【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请根据35U.S.C.§119，要求2013年8月8日提交的美国临时申请系列第61/863560号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
本专利技术属于制造光纤的方法。更具体地，本专利技术涉及提供光纤的加工方法，所述光纤对于氢展现出降低的敏感度。更具体地，本专利技术涉及制造光纤的方法，其采用受控冷却方案使得形成非桥接氧缺陷最小化。专利技术背景在光纤的制造中，将光学预成形件加热至远高于玻璃软化点的温度，然后以大的下拉比例进行拉制，以形成直径为125um的光纤。由于高拉制温度、大下拉比例和快拉制速度，会破坏光纤的玻璃基质中的二氧化硅键合并且会诱发缺陷。部分此类缺陷是如非桥接氧(NBO)缺陷之类的氧化缺陷，其甚至可以在室温下与氢反应形成氢氧根物质。在光纤中形成氢氧根物质是不合乎希望的，因为氢氧根物质在电信窗口的波长处发生吸收，并导致光纤信号在电信窗口中的传输损耗增加。因此，开发用于电信系统中的具有降低的氢敏感性的光纤是至关重要的。
技术实现思路
本专利技术提供了制造光纤的方法。光纤具有低浓度的非桥接氧缺陷以及对于氢的低敏感度。该方法包括受控的冷却方案，其抑制了非桥接氧缺陷的形成或者促进了非桥接氧缺陷的去除。该方法可以包括：以小于5000℃/s的平均冷却速率对光纤进行冷却，其中，该冷却将光纤的平均温度从1500-1700℃的温度范围降低至1200-1400℃的温度范围。
【技术保护点】
一种对光纤进行加工的方法，该方法包括：提供光纤，所述光纤的平均温度大于或等于1700℃；以第一冷却速率对所述光纤进行冷却，所述第一冷却速率小于5000℃/s，所述冷却以所述第一冷却速率将所述平均光纤温度从第一温度降低至第二温度，所述第一温度为1500‑1700℃，以及所述第二温度为1200‑1400℃；以及以第二冷却速率对所述光纤进行冷却，所述第二冷却速率大于5000℃/s且小于12000℃/s，所述冷却以所述第二冷却速率将所述光纤的所述平均温度从第三温度降低至第四温度，所述第三温度为1200‑1400℃，以及所述第四温度为1000‑1175℃。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.08 US 61/863,5601.一种对光纤进行加工的方法，该方法包括：
提供光纤，所述光纤的平均温度大于或等于1700℃；
以第一冷却速率对所述光纤进行冷却，所述第一冷却速率小于5000℃/s，
所述冷却以所述第一冷却速率将所述平均光纤温度从第一温度降低至第二温
度，所述第一温度为1500-1700℃，以及所述第二温度为1200-1400℃；以及
以第二冷却速率对所述光纤进行冷却，所述第二冷却速率大于5000℃/s且
小于12000℃/s，所述冷却以所述第二冷却速率将所述光纤的所述平均温度从第
三温度降低至第四温度，所述第三温度为1200-1400℃，以及所述第四温度为
1000-1175℃。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一冷却速率为
2000-4000℃/s。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述冷却以所述第一冷却
速率进行至少0.05秒。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述冷却以所述第一冷却
速率进行0.05-0.3秒。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，以所述第一冷却速
率进行所述冷却包括使得所述光纤通过经加热的区域，所述经加热的区域的温
度为800-1500℃。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二冷却速率
大于6000℃/s且小于11000℃/s。
7.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二冷却速率
大于5800℃/s。
8.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第四温度为
1000-1100℃。
9.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，在第一气体环境中，
以所述第一冷却速率进行所述冷却，所述第一气体环境基本由如下气体构成，
在从所述第一温度到所述第二温度的温度范围内，该气体的平均热导率小于空
气的热导率。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在气体环境中，以所述第二
冷却速率进行所述冷却，所述气体环境基本由如下气体构成，在从所述第三温
度到所述第四温度的温度范围内，...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·邓伍迪，R·C·穆尔，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。