本发明专利技术提供一种陶瓷件上聚合物的清洗方法及装置,涉及半导体集成电路制造领域。该方法包括:控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。本发明专利技术的方案,解决了现有技术对干法刻蚀机反应腔内陶瓷上的聚合物的清洗中存在的成本高且效率低,以及影响后期产品生产的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,更具体的,涉及一种陶瓷件上聚合物的清洗方法及装置。
技术介绍
现今6寸半导体晶圆制造工厂的干法氧化层刻蚀机一般以Lam590和Lam4520为主,其工作原理是向真空环境的反应腔内通入反应气体,通过加射频电源形成等离子体,刻蚀平放在下电极上的硅片形成需要的图形。同时反应过程中生成的副产物一部分沉积在腔体内的零件上形成聚合物,为了保证产品良率,设备人员会定期对反应腔内的聚合物做清洗。这两种类型设备反应腔内有很多陶瓷件,由于陶瓷件属于易碎品,所以陶瓷件上聚合物的去除是最让设备人员苦恼的事,目前业界在干法氧化层刻蚀机反应腔内陶瓷件上聚合物的清洗方法是:丙酮浸泡+去离子水清洗+异丙醇IPA脱水。但这种方法对人力,财力和时间都是极大的浪费,同时由于丙酮易挥发和易燃,在使用过程中也存在很大的潜在性风险。而且浸泡处理后,陶瓷件二次凝结聚合物附着能力降低,会出现聚合物脱落从而影响产品生产的顺利进行。
技术实现思路
本专利技术公开一种陶瓷件上聚合物的清洗方法及装置,用于解决现有技术对干法刻蚀机反应腔内陶瓷件上的聚合物的清洗中存在的成本高且效率低,以及影响后期产品生产的问题。为解决上述问题,本专利技术的实施例提供一种陶瓷件上聚合物的清洗方法,包括:控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。其中,所述将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物包括:控制具有一预设喷砂粒度的喷砂机的喷枪对准所述陶瓷件;控制所述喷砂机在第一预设时长内将喷料喷射到所述陶瓷件,清除所述第二部分聚合物。其中,所述清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质包括:控制一清洗装置蘸取去离子水;移动所述清洗装置擦除所述陶瓷件上的残余杂质。其中,所述对陶瓷件进行脱水处理包括:采用异丙醇IPA对所述陶瓷件进行第一次脱水;控制第一次脱水后的所述陶瓷件进入预设温度烘箱进行第二预设时长的烘烤处理,完成二次脱水。其中,所述陶瓷件水平固定在一专用处理台;其中,所述专用处理台设置有能够通过旋紧固定所述陶瓷件的固定夹具。其中,所述清除装置为安装有刀片的专用刀架。其中,所述预设角度为45度。其中,所述喷料为石英砂、铜矿砂、铁砂和海沙中的至少一种。其中,所述预设温度为80度。为解决上述问题,本专利技术的实施例还提供了一种陶瓷件上聚合物的清洗装置,包括:第一处理模块,用于控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;第二处理模块,用于将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;第三处理模块,用于清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。其中,所述第二处理模块包括:第一处理子模块,用于控制具有一预设喷砂粒度的喷砂机的喷枪对准所述陶瓷件;第二处理子模块,用于控制所述喷砂机在第一预设时长内将喷料喷射到所述陶瓷件,清除所述第二部分聚合物。其中,所述第三处理模块包括:第三处理子模块,用于控制一清洗装置蘸取去离子水;第四处理子模块,用于移动所述清洗装置擦除所述陶瓷件上的残余杂质。其中,所述第三处理模块包括:第五处理子模块,用于采用异丙醇IPA对所述陶瓷件进行第一次脱水;第六控制子模块,用于控制第一次脱水后的所述陶瓷件进入预设温度烘箱进行第二预设时长的烘烤处理,完成二次脱水。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下:本专利技术实施例的陶瓷件上聚合物的清洗方法,用一清除装置清除掉陶瓷件上的第一部分聚合物,即大部分聚合物;然后将削刮后的陶瓷件进行了喷砂处理,以致将陶瓷件上剩下部分极少量的肉眼无法观察到的聚合物通过摩擦力去除;下一步对陶瓷件进行清洗,以去除残留在陶瓷件上的残余杂质,并采用脱水步骤去除清洗该陶瓷件所残留在陶瓷件上的水分,完成陶瓷件聚合物的清洗流程。对比现有技术中的用丙酮侵泡10小时左右,更简单方便,由于不需使用丙酮,节约了原材料成本和时间,提升了工作效率,规避了丙酮的潜在性危险,而且喷砂处理保障了聚合物凝结面的处理效果,增强了二次聚合物的凝结稳定性。附图说明图1表示本专利技术实施例一所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程图;图2表示本专利技术实施例二所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程图;图3表示本专利技术实施例的陶瓷件上聚合物的清洗装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术针对现有的干法氧化层刻蚀机反应腔内陶瓷件上聚合物的清洗方法存在的成本高且效率低,以及影响后期产品生产的问题,提供一种陶瓷件上聚合物的清洗方法,避免丙酮的使用,提高了安全性和工作效率,减少环境污染,而且在清除聚合物的同时保证了聚合物凝结面的处理效果,增强了二次凝结聚合物的凝结稳定性。。