一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置，用以解决现有技术中因频繁更换晶振片所造成的生产成本过高的问题。其中，所述检测装置包括检测结构和晶振片，所述检测结构上设置有与所述晶振片对应的开口，以使得蒸镀分子通过该开口沉积到所述晶振片上；所述检测装置还包括设置在所述开口与所述晶振片之间的过滤层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空蒸镀
，尤其涉及一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置。
技术介绍
目前真空蒸镀膜技术由于其工艺成熟稳定，已广泛用于有机发光二极管、太阳能电池及半导体芯片的制备中。例如在有机发光二极管的制作过程中，目前多采用真空蒸镀的工艺来制备功能层和阴极，其膜层厚度和均一性的控制对器件的性能的影响至关重要。在真空蒸镀系统中有机蒸镀分子或金属蒸镀原子通过检测器的开口沉积在晶振片上，目前多利用晶振片的压电效应来检测蒸镀源的速率，利用晶振片的固有频率的变化与膜厚之间的线性关系来时时显示蒸镀速率。然而随着蒸镀过程的进行，膜厚的增加会导致晶振片基频出现下降。基频下降的太多，振荡器不能稳定工作产生跳频现象，如果此时继续沉积膜层，就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度，晶振片上的沉积膜层到一定厚度以后，就应该更换新的晶振片，进而产生一笔较大的费用，无疑增加了工艺成本。因此回收旧晶振片或延长晶振片的寿命，已然成为控制工艺成本的一个方向。而现有技术中，对于表面膜层的材料为有机膜的失效晶体多采用有机溶剂溶解的方法和等离子灰化的方法进行清理，从而获得较为干净的晶振片，对于清洁后的晶振片是否稳定，灵敏度是否够高仍有待考究。另外对于沉积金属膜层的晶振片目前仍没有好的办法进行回收。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置，用以解决现有技术中因频繁更换晶振片所造成的生产成本过高的问题。本专利技术实施例提供了一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置，包括检测结构和晶振片，所述检测结构上设置有与所述晶振片对应的开口，以使得蒸镀分子通过该开口沉积到所述晶振片上；所述检测装置还包括设置在所述开口与所述晶振片之间的过滤层。本专利技术实施例提供的检测真空蒸镀膜厚的检测装置中，在检测结构的开口与晶振片之间设置有过滤层，通过所述过滤层减少沉积到所述晶振片上的蒸镀分子，减少单位时间沉积在晶振片上的膜层的质量，由此来延长晶振片的振动频率下降的时间，提高晶振片的使用寿命，减少蒸镀工艺成本。较佳的，所述过滤层包括两层与所述晶振片平行设置的过滤网。本专利技术实施了中所述过滤层包括两层过滤网，通过所述过滤网减少单位时间内沉积在晶振片上的膜层的质量。且当所述过滤层包括两个滤网时，不会因过滤网层数过少而不能起到减少单位时间内沉积在晶振片上的膜层的质量的作用，也不会因过滤网层数过多而使沉积在晶振片的上膜层的质量过少导致检测精度下降。较佳的，每一所述过滤网均包括多个规则排列的滤孔。当所述过滤网上的规则排列时，有利于提使蒸镀分子更均匀的扩散到晶振片上，提高晶振片频率和该晶振片上沉积质量的线性关系，提高膜层厚度的检测精确度。较佳的，所述滤孔的孔径为0.5～1㎜。当所述滤孔的孔径为0.5～1㎜时，可防止因孔径过大而不能起到减少单位时间内沉积在晶振片上的膜层的质量的作用，还可以防止因孔径过小而使沉积在晶振片的上膜层的质量过少导致检测精度下降的问题。较佳的，所述过滤网采用金属材料制作。由于金属材料具有硬度高、不易发生形变等优点，有利于蒸镀分子更均匀扩散至晶振片上，提高晶振片频率和沉积质量的线性关系，提高检测精确度。并且，采用金属材料制作所述过滤网时能够给延迟所述过滤网的使用寿命，进一步降低了蒸镀工艺的生产成本；此外，所述过滤网还可以采用具有硬度高、不易发生形变的其它材料制作，如陶瓷、钢化玻璃等。较佳的，所述开口的形状为圆形，所述过滤层的形状为倒置的圆台；所述圆台的较小底面靠近所述检测结构上的开口，所述圆台的较大底面靠近所述晶振片。所述过滤层的形状为倒置的圆台，且所述圆台的较小底面靠近所述检测结构上的开口、所述圆台的较大底面靠近所述晶振片，可使得通过所述开口卡住所述过滤层，使其固定在所述开口处而不致跌落。较佳的，所述圆台的较小底面的直径小于或等于所述开口的孔径，所述圆台的较大的底面的直径大于所述开口的孔径。