白光发光装置制造方法及图纸

一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层。发光芯片可发出波峰波长介于390至430nm的光。荧光体层包括第一、第二、第三荧光材料。第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光。第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光。第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光。该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有高演色性的白光发光装置。
技术介绍
现有照明用的光源演色性越高，可使被照物体所呈现的颜色越真实，反之，若演色性越低，会使被照物体所呈现的颜色越失真。现有利用半导体芯片发光的光源，例如LED光源，在色温5000K以下的，通常演色性无法达到平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90，尤其是R9及R12通常其中之一的值无法大于90。由于LED光源具有节能省电、环保、使用寿命长等优点，如何达到更高的演色性以扩展LED光源的应用领域，是需要解决的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有高演色性的白光发光装置。本专利技术白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，且在490nm波长的发光强度IG(490nm)与峰值波长的发光强度IG(Wp)的比值不小于0.3，即IG(490nm)/IG(Wp)≧0.3，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光，且在580nm波长的发光强度IR(580nm)与峰值波长的发光强度IR(Wp)的比值不小于0.3，即IR(580nm)/IR(Wp)≧0.3；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。在一些实施态样中，该发光芯片的峰值波长发光强度IC(Wp)、该第一荧光材料的峰值波长发光强度IB(Wp)、该第二荧光材料的峰值波长发光强度IG(Wp)及该第三荧光材料的峰值波长发光强度IR(Wp)的比值为：IC(Wp):IB(Wp):IG(Wp):IR(Wp)＝(3.4～5.2)：1：(1～1.6)：(1～1.5)。在一些实施态样中，该第三荧光材料发出的光的半高宽(FWHM)大于100nm。在一些实施态样中，该第一荧光材料为钡铝酸盐荧光粉、该第二荧光材料为硅酸盐荧光粉及该第三荧光材料为含有铕赋活的氮化物荧光粉或氮氧化物荧光粉。在一些实施态样中，还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光材料总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。本专利技术白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光；以波长450-470nm为第I区、470-520nm为第II区、520-530nm为第III区、530-580nm为第IV区、580-630nm为第V区，该白光发光装置形成的整体混光的光谱在前述波长区间中至少有两区的波形分布趋势与其对应色温的参考光源的光谱在对应的区间的波形分布趋势相同，使得色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。在一些实施态样中，将前述第I、II区定义为第一群组，将前述第III、IV、V区定义为第二群组，该白光发光装置形成的整体混光光谱在该第一、第二群组中分别至少有一区的波形分布趋势与该参考光源光谱在对应的区间的波形分布趋势相同。在一些实施态样中，该白光发光装置形成的整体混光的光谱于前述第III、IV、V区为连续且近乎平坦的波形分布。本专利技术白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一蓝色荧光粉及一红色荧光粉；该蓝色荧光粉化学式为BaMgAl10O17:Eu；该红色荧光粉化学式为CaAlSi(ON)3:Eu；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。在一些实施态样中，该蓝色荧光粉、该绿色荧光粉与该红色荧光粉的混合比例为8:1:2。在一些实施态样中，还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光粉总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。本专利技术的有益效果在于：本专利技术借由近紫外光(near-UV)芯片搭配具有特定发光波长及光谱的荧光材料，可使整体混光的色温在5000K以下且演色性达到平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90的高演色性。附图说明图1是一立体图，说明本专利技术白光发光装置的第一实施例；图2是一俯视图，说明该第一实施例；图3是一光谱图，说明该第一实施例中第一、第二、第三荧光材料的发光光谱；图4是一光谱图，说明该第一实施例的整体混光光谱；图5为色温5000K的参考光源的光谱图；图6为本专利技术白光发光装置的第二实施例整体混光的光谱图；图7为色温2700K的参考光源的光谱图；及图8是一立体图，说明本专利技术白光发光装置的第三实施例。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。在本专利技术被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。参阅图1与图2，本专利技术白光发光装置的第一实施例包含一基座1、一发光芯片2及一荧光体层3。该基座1具有一导线架11及一与该导线架11结合的外框12，其中上述二者界定一容置空间121用于容纳设于该导线架11的该发光芯片2。并以金属线4与该导线架11形成电连接。在本实施例中，该发光芯片2为近紫外光(near-UV)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特征在于：该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，且在490nm波长的发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光，且在580nm波长的发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。

【技术特征摘要】
1.一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特
征在于：
该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包
括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧
光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材
料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，且在490nm波长的
发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3，该第三荧光材
料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光，且在580nm波长的
发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3；该白光发光装
置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊
演色评价数R9至R15的值都大于90。
2.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该发光
芯片的峰值波长发光强度、该第一荧光材料的峰值波长发光强度、
该第二荧光材料的峰值波长发光强度及该第三荧光材料的峰值波长
发光强度的比值为：(3.4～5.2)：1：(1～1.6)：(1～1.5)。
3.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该第三
荧光材料发出的光的半高宽大于100nm。
4.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该第一
荧光材料为钡铝酸盐荧光粉、该第二荧光材料为硅酸盐荧光粉及该
第三荧光材料为含有铕赋活的氮化物荧光粉或氮氧化物荧光粉。
5.如权利要求1至4其中任一项所述的白光发光装置，其特
征在于：该白光发光装置还包含一基座，且该基座具有一导线架及
一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，
该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括
一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所
述荧光材料总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝
-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代
表所述荧光材料总和的重量百分比。
6.一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特

\t征在于：该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体
层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第
一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧
光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，该第三荧光材
料...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕璇，徐世昌，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32