一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法，该驱动电路包括：扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置；扫描晶体管的栅极连接扫描信号，其源极连接数据信号；驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极，其漏极连接电压源，其源极通过发光二极管接地，其中，所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接，发光二极管的阴极接地；所述存储电容的一个极板连接所述电压源，另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极；光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接，所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。该驱动电路可以实现对发光二极管发光强度的测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，更具体的说涉及一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法。
技术介绍
发光二极管根据化学性质划分为有机发光二极管(OLED)与无机发光二极管(LED)。采用发光二极管制备的显示装置由于其具有亮度高、使用寿命长以及可视角大等有点，成为当今主流显示装置种类之一。现有的发光二极管制备的显示装置在进行性能测试时，只能测试整体所有像素单元中发光二极管的发光强度，不能进行单个像素的发光二极管的发光强度测试。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术技术方案提供了一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法，所述技术方案能够测试单个像素发光二极管的发光强度。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示装置的驱动电路，所述驱动电路包括：一种显示装置的驱动电路，该驱动电路包括：扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置；所述扫描晶体管的栅极连接扫描信号，其源极连接数据信号；所述驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极，其漏极连接电压源，其源极通过发光二极管接地，其中，所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接，所述发光二极管的阴极接地；所述存储电容的一个极板连接所述电压源，另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极；所述光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接，所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。<br>优选的，在上述驱动电路中，所述扫描晶体管为底栅型TFT；其中，所述底栅型TFT的源极电极以及漏极电极均为透明电极；所述底栅型TFT的漏极以及源极朝向所述发光二极管设置，用于获取所述发光二极管的发射光，所述底栅型TFT的栅极背离所述发光二极管设置。优选的，在上述驱动电路中，所述透明电极为ITO电极、或纳米银电极、或石墨烯电极、或金属网格电极、或碳纳米管电极。优选的，在上述驱动电路中，所述扫描晶体管为顶栅型TFT；其中，所述顶栅型TFT的源极以及漏极朝向所述发光二极管设置，用于获取所述发光二极管的发射光，所述顶栅型TFT的栅极背离所述发光二极管设置。优选的，在上述驱动电路中，所述扫描晶体管的栅极与源极采用非晶硅材料或是低温多晶硅材料制备。优选的，在上述驱动电路中，所述发光二极管为有机发光二极管或是无机发光二极管。优选的，在上述驱动电路中，所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为PMOS管。优选的，在上述驱动电路中，所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为NMOS管。本专利技术还提供了一种驱动方法，用于上述任一项所述的驱动电路，该驱动方法包括：为所述扫描晶体管的栅极提供第一电平的扫描信号，控制所述扫描晶体管以及所述驱动晶体管导通，从而使得所述存储电容充电以及所述发光二极管发光；为所述扫描晶体管的栅极提供第二电平的扫描信号，控制所述扫描晶体管断开，通过所述存储电容放电保持所述驱动晶体管导通，从而使得所述发光二极管持续发光；在所述扫描晶体管断开后，通过所述光电流检测装置获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。优选的，在上述驱动方法中，所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为NMOS管，所述为所述扫描晶体管的栅极提供第一电平的扫描信号是：为所述扫描晶体管的栅极提供大于所述NMOS晶体管栅极导通阈值电压的扫描信号。优选的，在上述驱动方法中，所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为PMOS管，所述为所述扫描晶体管的栅极提供第一电平的扫描信号是：为所述扫描晶体管的栅极提供小于所述PMOS晶体管栅极导通阈值电压的扫描信号。本专利技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括：多个像素单元以及用于驱动所述像素单元的驱动电路；其中，所述驱动电路为上述任一项所述的驱动电路。通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供所述驱动电路包括：扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置；所述扫描晶体管的栅极连接扫描信号，其源极连接数据信号；所述驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极，其漏极连接电压源，其源极通过发光二极管接地，其中，所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接，所述发光二极管的阴极接地；所述存储电容的一个极板连接所述电压源，另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极；所述光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接，所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。所述驱动电路通过设置与所述扫描晶体管连接的光电流检测装置，在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流，以实现对单个像素的发光二极管发光强度的测试，便于显示装置性能测试以及坏点像素的维修排查。本专利技术还提供了一种用于驱动上述驱动电路的驱动方法，能够在所述发光二极管进行发光显示的同时实现对其发光强度的测试。本专利技术还提供了一种显示装置，所述显示装置的每个像素均采用上述驱动电路进行驱动显示，在所述发光二极管进行发光显示的同时实现对其发光强度的测试。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种驱动电路的结构示意图；图2为图1所示驱动电路进行扫描驱动时扫描晶体管、存储电容以及驱动晶体管的波形图；图3为本申请实施例提供的一种扫描晶体管的感光原理示意图；图4为本申请实施例提供的另一种扫描晶体管的感光原理示意图；图5为本申请实施例提供的一种驱动方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中对发光二级管构成的显示装置进行发光强度测试时，只能测试整体所有像素单元中发光二极管的发光强度，不能进行单个像素的发光二极管的发光强度测试。因此，在对显示装置进行维护时，不容易确定坏点像素的位置，不便于设备检修。参考图1，图1为本申请实施例提供的一种显示装置的驱动电路10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置的驱动电路，其特征在于，包括：扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置；所述扫描晶体管的栅极连接扫描信号，其源极连接数据信号；所述驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极，其漏极连接电压源，其源极通过发光二极管接地，其中，所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接，所述发光二极管的阴极接地；所述存储电容的一个极板连接所述电压源，另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极；所述光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接，所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的驱动电路，其特征在于，包括：扫描晶体管、驱动晶
体管、存储电容以及光电流检测装置；
所述扫描晶体管的栅极连接扫描信号，其源极连接数据信号；
所述驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极，其漏极连接电压源，
其源极通过发光二极管接地，其中，所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体
管的源极连接，所述发光二极管的阴极接地；
所述存储电容的一个极板连接所述电压源，另一个极板连接所述驱动晶
体管的栅极；
所述光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接，所述光电流检测装
置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管
发射光而产生的光电流。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述扫描晶体管为底
栅型TFT；
其中，所述底栅型TFT的源极电极以及漏极电极均为透明电极；所述底
栅型TFT的漏极以及源极朝向所述发光二极管设置，用于获取所述发光二极
管的发射光，所述底栅型TFT的栅极背离所述发光二极管设置。
3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述透明电极为ITO
电极、或纳米银电极、或石墨烯电极、或金属网格电极、或碳纳米管电极。
4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述扫描晶体管为顶
栅型TFT；
其中，所述顶栅型TFT的源极以及漏极朝向所述发光二极管设置，用于
获取所述发光二极管的发射光，所述顶栅型TFT的栅极背离所述发光二极管
设置。
5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述扫描晶体管的栅
极与源极采用非晶硅材料或是低温多晶硅材料制备。
6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙浩，阳光，张振华，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11