当所述圆台的较小底面的直径小于或等于所述开口的孔径，而所述圆台的较大的底面的直径大于所述开口的孔径时，所述过滤层可以卡在所述开口处，便于更换和放置所述过滤层。较佳的，所述圆台的较大的底面的面积不大于所述晶振片的面积。当所述圆台的较大的底面的面积不大于所述晶振片的面积时，可使得蒸镀分子尽量多的沉积在晶振片上，防止因沉积在晶振片上膜层的质量过少导致检测精度下降的问题。较佳的，所述过滤层的形状为圆柱状，所述过滤层的侧面设置有用于使所述过滤层卡在所述开口处的阻挡结构。当所述过滤层的形状为圆柱状，通过在所述圆柱状的过滤层的侧面设置阻挡结构，通过所述阻挡结构使得所述过滤层卡在所述开口处，可以达到使所述过滤层固定在所述开口处而不致跌落的目的。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种真空蒸镀装置，所述真空蒸镀装置包括如上所述的检测装置。附图说明图1a为本专利技术实施例提供的检测装置的平面结构示意图；图1b为沿图1中A-B方向的检测装置的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种过滤层的立体结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的过滤网的平面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种过滤层的立体结构示意图；图5为晶振片的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的蒸镀装置的功能结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置，用以解决现有技术中因频繁更换晶振片所造成的生产成本过高的问题。下面结合附图对本专利技术进行说明。需要说明的是，附图仅为结构示意图，并不是真实的比例。且仅是为了更清楚的解释本专利技术，并不能限制本专利技术。参见图1a和图1b，本专利技术实施例提供的检测真空蒸镀膜厚的检测装置包括：检测结构11和晶振片12，所述检测结构11上设置有与所述晶振片对应的开口13，以使得蒸镀分子通过该开口沉积到所述晶振片12上；为了降低所述蒸镀分子在晶振片12上的沉积速度，所述检测装置还包括设置在所述开口与所述晶振片之间的过滤层14。本专利技术实施例提供的检测真空蒸镀膜厚的检测装置中，在检测结构的开口与晶振片之间设置有过滤层，通过所述过滤层减少沉积到所述晶振片上的蒸镀分子，减少单位时间沉积在晶振片上的膜层的质量，由此来延长晶振片的振动频率下降的时间，提高晶振片的使用寿命，减少蒸镀工艺成本。进一步的，参见图2，所述过滤层14包括两层与所述晶振片平行设置的过滤网15。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置，包括检测结构和晶振片，所述检测结构上设置有与所述晶振片对应的开口，以使得蒸镀分子通过该开口沉积到所述晶振片上；其特征在于，所述检测装置还包括设置在所述开口与所述晶振片之间的过滤层。

【技术特征摘要】
1.一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置，包括检测结构和晶振片，所述检
测结构上设置有与所述晶振片对应的开口，以使得蒸镀分子通过该开口沉积到
所述晶振片上；其特征在于，所述检测装置还包括设置在所述开口与所述晶振
片之间的过滤层。
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述过滤层包括两层与
所述晶振片平行设置的过滤网。
3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，每一所述过滤网均包括
多个规则排列的滤孔。
4.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述滤孔的孔径为0.5～1
㎜。
5.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述过滤网采用金属材
料制作。
6.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾文斌，彭锐，王欣欣，朱飞飞，高昕伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11