本发明专利技术提供一种液晶显示器及其像素单元。其中，该像素单元适于电连接至一数据线及一第一扫描线及一第二扫描线，此像素单元包含一第一子像素单元及一第二子像素单元。第一子像素单元形成有电连接数据线的一第一切换元件、电连接至第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容。第二子像素单元形成有电连接第一切换元件的一第二切换元件、一耦合电容及电连接至第二切换元件的一第二液晶电容及一第二存储电容。且耦合电容电连接第二切换元件的一第一输出/输入端及一第二输出/输入端之间，第一切换元件的控制端及第二切换元件的控制端分别电连接第一扫描线及第二扫描线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种液晶显示器及其像素单元，特别是关于一种像素单元的不同区域具有各自的V-T特征曲线的液晶显示器及其像素单元。
技术介绍
图1为已知液晶显示器的一像素单元等效电路图。液晶显示器的一像素单元110同时具有一第一像素单元111及一第二像素单元112，且如图1所示，已知设计利用两颗薄膜晶体管T1及T2分别控制第一像素单元111及第二像素单元112的电压变化，使第一像素单元111及第二像素单元112可通过个别的γ校正曲线获得较佳的光学响应。图2为示意地显示驱动图1实施例液晶显示器的驱动架构的方框图。如图2所示，该驱动架构100包含一薄膜晶体管阵列102、一第一图像数据驱动电路104、一第二图像数据驱动电路106、及一扫描信号驱动电路108。请同时参考图1及图2，扫描信号驱动电路108产生扫描信号，经由行电极G1A-G4A耦接各个薄膜晶体管的栅极。图像数据驱动电路104依序产生对应各扫描信号的图像信号，经由列电极D1A-D4A及对应第一像素单元111的薄膜晶体管(例如薄膜晶体管T1)送到第一像素单元111；图像数据驱动电路106依序产生对应各扫描信号的图像信号，经由列电极D1B-D4B及对应第二像素单元112的薄膜晶体管(例如薄膜晶体管T2)送到第二像素单元112。虽然已知设计利用两颗薄膜晶体管T1、T2分别控制第一像素单元111及第二像素单元112的电压变化，可于单一液晶结构间隙的设计下获得良好的光学响应，但上述设计需要如图2所示较复杂的电路架构来实施不同的γ校正曲线，例如需要两个不同的图像数据驱动电路104、106及两倍的列电极，明显增加元件成本及设计复杂度。
技术实现思路
因此，本专利技术一实施例的目的在提供一种液晶显示器及其像素单元，像素单元的不同区域具有各自的V-T特征曲线，获得以一简化驱动架构及较低制造成本提供良好光学响应的效果。依本专利技术一实施例提供一种像素单元适于电连接至一数据线及一第一扫描线及一第二扫描线，此像素单元包含一第一像素单元及一第二像素单元。第一像素单元形成有电连接数据线的一第一切换元件、电连接至第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容。第二像素单元形成有电连接第一切换元件的一第二切换元件、一耦合电容及电连接至第二切换元件的一第二液晶电容及一第二存储电容。且耦合电容电连接第二切换元件的一第一输出/输入端及一第二输出/输入端之间，第一切换元件的控制端及第二切换元件的控制端分别电连接第一扫描线及第二扫描线。依本专利技术一实施例提供一种液晶显示器，其包含多条扫描线及数据线；以及多个上述像素单元。依本专利技术一实施例，上述的像素单元及液晶显示器中，第一切换元件的控制端所-->连接的扫描线及第二切换元件的控制端所连接的扫描线是为相邻，较佳地分别为第n条(n≥1；n为正整数)扫描线及第n-1条扫描线。依本专利技术一实施例提供一种像素单元，其包含一第一像素单元、一双向二极管及一第二像素单元。第一像素单元形成有一第一切换元件、电连接至该第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容。第二像素单元形成有互相电连接的一第二液晶电容及一第二存储电容。双向二极管电连接于第一液晶电容及该第二液晶电容之间。较佳地双向二极管电连接于一第一子像素电极及一第二子像素电极间。一实施例中，双向二极管包含一第一二极管晶体管及一第二二极管晶体管，且第一二极管晶体管的第二端及第三端间形成一第一寄生电容；于第二二极管晶体管的第二端及第三端间形成一第二寄生电容。一实施例中，第一二极管晶体管的第三端电连接第二像素单元的第二存储电容及第二液晶电容；第二二极管晶体管的第三端电连接于第一像素单元的第一存储电容及第一液晶电容。依本专利技术一实施例，能够利用一般的薄膜晶体管工艺形成，可获得使同一像素单元具有两组不同的V-T特征曲线的效果。附图说明图1为已知液晶显示器的一像素单元的等效电路图。图2为示意地显示驱动图1实施例液晶显示器的驱动架构的方框图。图3为示意地显示依本专利技术的一实施例的液晶显示器的简图。图4为显示图3实施例的液晶显示器的等效电路图。图5为显示依本专利技术一实施例的液晶显示器的等效电路图。10、30 像素单元11、31 第一子像素单元12、32 第二子像素单元22 第一子像素电极24 第二子像素电极40 双向二极管411 第一二极管晶体管的第一端412 第一二极管晶体管的第二端413 第一二极管晶体管的第三端421 第二二极管晶体管的第一端422 第二二极管晶体管的第二端423 第二二极管晶体管的第三端Cgs1、Cgs2 寄生电容Clc1、Clc2 液晶电容Cs1、Cs2 存储电容Cx 耦合电容D，D(m) 数据线D1 第一二极管晶体管D2 第二二极管晶体管-->D1A、D2A、D3A、D4A、D1B、D2B、D3B、D4B 列电极G，G(n) 扫描线G1A、G2A、G3A、G4A 行电极T1 第一薄膜晶体管T2 第二薄膜晶体管Vcom 共用电极电位具体实施方式图3为示意地显示依本专利技术的一实施例的液晶显示器的简图，图4为显示图3实施例的液晶显示器的等效电路图。