数据储存器件及其操作方法技术

一种数据储存器件包括：存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过从相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从存储器器件中的虚拟区域选择虚拟页面而非主要页面，而形成虚拟超级页面。

【技术实现步骤摘要】
相关申请交叉引用本申请要求2014年11月11日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0156107的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
各种实施例一般涉及一种半导体装置，尤其涉及最大化半导体存储器装置的交叉存取(interleaving)性能。
技术介绍
半导体装置(具体地，半导体存储器装置)可以用于储存数据。存储器装置一般可以分成非易失性类型和易失性类型。非易失性存储器装置即使被断开电源时仍会保留所储存的数据。非易失性存储器装置可以包括闪存装置，诸如与非(NAND)快闪和或非(NOR)快闪、铁电随机存取存储器(ferroelectricrandomaccessmemory，FeRAM)、相变随机存取存储器(phasechangerandomaccessmemory，PCRAM)、磁阻随机存取存储器(magnetoresistiverandomaccessmemory，MRAM)或电阻随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，ReRAM)。易失性存储器装置在断开电源时丢失所储存的数据。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，SRAM)或动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)。由于易失性存储器装置具有相对较高的处理速度，因此在数据处理系统中，易失性存储器装置一般用作缓冲存储器装置、高速缓冲存储器装置、工作存储器装置等。
技术实现思路
各种实施例针对一种其中交叉存取性能和空间利用效率最大化的数据储存器件。在实施例中，数据储存器件可以包括：存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过从相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从在存储器器件中的虚拟区域选择虚拟页面来代替所述主要页面，而形成虚拟超级页面。在实施例中，数据储存器件可以包括存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过参照坏区域信息而在存储器器件之上形成超级页面或虚拟超级页面，并且以交错方案存取超级页面或虚拟超级页面。在实施例中，数据储存器件可以包括非易失性存储器器件，其包括主要区域和虚拟区域；以及处理器，其适合于通过参照坏区域信息来存取主要区域或虚拟区域，其中所述坏区域信息包括关于主要区域中被处理为坏区域的主要页面的信息。附图说明图1为例示根据实施例的数据储存器件的示例的框图。图2为例示图1所示的第一存储器器件的示例的框图。图3至图5为例示由图1所示的超级页面管理单元在第一存储器器件和第二存储器器件之上形成的超级页面和虚拟超级页面的示例的示意图。图6为辅助说明图1所示的超级页面管理单元的操作方法的流程图。图7和图8为辅助说明图1所示的超级页面管理单元用于形成超级页面的其他方法的示意图。具体实施方式在下文中，数据储存器件及其操作方法以下将会通过本专利技术的各种实施例参照附图进行描述。然而，本专利技术可以以不同形式体现，且不应被理解为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例以详细说明本专利技术达到本专利技术所属
的技术人员能够容易实施本专利技术的技术概念的程度。在本文中，应理解本专利技术的实施例不限于附图所示的细节，且附图不必按比例绘制，且在某些实例中比例可以被夸大以更清楚地描绘本专利技术的某些特征。虽然本文使用特定术语，但是应理解，本文所使用的术语仅为了说明特定实施例的目的，且不意在限制本专利技术的范围。图1为例示根据实施例的数据储存器件10的示例的框图。数据储存器件10可以被配置成响应于来自外部器件的写入请求，储存从外部器件(未显示)提供的数据。此外，数据储存器件10可以被配置成响应于来自外部器件的读取请求，将所储存的数据提供给外部器件。数据储存器件10可以被配置成：个人计算机存储卡国际协会(personalcomputermemorycardinternationalassociation，PCMCIA)卡、小型快速闪存(compactflash，CF)卡、智能媒体卡、存储器棒、形式为MMC、eMMC、RS-MMC及MMC-微型(MMC-micro)的多媒体卡、形式为SD、迷你-SD(mini-SD)及微型-SD(micro-SD)的安全数字卡、通用快闪存储装置(universalflashstorage，UFS)或固态驱动器。数据储存器件10可以包括控制器100和储存媒体200。控制器100可以包括处理器110和存储器120。处理器110可以控制数据储存器件10的一般操作。例如，处理器110可以响应于来自外部器件的写入请求或读取请求，控制储存媒体200的写入操作或读取操作。处理器110可以在存储器120上驱动用于控制数据储存器件10的操作的软件程序。处理器110可以分别管理被判定为不再确保所储存的数据的可靠性的坏区域。处理器110可以基于各种区域单元来管理坏区域。例如，处理器110可以将坏页面处理为坏区域。处理器110可以将与坏页面共享字线的页面处理为坏区域。在包括与对应于坏页面的字线相邻的多个字线的字线区中，处理器110可以将对应于字线区的所有页面都处理为坏区域。处理器110可以将坏区域的地址管理为坏区域信息125。处理器110可以通过参照坏区域信息125而执行控制任务，使得数据不被写入坏区域。在交叉存取方案中，处理器110可以访问在第一存储器器件210和第二存储器器件220之上形成的超级页面或虚拟超级页面。处理器110可以访问超级页面或虚拟超级页面以处理至少一个写入请求。处理器110可以包括超级页面管理单元115。超级页面管理单元115可以在所有存储器器件210和220之上形成超级页面或虚拟超级页面，使得可以最大化处理器110的交叉存取性能。超级页面管理单元115可以通过参照坏区域信息125而形成超级页面或虚拟超级页面。详细来说，超级页面管理单元115可以通过仅选择相应的第一存储器器件210和第二存储器器件220中主要区域MR1和MR2的主要页面，而形成超级页面。超级页面管理单元115可以通过在相应的第一存储器器件210和第二存储器器件220中选择主要区域MR1和MR2的主要页面以及虚拟区域VR1和VR2的虚拟页面，而形成虚拟超级页面。超级页面管理单元115在超级页面管理单元115不能够选择主要区域MR1和MR2的主要页面的情况下，可以选择虚拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据储存器件，包含：存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过从所述相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从所述存储器器件中的虚拟区域选择虚拟页面而非所述主要页面，而形成虚拟超级页面。

【技术特征摘要】
2014.11.11 KR 10-2014-01561071.一种数据储存器件，包含：
存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及
处理器，其适合于通过从所述相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，
其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从所述存储器
器件中的虚拟区域选择虚拟页面而非所述主要页面，而形成虚拟超级页面。
2.如权利要求1所述的数据储存器件，其中所述处理器通过从所述相应的主要区域选择
具有参考偏移值的所述主要页面而形成所述超级页面。
3.如权利要求1所述的数据储存器件，其中所述处理器存取所述超级页面或所述虚拟超
级页面以处理至少一个写入请求。
4.如权利要求1所述的数据储存器件，其中所述处理器以交错方案存取所述超级页面或
所述虚拟超级页面。
5.如权利要求1所述的数据储存器件，其中所述处理器通过将储存于所述虚拟区域中的
有效数据复制到所述主要区域，而重新使用所述虚拟区域以形成所述虚拟超级页面。
6...

【专利技术属性】
技术研发人员：边谕俊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR