TM模介质滤波器及通信射频器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种TM模介质滤波器及通信射频器件，该TM模介质滤波器包括腔体、盖板以及设于腔体内的至少两个介质谐振器，盖板封盖腔体，介质谐振器之间通过隔离壁隔开以形成各自的谐振腔，至少两个相邻的谐振腔之间的隔离壁上设有耦合卡槽，耦合卡槽上设有耦合件；耦合件包括第一耦合部、第二耦合部及衔接部，衔接部的两端分别连接第一耦合部和第二耦合部，衔接部贯穿耦合卡槽，第一耦合部和第二耦合部分别设在相邻的谐振腔内，第一耦合部和第二耦合部均为环状结构，环状结构所在平面与介质谐振器的电场方向平行，在第一耦合部和第二耦合部的环状结构上均设有缺口，缺口将环状结构断开。本实用新型专利技术的TM模介质滤波器能产生容性耦合，且能传递较强的电场能量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及信号处理
，特别是涉及一种TM模介质滤波器及通信射频器件。
技术介绍
随着对设备的高可靠性和小型化的要求日益增多，介质谐振器的使用渐渐开始频繁。在设计滤波器的过程中，为了满足滤波器的电性能要求，有时要在电路结构中添加容性耦合结构。金属介质谐振器之间常用的容性耦合结构是：在两介质谐振器之间开缺口，悬置一由介质材料(一般为工程塑料)固定的金属耦合杆，使两介质谐振器实现电场能量的传递。由于TM模介质谐振器的特殊性，介质谐振器上下面均与腔体接触时，电场能量主要集中在介质谐振器内部，而普通金属介质谐振器电场分布主要集中在介质谐振器与腔体之间。所以在TM模介质谐振器间使用金属介质谐振器常用的容性耦合结构就无法有效地将电流导出完成电场能量的传递。如图1和图2所示，图1是常用的金属容性耦合交叉结构应用于TM模介质谐振器的示意图；图2是常用的金属容性耦合件应用于TM模介质谐振器时的仿真结果示意图。其中，常用金属介质谐振器的容性耦合结构为金属耦合杆2，耦合杆2悬置于两个TM模介质谐振器1之间，仿真得出两介质谐振器1之间的耦合带宽为4.19MHz，没有产生容性耦合。因此，常用的介质谐振器的容性耦合结构使用在TM模介质谐振器中时，传递的电场能量较弱或者无法产生容性耦合，无法满足滤波器的电性能要求。
技术实现思路
本技术提供一种TM模介质滤波器及通信射频器件，能够解决现有技术的容性耦合结构在TM模介质谐振器中使用时传递的电场能量较弱或者无法产生容性耦合的问题。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种TM模介质滤波器，该TM模介质滤波器包括腔体、盖板以及设于所述腔体内的至少两个介质谐振器，所述盖板封盖腔体，所述介质谐振器之间通过隔离壁隔开以形成各自的谐振腔，至少两个相邻的所述谐振腔之间的所述隔离壁上设有耦合卡槽，所述耦合卡槽上设有耦合件；所述耦合件包括第一耦合部、第二耦合部及衔接部，所述衔接部的两端分别连接所述第一耦合部和所述第二耦合部，所述衔接部贯穿所述耦合卡槽，所述第一耦合部和所述第二耦合部分别设在相邻的两个所述谐振腔内，所述第一耦合部和所述第二耦合部均为环状结构，所述环状结构所在平面与所述介质谐振器的电场方向平行，在所述第一耦合部和所述第二耦合部的环状结构上均设有缺口，所述缺口将所述环状结构断开。其中，所述第一耦合部所在平面和所述第二耦合部所在平面为同一平面。其中，所述环状结构呈长方形或者椭圆形。其中，所述滤波器还包括卡座，所述卡座与所述耦合卡槽过盈配合以使所述卡座卡合固定在所述耦合卡槽上；所述卡座的顶部设有与所述衔接部过盈配合的安装槽，以将所述衔接部的两侧固定在所述卡座上。其中，所述衔接部与所述第一耦合部和所述第二耦合部的连接处的底部均凸出形成卡合部，所述卡合部夹持在所述卡座上，以固定所述第一耦合部和所述第二耦合部在所述谐振腔中的位置。其中，所述耦合卡槽包括一个卡槽底壁和两个相互对称的卡槽侧壁，所述卡槽侧壁及与所述卡槽侧壁的两边相连的隔离壁形成一固定部；所述卡座的横截面呈“工”字形，包括第一端部、第二端部以及连接在所述第一端部和所述第二端部之间的连接部；所述第一端部与所述第一耦合部位于同一谐振腔内；所述第二端部与所述第二耦合部位于同一谐振腔内；所述安装槽贯穿所述第一端部、所述连接部和所述第二端部；所述耦合卡槽与所述连接部过盈配合，以固定所述连接部的两侧；所述第一端部和所述第二端部之间形成固定槽，所述固定槽与所述固定部过盈配合，以固定所述卡座的两端。其中，所述衔接部的长度与所述安装槽的长度一致。其中，所述耦合卡槽与所述卡座接触的面以及所述隔离壁与所述卡座接触的面均为平面。其中，所述固定槽和所述耦合卡槽均为方形槽，且所述固定部为方形的固定部。为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种通信射频器件，该通信射频器件包括上述TM模介质滤波器。