实施例一图1表示本专利技术实施例一所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程图。参见图1所示,本专利技术实施例的陶瓷件上聚合物的清洗方法包括:步骤11,控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;步骤12,将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;步骤13,清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。在步骤11中用一清除装置清除掉陶瓷件上的第一部分聚合物,即大部分聚合物,该清除装置可以是刀具,刮具等能够使聚合物从陶瓷件上刮除的装置。在步骤12中,将削刮后的陶瓷件进行了喷少处理,以致将陶瓷件上剩下部分极少量的肉眼无法观察到的聚合物通过摩擦力去除,而且喷砂处理后,也增强了之后生产中聚合物的凝结稳定性。在步骤13中,对陶瓷件进行清洗,以去除残留在陶瓷件上的残余杂质,并采用脱水步骤去除清洗该陶瓷件所残留在陶瓷件上的水分,完成陶瓷件聚合物的清洗流程。其中,所述陶瓷件水平固定在一专用处理台;其中,所述专用处理台设置有能够通过旋紧固定所述陶瓷件的固定夹具。陶瓷件水平放置在专用处理台上,并通过固定夹具旋紧固定陶瓷件,避免在后期对陶瓷件的各种处理时,陶瓷件的活动影响处理效果。在本实施例的上述技术方案中,清除装置可以是刀具,刮具等能够使聚合物从陶瓷件上剥落的装置。但考虑到操作过程和最终的效果,优选地,所述清除装置为安装有刀片的专用刀架。通过该专用刀架刮除陶瓷件上的第一部分聚合物,操作简单,达到的效果较佳。在步骤11中,控制该清除装置与陶瓷件成一预设角度,该预设角度使得清除装置进行清除陶瓷件上的聚合物时清除效果最佳,优选地,所述预设角度为45度。在控制好该预设角度后,推动清除装置,使得清除装置清除第一部分聚合物。进一步地,步骤12包括:步骤121,控制具有一预设喷砂粒度的喷砂机的喷枪对准所述陶瓷件;步骤122,控制所述喷砂机在第一预设时长内将喷料喷射到所述陶瓷件,清除所述第二部分聚合物。将具有一预设喷本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,包括:控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,包括:控制一清除装置与固定的陶瓷件成一预设角度,推动所述清除装置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物;将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物;清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质,对陶瓷件进行脱水处理,完成所述陶瓷件的清洗。2.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,所述将已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件进行喷砂处理,清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物包括:控制具有一预设喷砂粒度的喷砂机的喷枪对准所述陶瓷件;控制所述喷砂机在第一预设时长内将喷料喷射到所述陶瓷件,清除所述第二部分聚合物。3.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,所述清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的残余杂质包括:控制一清洗装置蘸取去离子水;移动所述清洗装置擦除所述陶瓷件上的残余杂质。4.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,所述对陶瓷件进行脱水处理包括:采用异丙醇IPA对所述陶瓷件进行第一次脱水;控制第一次脱水后的所述陶瓷件进入预设温度烘箱进行第二预设时长的烘烤处理,完成二次脱水。5.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,所述陶瓷件水平固定在一专用处理台;其中,所述专用处理台设置有能够通过旋紧固定所述陶瓷件的固定夹具。6.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法,其特征在于,所述清除装置为安装有刀片的专用刀架。7.根据权利要求1所述的陶瓷件上聚合物的清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员:左迪建,费学庆,
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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