晶片封装体及其制造方法技术

一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明专利技术不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种晶片封装体及其制造方法。
技术介绍
指纹感测装置(fingerprintsensor)或射频感测装置(RFsensor)需利用平坦的感测面来侦测信号。若感测面不平整，会影响感测装置侦测时的准确度。举例来说，当指头按压于指纹感测装置的感测面时，若感测面不平整，将难以侦测到完整的指纹。此外，上述的感测装置在制作时，会先于晶圆中形成硅穿孔(ThroughSiliconVia；TSV)，使焊垫从硅穿孔裸露。接着，会以化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition；CVD)在焊垫上与硅穿孔的壁面上形成绝缘层。之后，还需通过图案化制程于焊垫上的绝缘层形成开口。一般而言图案化制程包含曝光、显影与蚀刻制程。在后续制程中，重布线层便可形成在绝缘层上并电性连接绝缘层开口中的焊垫。然而，化学气相沉积与图案化制程均需耗费大量的制程时间与机台的成本。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为一种晶片封装体。根据本专利技术一实施方式，一种晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。阻隔层具有开口，使重布线层从开口裸露。导电结构位于开口中的重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本专利技术的一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。根据本专利技术一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包含下列步骤。(a)提供晶圆与激光阻档件，其中晶圆具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面，且焊垫位于第一表面，激光阻档件位于焊垫上。(b)于晶圆的第一表面暂时接合支撑件。(c)在晶圆的第二表面中形成第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。(d)于晶圆的第二表面上与第一穿孔中形成绝缘层，其中绝缘层具有相对第二表面的第三表面。(e)使用激光贯穿绝缘层与焊垫以形成第二穿孔，其中激光由激光阻档件阻挡，且激光阻档件从第二穿孔裸露。(f)于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上电镀重布线层。在本专利技术上述实施方式中，由于激光阻档件位于焊垫上，因此当激光贯穿绝缘层与焊垫时，激光可由激光阻档件阻挡，并于绝缘层与焊垫中形成裸露激光阻档件的第二穿孔。待第二穿孔形成后，便可电镀重布线层于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。其中，第二穿孔的壁面包含焊垫的表面与绝缘层的表面，使得重布线层可电性连接焊垫。本专利技术的晶片封装体及其制造方法可省略已知化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，能节省制程的时间与机台的成本。此外，晶片的第一表面未经额外的加工，因此平坦性佳，可提升晶片封装体侦测时的准确度。附图说明图1绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体的俯视图。图2绘示图1的晶片封装体沿线段2-2的剖面图。图3绘示图2的晶片封装体的局部放大图。图4绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体的制造方法的流程图。图5绘示根据本专利技术一实施方式的晶圆与激光阻档件的剖面图。图6绘示图5的晶圆接合支撑件后的剖面图。图7绘示图6的晶圆形成第一穿孔后的剖面图。图8绘示图7的晶圆的第二表面上与第一穿孔中形成绝缘层后的剖面图。图9绘示图8的绝缘层与焊垫中形成第二穿孔后的剖面图。图10绘示图9的绝缘层的第三表面、第二穿孔的壁面与激光阻档件上形成重布线层后的剖面图。图11绘示图10的绝缘层与重布线层上形成阻隔层后的剖面图。图12绘示图11的重布线层上形成导电结构后的剖面图。其中，附图中符号的简单说明如下：100：晶片封装体110：晶片110a：晶圆111：第一表面112：焊垫113：第二表面114：第一穿孔115：表面120：激光阻档件122：第四表面140：绝缘层141：第三表面142：表面150：第二穿孔152：壁面160：重布线层170：阻隔层172：开口180：导电结构190：空穴210：支撑件2-2：线段D1～D2：孔径D3～D5：厚度L1：线段L2：线段S1～S6：步骤。具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。图1绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体100的俯视图。图2绘示图1的晶片封装体100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2，晶片封装体100包含感测晶片110、激光阻档件120、绝缘层140、重布线层160(RedistributionLayer；RDL)、阻隔层170与导电结构180。晶片110具有焊垫112、及相对的第一表面111与第二表面113。第一表面111为感测面。焊垫112位于第一表面111上。第二表面113具有第一穿孔114，使焊垫112从第一穿孔114裸露。激光阻档件120位于焊垫112上。绝缘层140位于晶片110的第二表面113上与第一穿孔114中，且绝缘层140具有相对第二表面113的第三表面141。绝缘层140与焊垫112共同具有第二穿孔150，使激光阻档件120从第二穿孔150裸露。重布线层160位于绝缘层140的第三表面141上、第二穿孔150的壁面上与第二穿孔150中的激光阻档件120上。阻隔层170位于绝缘层140的第三表面141上与重布线层160上。阻隔层170具有开口172，使重布线层160从阻隔层170的开口172裸露。导电结构180位于开口172中的重布线层160上，使导电结构180通过重布线层160电性连接焊垫112。在本实施方式中，晶片封装体100可以为指纹感测装置(fingerprintsensor)或射频感测装置(RFsensor)，但并不用以限制本专利技术。晶片110的材质可以包含硅。激光阻档件120的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包含：一晶片，具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，其中该焊垫位于该第一表面上，该第二表面具有一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸露；一激光阻档件，位于该焊垫上；一绝缘层，位于该第二表面上与该第一穿孔中，该绝缘层具有相对该第二表面的一第三表面，该绝缘层与该焊垫共同具有一第二穿孔，使该激光阻档件从该第二穿孔裸露；一重布线层，位于该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔中的该激光阻档件上；一阻隔层，位于该第三表面上与该重布线层上，该阻隔层具有一开口，使该重布线层从该开口裸露；以及一导电结构，位于该开口中的该重布线层上，使该导电结构电性连接该焊垫。

【技术特征摘要】
2014.11.12 US 62/078,8761.一种晶片封装体，其特征在于，包含：
一晶片，具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，其中该焊垫
位于该第一表面上，该第二表面具有一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸
露；
一激光阻档件，位于该焊垫上；
一绝缘层，位于该第二表面上与该第一穿孔中，该绝缘层具有相对该第
二表面的一第三表面，该绝缘层与该焊垫共同具有一第二穿孔，使该激光阻
档件从该第二穿孔裸露；
一重布线层，位于该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔
中的该激光阻档件上；
一阻隔层，位于该第三表面上与该重布线层上，该阻隔层具有一开口，
使该重布线层从该开口裸露；以及
一导电结构，位于该开口中的该重布线层上，使该导电结构电性连接该
焊垫。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻档件的材
质包含金。
3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的孔径
小于该第一穿孔的孔径。
4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有一空穴，且该
空穴位于该阻隔层与该第二穿孔中的该重布线层之间。
5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的该壁
面为一粗糙面。
6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻档件具有
朝向该重布线层的一第四表面，且该第四表面为一粗糙面。
7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该绝

\t缘层的该第三表面上的厚度大于该重布线层在该第二穿孔的该壁面上的厚
度。
8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该第
二穿孔的该壁面上的厚度大于该重布线层在该激光阻档件上的厚度。
9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的材质包
含环氧树脂。
10.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：
(a)提供一晶圆与一激光阻档件，其中该晶圆具有一焊垫...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建宏，温英男，李士仪，姚皓然，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71