本技术的有益效果是：本技术的TM模介质滤波器通过将耦合件的第一耦合部和第二耦合部设为环状结构，且环状结构所在平面与所述介质谐振器的电场方向平行，并在环状结构上设缺口，该缺口将环状结构断开，使其形成一个非闭合环，该结构的耦合件能对介质谐振器顶部和底部的电场进行微扰，能提取介质谐振器顶部和底部的电场，并在第一耦合部和第二耦合部的环状结构的“环”的内侧和外侧形成了较强的电场环流，形成的环形电流对电场能量进行传导，因而能产生容性耦合，且能传递较强的电场能量。附图说明图1为常用的金属容性耦合件应用于TM模介质滤波器的示意图；图2为常用的金属容性耦合件应用于TM模介质滤波器时的仿真结果示意图；图3是本技术TM模介质滤波器实施例的结构示意图，显示的是安装耦合件之后的结构；图4是本技术TM模介质滤波器的耦合件实施例的结构示意图；图5是本技术TM模介质滤波器中卡座实施例的结构示意图；图6是本技术TM模介质滤波器实施例的结构示意图，显示的是未安装耦合件时的结构；图7是本技术的TM模介质滤波器的仿真结果示意图；图8是本技术的通信射频器件的结构示意图。具体实施方式本技术提供一种TM模介质滤波器，该TM模介质滤波器包括腔体、盖板以及设于腔体内的至少两个介质谐振器，盖板封盖腔体，介质谐振器之间通过隔离壁隔开以形成各自的谐振腔，至少两个相邻的谐振腔之间的隔离壁上设有耦合卡槽，耦合卡槽上设有耦合件；耦合件包括第一耦合部、第二耦合部及衔接部，衔接部的两端分别连接第一耦合部和第二耦合部，衔接部贯穿所述耦合卡槽，第一耦合部和第二耦合部分别设在相邻的两个谐振腔内，第一耦合部和第二耦合部均为环状结构，环状结构所在平面与介质谐振器的电场方向平行，在第一耦合部和第二耦合部的环状结构上均设有缺口，缺口将环状结构断开。具体而言，第一耦合部所在平面和第二耦合部所在平面为同一平面。环状结构呈长方形或者椭圆形。滤波器还包括卡座，卡座与耦合卡槽过盈配合以使卡座卡合固定在耦合卡槽上。卡座的顶部设有与衔接部过盈配合的安装槽，以将衔接部的两侧固定在卡座上。衔接部与第一耦合部和第二耦合部的连接处的底部均凸出形成卡合部，卡合部夹持在卡座上，以固定第一耦合部和第二耦合部在谐振腔中的位置。具体地，耦合卡槽包括一个卡槽底壁和两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TM模介质滤波器，其特征在于，包括腔体、盖板以及设于所述腔体内的至少两个介质谐振器，所述盖板封盖所述腔体，所述介质谐振器之间通过隔离壁隔开以形成各自的谐振腔，至少两个相邻的所述谐振腔之间的所述隔离壁上设有耦合卡槽，所述耦合卡槽上设有耦合件；所述耦合件包括第一耦合部、第二耦合部及衔接部，所述衔接部的两端分别连接所述第一耦合部和所述第二耦合部，所述衔接部贯穿所述耦合卡槽，所述第一耦合部和所述第二耦合部分别设在相邻的两个所述谐振腔内，所述第一耦合部和所述第二耦合部均为环状结构，所述环状结构所在平面与所述介质谐振器的电场方向平行，在所述第一耦合部和所述第二耦合部的环状结构上均设有缺口，所述缺口将所述环状结构断开。

【技术特征摘要】
1.一种TM模介质滤波器，其特征在于，包括腔体、盖板以及设于
所述腔体内的至少两个介质谐振器，所述盖板封盖所述腔体，所述介
质谐振器之间通过隔离壁隔开以形成各自的谐振腔，至少两个相邻的
所述谐振腔之间的所述隔离壁上设有耦合卡槽，所述耦合卡槽上设有
耦合件；
所述耦合件包括第一耦合部、第二耦合部及衔接部，所述衔接部
的两端分别连接所述第一耦合部和所述第二耦合部，所述衔接部贯穿
所述耦合卡槽，所述第一耦合部和所述第二耦合部分别设在相邻的两
个所述谐振腔内，所述第一耦合部和所述第二耦合部均为环状结构，
所述环状结构所在平面与所述介质谐振器的电场方向平行，在所述第
一耦合部和所述第二耦合部的环状结构上均设有缺口，所述缺口将所
述环状结构断开。
2.根据权利要求1所述的TM模介质滤波器，其特征在于，所述第
一耦合部所在平面和所述第二耦合部所在平面为同一平面。
3.根据权利要求2所述的TM模介质滤波器，其特征在于，所述环
状结构呈长方形或者椭圆形。
4.根据权利要求3所述的TM模介质滤波器，其特征在于，所述滤
波器还包括卡座，所述卡座与所述耦合卡槽过盈配合以使所述卡座卡
合固定在所述耦合卡槽上；
所述卡座的顶部设有与所述衔接部过盈配合的安装槽，以将所述
衔接部的两侧固定在所述卡座上。
5.根据权利要求4所述的TM模介质滤波器，其特征在于，所述衔
接部与所述第一耦合部和所述第二耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟志波，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44