发光元件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种发光元件及其制作方法，包含一发光单元、一封装材、一透光层，及一反射结构。该发光单元具有至少一磊晶层及对应形成于该磊晶层上的二个电极，该磊晶层具有一顶面、一底面，及一连接该底面与该顶面的周面，该等电极外露于该底面。封装材形成于该磊晶层的顶面及周面。透光层配置于该封装材上，位于该磊晶层的顶面上方。反射结构围绕着该磊晶层周面设置，且形成于该封装材上。本发明专利技术还提供上述发光元件的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件技术，尤其涉及一种发光元件及其制作方法。
技术介绍
图1为现有发光二极管的封装结构示意图，参阅图1，现有的发光二极管的封装结构1，包含一封装杯11、一发光二极管晶粒12、二导线13，及一封装胶材14。该封装杯11具有反射特性且包括一开口朝上的封装槽110，及一具有彼此间隔且用与外界电连接的一第一接脚111与一第二接脚112的导线架113。该发光二极管晶粒12固晶于该导线架113上且位于该封装槽110内，并包括二电极123。该等导线13是由例如金或铜等导电性良好的金属所构成，且用以将该发光二极管晶粒12的两个电极123分别电连接于该第一接脚111与该第二接脚112。该封装胶材14装填于该封装槽110中，以封闭该封装槽110的开口。现有的发光二极管的封装结构1的封装杯11具有反光特性，用以反射发光二极管晶粒12发出的光线，然而，该发光二极管晶粒12与该封装杯11的内表面具有一定的间距，导致光反射的光程增加，造成光能量于反射过程的损耗，从而降低出光效率。另外，该封装杯11的开口形状，则会扩大光线的发散角。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种发光元件及其制作方法，从而减低发光元件正向出光的发散角及发光均匀度。该发光元件，包含一发光单元、一封装材、一透光层，及一反射结构。该发光单元具有至少一可以电致发光而产生光能的磊晶层，及对应形成于该磊晶层上的二个电极，该磊晶层具有一顶面、一底面，及一连接该底面与该顶面的周面，该两个电极外露于该底面。该封装材形成于该磊晶层的顶面及周面。该透光层配置于该封装材上，且位于该磊晶层的顶面上方。该反射结构围绕着该磊晶层的周面设置，且形成于该封装材上。此外，本专利技术还提供一种发光元件的制作方法，包含以下步骤：设置至少一个发光元件于一基板，其中，该发光元件具有一磊晶结构与二电极。形成一封装材于该基板上，且包覆该磊晶结构并暴露出该二电极。形成一透光层于该封装材上。形成一反射结构至少于该封装材的一表面上。本专利技术的有益效果在于，通过直接于该封装材上设置环绕该磊晶层的周面的反射结构，令该磊晶层发出的光可直接通过该反射结构的反射对外发出，而有效减小该发光元件的光耗损及正向出光角度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图做详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有发光二极管的封装结构示意图；图2是本专利技术发光元件的第一实施例示意图；图3A是本专利技术发光元件的第二实施例示意图；图3B是本专利技术发光二极管的第三实施例示意图；图4是本专利技术发光元件的第四实施例示意图；图5是本专利技术发光元件的第五实施例示意图。附图标记：2：发光元件；21：发光单元；212：磊晶层；213：电极；214：顶面；215：底面；216：周面；22：封装材；23：透光层；30：反射结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。图2为本专利技术发光元件的第一实施例示意图，参阅图2，本专利技术发光元件的第一较佳实施例包含一发光单元21、一封装材22、一透光层23，及一反射结构30。该发光单元21设置于一基板(图未示)的其中一表面，包括一可以电致发光而产生光能的磊晶层212及二个电极213，该磊晶层212具有一与该透光层23连接的顶面214、一相反的底面215，及一连接该底面215与该顶面214的周面216，该二个电极213设置于该底面215。具体地说，该磊晶层212可视所需的发光波长而选用不同材料，于本实施例中，该磊晶层212为具有一n型半导体层、一形成于该n型半导体层部份表面的主发光层，及一形成于该主发光层表面的p型半导体层，其中，该p型半导体层及该n型半导体层于同向裸露的表面即为该底面215，该两个电极213为分别形成于该n型半导体层及p型半导体层裸露的表面。由于该磊晶层212结构与材料的选择为本