请同时参考图3及图4，依本专利技术一实施例液晶显示器包含多个像素单元10、多条扫描线G及数据线D、共用电极(未图示)以及液晶层(未图示)，每一像素单元10包含一第一薄膜晶体管T1、及一第二薄膜晶体管T2、一第一子像素电极22、一第二子像素电极24。其中每一个像素单元10即例如为一红色(R)像素、绿色(G)像素或是蓝(B)像素。像素单元10(pixel unit)分为一第一子像素单元(first sub-pixel unit)11及一第二子像素单元12(second sub-pixel unit)，第一子像素单元11上形成有一第一薄膜晶体管T1、一存储电容Cs1与一液晶电容Clc1，液晶电容Clc1是由第一子像素电极22与共用电极(未图示)间隔液晶层(未图示)形成，且存储电容Cs1与液晶电容Clc1均电连接至第一薄膜晶体管T1。第二子像素单元12上形成有一第二薄膜晶体管T2、一存储电容Cs2、一液晶电容Clc2及一耦合电容Cx，液晶电容Clc2是由第二子像素电极24与共用电极(未图示)间隔液晶层(未图示)形成，且存储电容Cs2与液晶电容Clc2均电连接至薄膜晶体管T2，而耦合电容Cx的两端电连接于第二薄膜晶体管T2的源极及漏极之间，并电连接于第一子像素电极22及第二子像素电极24。第一薄膜晶体管T1的栅极电连接此些扫描线G中的一第n条扫描线G(n)，其源极电连接数据线D中的一第m条数据线D(m)，及其漏极电连接第二薄膜晶体管T2的源极，且第二薄膜晶体管T2的栅极电连接至相邻扫描线G(n)的此些扫描线G中的一第n-1条扫描线G(n-1)。第n-1条扫描线G(n-1)为第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素单元，适于电连接至一数据线及一第一扫描线及一第二扫描线，其特征在于，所述像素单元包含：一第一子像素单元，其形成有电连接所述数据线的一第一切换元件、电连接至所述第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容；以及一第二子像素单元，其形成有电连接所述第一切换元件的一第二切换元件、一耦合电容及电连接至所述第二切换元件的一第二液晶电容及一第二存储电容；其中所述耦合电容电连接所述第二切换元件的一第一输出/输入端及一第二输出/输入端之间；所述第一切换元件的控制端及所述第二切换元件的控制端分别电连接所述第一扫描线及所述第二扫描线。
【技术特征摘要】
1.一种像素单元，适于电连接至一数据线及一第一扫描线及一第二扫描线，其特征在于，所述像素单元包含：一第一子像素单元，其形成有电连接所述数据线的一第一切换元件、电连接至所述第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容；以及一第二子像素单元，其形成有电连接所述第一切换元件的一第二切换元件、一耦合电容及电连接至所述第二切换元件的一第二液晶电容及一第二存储电容；其中所述耦合电容电连接所述第二切换元件的一第一输出/输入端及一第二输出/输入端之间；所述第一切换元件的控制端及所述第二切换元件的控制端分别电连接所述第一扫描线及所述第二扫描线。2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一扫描线及所述第二扫描线是为相邻。3.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一及所述第二切换元件分别由一第一及一第二薄膜晶体管所构成，所述耦合电容电连接所述第二薄膜晶体管的源极及漏极，所述第一薄膜晶体管的源极电连接所述数据线，且所述第一薄膜晶体管的漏极电连接所述第二薄膜晶体管的源极。4.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一液晶电容是由一第一子像素电极及一共用电极间隔一液晶层形成，且所述第二液晶电容是由一第二子像素电极及一共用电极间隔一液晶层形成。5.一种像素单元，其特征在于，所述的像素单元包含：一第一子像素单元，其形成有一第一切换元件、电连接至所述第一切换元件的一第一液晶电容及一第一存储电容；一第二子像素单元，其形成有互相电连接的一第二液晶电容及一第二存储电容；以及一双向二极管，电连接于所述第一液晶电容及所述第二液晶电容之间。6.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述双向二极管包含一第一二极管晶体管及一第二二极管晶体管，且所述第一二极管晶体管的第一端电连接于所述第二二极管晶体管的第二端；所述第一二极管晶体管的第二端电连接于所述第二二...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文俊，詹建廷，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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