【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED领域,尤其是一种深紫外LED封装结构。
技术介绍
深紫外LED的封装其中一个要求是需要将深紫外LED置于密封无氧的环境内。现有封装条件下,受到环境的制约或封装设备的制约,不可能做到封装腔体内完全无氧,所以在深紫外LED封装完成后,总会在封装的腔体内存在少量的氧气,这些氧气被紫外线长期照射会变成臭氧,臭氧能够引起LED的光衰,加速LED的老化。为去除封装腔体内的氧气,现有技术如中国专利公开号为104269497的一种有机发光二极管封装结构及显示装置,其中该封装结构包括:一有机发光二极管基板,有机发光二极管基板表面设置有有机发光二极管器件;一封装基板,封装基板表面设置有用于吸收封装结构内部氧气的活泼金属膜层;有机发光二极管基板和封装基板的边缘通过密封胶相粘合固定以形成密封腔,有机发光二极管器件和所述活泼金属膜层位于密封腔内,活泼金属膜层吸收密封腔内残留的或者外部渗入的氧气。该技术用于OLED上,且是在封装基板上设有金属层,而金属膜层的形成工艺相对比较复杂,从材料和工艺看,增加的成本较多;另外金属膜层通过与氧气化学反应来吸收氧气的,该化学反应需要比较长的过程才能将封装腔体内的氧气完全吸收。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种深紫外LED封装结构,能够吸收密封腔体内的氧气,封装成本相对较低,工艺简单,而且吸收氧气的速度相对较快。为解决上述技术问题,本技术的技术方案是:一种深紫外LED封装结构,包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED;其特征在于:所述密封腔体的内壁设有有机硅胶 ...
【技术保护点】
一种深紫外LED封装结构,包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED;其特征在于:所述密封腔体的内壁设有有机硅胶层。
【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装结构,包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED;其特征在于:所述密封腔体的内壁设有有机硅胶层。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构,其特征在于:所述密封腔体由LED基板、设于所述LED基板上且包围所述深紫外LED的围坝和覆盖在所述围坝顶部的透明盖板构成。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构,其特征在于:所述深紫外LED设于所述LED基板上,所述有机硅胶层设于所述LED基板上,有机硅胶层上设有供深紫外LED通过的避让孔。
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕天刚,王跃飞,李坤锥,
申请(专利权)人:广州市鸿利光电股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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