衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在循环供给第一气体和第二气体进行成膜的成膜方法中，由第一气体和第二气体而生成副生成物，由于副生成物阻碍反应。由于副生成物是通过残留的第一气体和第二气体反应而生成，因此要降低第一气体和第二气体中的任一方或双方的残留量。衬底处理装置包括：对衬底进行处理的处理室；支承所述衬底的衬底支承部；第一气体供给部，具有使第一气体分散的第一分散部；第二气体供给部，具有使第二气体分散、且表面积小于所述第一分散部的表面积的第二分散部。

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

The invention provides a substrate processing device, a method for manufacturing a semiconductor device, and a recording medium. A method for forming a film in which a first gas and a second gas are circulated to form a film is formed by a first gas and a second gas. Since the secondary generation is generated by the reaction of a residual first gas and a second gas, it is necessary to reduce the residual amount of either or both of the first and second gases. A substrate processing apparatus includes a processing chamber for processing a substrate; the substrate support supports the substrate; a first gas supply unit has a first dispersion allows the first gas dispersion; second gas supply unit has second gas dispersion, surface area and surface area is less than the first portion of the second dispersion dispersion Department of.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着近年来的半导体器件(IntegratedCircuits：IC)、特别是DRAM的高集成化及高性能化，希望有在衬底上表面内及其图案面上形成均匀膜厚的技术。作为响应其要求的手法之一，有使用多种原料在衬底形成膜的方法。在该手法中，尤其是在形成纵横高的、例如DRAM电容电极等时，能够实现阶梯覆盖高的保形性(conformal)的成膜。例如记载于专利文献1、2、3等。在先技术文献专利文献【专利文献1】日本特开2012－231123【专利文献2】日本特开2012－104719【专利文献3】日本特开2012－69998。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在循环地供给第一气体和第二气体的成膜方法中，有时第一气体和第二气体发生非意图的反应，由于非意图的反应，存在无法得到目的膜特性、半导体器件的特性变差的问题。本专利技术的目的在于提供一种能够提高形成于衬底上的膜的特性的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。用于解决课题的手段根据一方案，提供一种衬底处理装置，包括：对衬底进行处理的处理室；支承所述衬底的衬底支承部；第一气体供给部，具有使第一气体分散的第一分散部；第二气体供给部，具有使第二气体分散、且表面积小于所述第一分散部的表面积的第二分散部。根据另一方案，提供一种半导体器件的制造方法，包括：经由第一分散部向衬底供给第一气体的工序；经由第二分散部向所述衬底供给第二气体的工序，所述第二分散部的表面积小于所述第一分散部内的表面积。专利技术的效果根据本专利技术的衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够提高半导体器件的特性。附图说明图1是第1实施方式的衬底处理装置的概略构成图。图2A是从衬底侧观察一实施方式的簇射头的图，图2B是一实施方式的簇射头的横截面图。图3是在一实施方式中适合使用的衬底处理装置的气体供给系统的概略构成图。图4是在一实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图。图5是表示一实施方式的衬底处理工序的流程图。图6是第2实施方式的衬底处理装置的概略构成图。图7是第3实施方式的衬底处理系统的概略构成图。附图标记的说明100衬底处理装置200晶片(衬底)201处理室202处理容器212衬底载置台232a第一缓冲空间232b第二缓冲空间234簇射头234a第一分散孔234b第二分散孔241a第一气体导入口241b第二气体导入口具体实施方式＜第1实施方式＞以下，基于附图说明本专利技术的第1实施方式。(1)衬底处理装置的构成首先，说明第1实施方式的衬底处理装置。对本实施方式的处理装置100进行说明。衬底处理装置100是高介电常数绝缘膜形成单元，如图1所示，构成为单片式衬底处理装置。在衬底处理装置，进行上述的半导体元器件的制造上的一工序。如图1所示，衬底处理装置100包括处理容器202。处理容器202构成作为例如横截面为圆形且扁平的密封容器。另外，处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内形成有：处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间(处理室)201、搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置了分隔板204。将由上部处理容器202a包围且位于分隔板204上方的空间称为处理空间(也称为处理室)201，将由下部容器202b包围且位于分隔板下方的空间称为搬运空间203。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口206，晶片200经由衬底搬入搬出口203在与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。在处理室201内设有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210具有载置晶片200的载置面211、在表面具有载置面211的衬底载置台212以及作为加热部的加热器213。通过设置加热部，使衬底加热，能够提高形成于衬底上的膜的品质。在衬底载置台212中，可以在与提升销207对应的位置分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，并且在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作而使轴217和衬底载置台212升降，能够使载置在衬底载置面211上的晶片200升降。此外，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理室201内部被气密性地保持。衬底载置台212在晶片200的搬运时下降，以使衬底载置面211成为衬底搬入搬出口206的位置(晶片搬送位置)，在晶片200的处理时，如图1所示，使晶片200上升至处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，提升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，提升销207相对于衬底载置面211的上表面埋没，衬底载置面211从下方支承晶片200。此外，由于提升销207与晶片200直接接触，所以优选以例如石英、氧化铝等材质形成。另外，可以在提升销207设置升降机构，构成为衬底载置台212与提升销207相对动作。(排气系统)在处理室201(上部容器202a)的内壁上表面设有作为将处理室201的气氛排出的第一排气部的排气口221。在排气口221连接有作为第一排气管的排气管224，在排气管224依次串联连接有将处理室201内控制为预定压力的APC(AutoPressureController，自动压力控制器)等压力调整器222、真空泵223。主要由排气口221、排气管224、压力调整器222构成第一排气部(排气线路)。另外，也可以构成为将真空泵223包含于第一排气部。在第一缓冲空间232a的内壁上表面设有作为将第一缓冲空间232a的气氛排出的第二排气部的簇射头排气口240a。在簇射头排气口240a连接有作为第二排气管的排气管236，在排气管236依次串联连接有阀237a、将第一缓冲空间232a内控制为预定压力的APC(AutoPressureCont本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，包括：对衬底进行处理的处理室；支承所述衬底的衬底支承部；第一气体供给部，具有使第一气体分散的第一分散部；第二气体供给部，具有使第二气体分散的第二分散部；以及分散管，贯穿所述第一分散部内而将所述处理室和所述第二分散部连结，将所述第二气体供给到所述处理室，所述第二分散部的内表面小于所述第一分散部的内表面的面积与所述分散管的外表面的面积之和。

