装置的制造方法制造方法及图纸

本申请案涉及一种包含膜的装置及其制造方法。实施方式的装置的制造方法是在具有第1面及第2面的衬底的第2面侧形成膜，从第1面侧以使膜残留的方式在衬底局部地形成槽，并从第2面侧向膜喷射物质，去除形成有槽的部位的第2面侧的膜。

【技术实现步骤摘要】
相关申请案本申请案享有以日本专利申请2014-231874号(申请日：2014年11月14日)、日本专利申请2014－231875号(申请日：2014年11月14日)及日本专利申请2015-14569号(申请日：2015年1月28日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照所述多个基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种包含金属膜、树脂膜等膜的装置及其制造方法。
技术介绍
沿着设于半导体衬底的切割区域对形成于晶片等半导体衬底上的多个半导体元件进行模切，由此分割成多个半导体芯片。在半导体衬底的一面形成有作为半导体元件的电极的金属膜、或黏晶膜等树脂膜的情况下，模切时需要也去除切割区域的金属膜或树脂膜。作为去除金属膜或树脂膜的方法，例如有如下方法：通过片切割(bladedicing)而将半导体衬底、与金属膜或树脂膜同时去除。在此情况下，金属膜或树脂膜容易产生突起(毛刺)等形状异常。若产生金属膜或树脂膜的形状异常，则半导体芯片被判定为外观检查不良、或产生底板与半导体芯片的接合不良，使得制品良率下降，而成为问题。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够抑制加工膜时的形状异常的装置及其制造方法。实施方式的装置的制造方法是在具有第1面及第2面的衬底的所述第2面侧形成膜，从所述第1面侧以使所述膜残留的方式在所述衬底局部地形成槽，且从所述第2面侧向所述膜喷射物质，从而将形成有所述槽的部位的所述第2面侧的所述膜去除。附图说明图1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G是表示第1实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图2是通过第1实施方式的装置的制造方法而制造的装置的示意剖视图。图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G是表示第2实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G是表示第5实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G是表示第6实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G是表示第7实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图7A、7B、7C、7D、7E、7F、7G是表示第8实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G是表示第9实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图9是通过第9实施方式的装置的制造方法而制造的装置的示意剖视图。图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G是表示第10实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图11A、图11B、图11C、图11D、图11E、图11F、图11G是表示第13实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图12A、图12B、图12C、图12D、图12E、图12F、图12G是表示第14实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。图13A、13B、13C是实施例1的模切后的SEM照片。图14A、14B是实施例1的模切后的SEM照片。图15是实施例1的模切后的光学显微镜照片。图16A、16B、16C是实施例2的模切后的SEM照片。图17是实施例3的模切后的光学显微镜照片。图18A、18B、18C是比较例1的模切后的SEM照片。图19A、19B、19C是比较例2的模切后的SEM照片。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对相同或相似的构件等附加相同符号，且对于已说明过的构件等适当地省略其说明。(第1实施方式)本实施方式的装置的制造方法是在具有第1面及第2面的衬底的第2面侧形成膜，从第1面侧以膜残留的方式在衬底上局部形成槽，并从第2面侧向膜喷射物质，从而将形成有槽的部位的第2面侧的膜去除。以下，以要制造的装置为在两面具备金属电极的使用有硅(Si)的纵型功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物场效晶体管)的情况为例进行说明。在此情况下，衬底为半导体衬底。另外，膜为金属膜。另外，以向金属膜喷射的物质为包含有二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。此外，所谓包含有二氧化碳的粒子(以下也仅记述为二氧化碳粒子)，是指以二氧化碳为主成分的粒子。除了二氧化碳外，也能够含有例如不可避免的杂质。图1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。首先，在具备第1面(以下也称为正面)及第2面(以下也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧，形成纵型MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等的图案。之后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。保护膜为例如聚酰亚胺等的树脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等无机绝缘膜。理想的是，在设于正面侧的切割区域的表面，硅衬底10露出。接下来，在硅衬底10的正面侧贴合支撑衬底(支撑体)12(图1A)。支撑衬底12为例如石英玻璃。接下来，通过研削而去除硅衬底10的背面侧，使硅衬底10薄膜化。之后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14(图1B)。金属膜14设于背面的大体整个面。金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14为例如异质金属的层叠膜。金属膜14为例如从硅衬底10的背面侧依次层叠铝/钛/镍/金的层叠膜。金属膜14是通过例如溅镀法而形成。金属膜14的膜厚为例如0.5μm以上且1.0μm以下。接下来，在硅衬底10的背面侧贴合树脂片16。树脂片16是所谓的模切片。树脂片16固定在例如金属的框架18。树脂片16接着于金属膜14之的表面。之后，从硅衬底10剥离支撑衬底12(图1C)。接下来，沿着设于硅衬底10的正面侧的切割区域，以背面侧的金属膜14从正面侧露出的方式在硅衬底10上局部形成槽20(图1D)。此处，所谓切割区域，是指用于通过模切而将多个半导体元件分割成多个半导体芯片的具有特定宽度的预定区域，且设于硅衬底10的正面侧。在切割区域并不形成半导体元件的图案。切割区域是在例如硅衬底10正面侧以将半导体元件隔开的方式呈格子状设置。槽20是通过例如等离子蚀刻而形成。等离子蚀刻是所谓的波希工艺，例如反复进行使用有F系自由基的各向同性蚀刻步骤、使用有CF4系自由基的保护膜形成步骤、使用有F系离子的各向异性蚀刻。槽20理想的是以硅衬底10的正面侧的保护膜为掩模，通过全面蚀刻而形成。根据该方法，由于不使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含膜的装置的制造方法，其特征在于：在具有第1面及第2面的衬底的所述第2面侧形成膜，从所述衬底的所述第1面侧以使所述膜残留的方式在所述衬底局部地形成槽，并从所述衬底的所述第2面侧向所述膜喷射物质，去除形成有所述槽的部位的所述第2面侧的所述膜。

【技术特征摘要】
2014.11.14 JP 2014-231874;2014.11.14 JP 2014-231871.一种包含膜的装置的制造方法，其特征在于：在具有第1面及第2面的衬底的所述
第2面侧形成膜，
从所述衬底的所述第1面侧以使所述膜残留的方式在所述衬底局部地形成槽，
并从所述衬底的所述第2面侧向所述膜喷射物质，去除形成有所述槽的部位的
所述第2面侧的所述膜。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述膜为金属膜或树脂膜。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述物质为含有二氧化碳的粒子。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于在形成所述槽时，是以使所述膜露出
的方式形成所述槽。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述衬底为半导体衬底。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在去除所述膜时，所述膜的所述槽
侧的端部相对于所述第2面的倾斜角小于所述槽的侧面相对于所述第2面的倾斜
角。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成所述槽时，是通过等离子蚀
刻而形成所述槽。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成所述槽时，是通过片切割而
形成所述槽。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成所述膜之前，去除所述衬底
的所述第2面侧，并使所述衬底薄膜化。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成所述槽后，去除所述膜前，

\t进一步在所述第1面侧贴附树脂片，且在去除所述膜时，将所述树脂片以掩模进行
覆盖而喷射所述物质。
11.一种装置，其特征在于：所述装置将衬底与设于所述衬底的一面的金属膜或树...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹰野正宗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP