权利要求2所述的荧光有机发光材料，其特征在于，式(I)中Y为氰基，且n为1，该
荧光有机发光材料的分子式如式(II)所示：
4.根据权利要求1所述的荧光有机发光材料，其特征在于，该荧光有机发光材料的分子
式如式(III)所示：
其中，Z为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至4的整数。
5.根据权利要求4所述的荧光有机发光材料，其特征在于，式(III)中Z为氰基，且n为1，
该荧光有机发光材料的分子式如式(IV)所示：
6.根据权利要求4所述的荧光有机发光材料，其特征在于，式(III)中Z为氰基，且n为2，
该荧光有机发光材料的分子式如式(V)所示：
7.根据权利要求1所述的荧光有机发光材料，其特征在于，该荧光有机发光材料的分子
式如式(VI)所示：
其中，W为卤素原子、三氟甲基或氰基，且n为1至3的整数。
8.根据权利要求7所述的荧光有机发光材料，其特征在于，式(VI)中W为氰基，且n为1，
该荧光有机发光材料的分子式如式(VII...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宏杰，陈重嘉，李孟庭，何昱仪，李书玮，汪根欉，潘冠忠，徐宜君，蔡维隆，吴忠帜，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71