所周知，且非本专利技术的重点，于此不多加赘述。该封装材22形成于该磊晶层212的顶面214及周面216。具体的说，该封装材22选自可透光的有机的高分子封装材料，如环氧树脂、聚硅烷氧或硅树脂，或是可透光的无机材料，例如是玻璃，可隔绝该磊晶层212与外界环境接触，以避免如湿气渗透或其他外在因素而影响该发光单元21的寿命。该透光层23配置于该封装材22的一顶面上，且位于该发光单元21的磊晶层212的顶面214上方。选自可透光且不影响光学性质的材料所构成，例如玻璃、聚碳酸酯、亚克力、陶瓷、塑胶等。该反射结构30对应围绕该磊晶层212的周面216，直接形成于该封装材22表面，并延伸至该透光层23的周缘，使该反射结构30与该磊晶层212周面216间具有该封装材22，用以反射自该发光单元21发出的光线。通过该反射结构30将自该磊晶层212周面216发出的光直接反射，因此，可让该磊晶层212产生的光仅可自该顶面214发出，而有效减低该发光单元21的光发散角。较佳地，该反射结构30的反射率不小于25％。具体地说，该反射结构30的目的是用于反射该发光单元21自该周面216发出的光，因此，只要能反射该发光单元21发出的光即可，其构成材料并不须特别加以限制。但以制程及成本考量，较佳地，在让该反射结构30的反射率不小于25％的同时，该反射结构30可以是由包含粘结剂及多数分散于该粘结剂中的反射粒子所共同构成，通过该等反射粒子，使该发光单元21发出的光在碰到该反射结构30时，提高整体反射效果；或是选自具有良好反射的银、铝、铂，及金等金属或合金金属所构成。其中，该粘结剂选自高分子树脂、亚克力树脂、硅胶，或是由一般光硬化或热硬化组成材料硬化后而得，该反射粒子选自二氧化钛、二氧化锆、硫酸钡，及五氧化二钽等金属氧化物；抑或是由不同反射率膜层相互堆叠而成的布拉格反射镜。于本实施例中该反射结构30延伸至该透光层23的周缘，而能进一步的改善该透光层23侧边漏光的情况，当然，该反射结构30也可视实际需求，仅对应形成于该磊晶层212的周面216，而不延伸至该透光层23的周缘。值得一提的是，该封装材22还可进一步包含荧光粉，是通过将荧光粉添加在前述的有机材料中或是让荧光粉与玻璃粉一同烧结成玻璃荧光体而形成封装材22，可让该发光单元21所发出的光再激发荧光粉而发出其它预定波长的光，以供后续不同的运用。由于本专利技术该封装材22是全面盖覆于该磊晶层212的顶面214及周面216，因此，当该封装材22还包含荧光粉时，该发光单元21无论是自该周面216还是顶面214所发出的光，均能通过该封装材22的荧光粉改变光色，且通过该反射结构30对光的多次反射，还可更进一步提升对该荧光粉的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，包括：一发光单元，具有至少一磊晶层及对应形成于所述磊晶层上的两个电极，所述磊晶层具有一顶面、一底面，及一连接所述底面与所述顶面的周面，所述两个电极外露于所述底面；一封装材，至少形成于所述磊晶层的顶面；一透光层，配置于所述封装材上，且位于所述磊晶层的顶面上方；及一反射结构，围绕着所述磊晶层的周面设置，且形成于所述封装材上。

【技术特征摘要】
2015.02.17 US 62/1169231.一种发光元件，其特征在于，包括：一发光单元，具有至少一磊晶层及对应形成于所述磊晶层上的两个电极，所述磊晶层具有一顶面、一底面，及一连接所述底面与所述顶面的周面，所述两个电极外露于所述底面；一封装材，至少形成于所述磊晶层的顶面；一透光层，配置于所述封装材上，且位于所述磊晶层的顶面上方；及一反射结构，围绕着所述磊晶层的周面设置，且形成于所述封装材上。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述封装材还形成于所述磊晶层的周面及，所述反射结构形成于所述封装材的表面，圈围所述磊晶层并延伸至所述透光层的周缘。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述封装材具有一顶面与一底面，所述透光层形成于所述封装材的顶面上，所述反射结构还进一步形成于所述封装材的底面上。4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射结构的构成材料包括粘结剂及分散于所述粘结剂中的反射粒子。5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述反射粒子选自下列群组其中任一：二氧化钛、二氧化锆、硫酸钡，及五氧化二钽。6.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述粘结剂选自高分子树脂、亚克力树脂或硅胶。7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射结构的构...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁绍滢，黄冠杰，黄靖恩，黄逸儒，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71