【技术特征摘要】
2014.12.18 JP 2014-2563711.一种衬底处理装置，包括：
对衬底进行处理的处理室；
支承所述衬底的衬底支承部；
第一气体供给部，具有使第一气体分散的第一分散部；
第二气体供给部，具有使第二气体分散的第二分散部；以及
分散管，贯穿所述第一分散部内而将所述处理室和所述第二分散
部连结，将所述第二气体供给到所述处理室，
所述第二分散部的内表面小于所述第一分散部的内表面的面积
与所述分散管的外表面的面积之和。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第二分散部的内表面中的、与所述衬底支承部垂直的方向的
部分的面积小于所述分散管的外表面的面积。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
还包括设于所述第二分散部内的气体引导件，
所述气体引导件的中心部的面积与所述气体引导件的端部的面
积之和，小于所述分散管的外表面中的与导入所述第一气体的气体导
入口相反一侧的部分的面积之和。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述第一气体供给部供给原料气体，
在所述第二气体供给部供给反应气体。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第二气体是与所述第一气体相比而每单位面积的吸附量多
的气体。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
具有控制部，以交替供给所述第一气体和所述第二气体的方式，
控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第一分散部设置成与所述衬底支承部相对，
所述第二分散部设于所述第一分散部上。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
具有向所述第一分散部和所述第二分散部分别供给非活性气体
的非活性气体供给部，
所述控制部以在供给所述第一气体时向所述第二分散部供给所
述非活性气体、在供给所述第二气体时向所述第一分散部供给所述非
活性气体的方式，控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和
所述非活性气体供给部。
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述衬底支承部与所述第一分散部之间具有隔热部。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，
所述隔热部由真空构成。
11.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
设不与供给到所述第二分散部的所述第二气体的主流相对而供
所述第二气体滞留的区域为第二滞留区域，设不与供给到所述第一分
散部的所述第一气体的主流相对而供所述第一气体滞留的区...

【专利技术属性】
技术研发人员：西堂周平，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP