增加共享接触孔工艺窗口的方法技术

本发明专利技术提供了一种增加共享接触孔工艺窗口的方法，即对共享接触孔的版图进行修正，主要包括：首先根据共享接触孔与有源区及栅极的接触区域，将所述共享接触孔划分为两个区域；然后将所述两个区域分别沿平行于划分的方向进行扩展。本发明专利技术提供的方案中，通过将共享接触孔划分为单独的两个区域，使这两个区域可根据实际版图的状况进行修正，从而可增加共享接触孔的工艺窗口，确保所形成的共享接触孔与有源区及与栅极的连接无异常。

Method for increasing shared contact hole process window

The present invention provides a method to increase the contact hole process window for sharing, sharing a contact hole layout was modified, including: firstly, according to the shared contact area in contact with the active area and the gate hole, the shared contact hole is divided into two regions; and the two regions respectively in parallel in the direction of the extension division. The scheme provided by the invention, by sharing the contact hole is divided into two separate areas, so that these two areas can be modified according to the actual situation of the layout, which can increase the sharing process window of contact hole, ensure that the formation of the shared contact hole and the active region and the gate connection without exception.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种增加共享接触孔工艺窗口的方法。
技术介绍
静态随机存储器(staticrandomaccessmemorySRAM)由于其低操作电压和速度快的特点，广泛的应用在当今的计算机系统和电子产品中。而在同样的存储容量下，SRAM的尺寸相较其它类型的存储器的尺寸更大，为了保证SRAM能获得最大的容量，因此在每一新的技术节点所使用的制造技术中，SRAM都使用到了所能允许的最小尺寸，同时又由于SRAM可以随机访问每个存储单元，可以很方便的失效定位，因此每一新的技术节点制造技术的研发都选用SRAM作为研发平台。随着半导体器件尺寸微缩进入100nm尺寸以内，甚至达到28nm，SRAM的尺寸需要进一步缩小，同时也带来了新的挑战。随着互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductorCOMS)制造技术进入100nm工艺以下，光刻工艺的限制会让SRAM器件物理尺寸的精确控制变得相当困难。传统的SRAM结构在源区和栅极的形状较为复杂，因此，一种简化源区和栅极形状的SRAM结构日趋流行，其特点是有源区和栅极的形状使用直线型结构，这种结构的SRAM布局更加简化，可大大降低制程中光刻工艺的难度。如图1a所示，这种简化的SRAM结构中，包括有源区11、栅极12、普通接触孔13和共享接触孔对14，所述共享接触孔对14包括共享接触孔141和共享接触孔142，其中共享接触孔141和142均同时连接有源区11和栅极12，通过采用共享接触孔可缩短连线以到达节约面积的目的。具体的，共享接触孔对14中的共享接触孔与普通接触孔13均为长方形，但大小不同，共享接触孔对14中的共享接触孔可把栅极12和有源区11直接相连。为满足电性要求，共享接触孔与栅极及与有源区的接触面积都需到达要求的规格范围内，因此在形成共享接触孔的光刻工艺中，需确保曝光机的对准精度无异常。然而，随着电路密度的增加及关键尺寸越来越小，导线与导线之间的间隔及接触孔的尺寸也越来越小，甚至到达次微米以下，同时，由于曝光机自身的对准精度的限制，当尺寸越来越小的共享接触孔出现轻微的位置偏差，都可能导致其与栅极或与有源区的接触面积小于规格值，甚至导致其与栅极或与有源区连接失败，从而产生电性异常的问题。一种解决上述问题的方法是增大共享接触孔的尺寸，从而可增加所述共享接触孔与栅极及与有源区的接触面积。但是，由于现有技术中SRAM中的共享接触孔大多以成对的形式存在，如图1a所示，即共享接触孔对14，其中所述共享接触孔对14中的两个共享接触孔之间的距离D较小，因此，当单纯的增大所述共享接触孔141或共享接触孔142的面积时，则于后续的共享接触孔对14的形成过程中，很容易导致所述共享接触孔对14之间产生桥接的问题。图1b为现有技术SRAM中通过整体扩大共享接触孔141和共享接触孔142的面积的SRAM单元的版图，如图1b所示，单纯的扩大共享接触孔的面积后，使得所述共享接触孔对14之间的距离D更小，超出制程工艺的能力范围，从而易导致共享接触孔对产生桥接的现象。因此，如何增大共享接触孔的工艺窗口，使得所共享接触孔在光刻对准精度的影响下发生位置偏移，而不会导致其与有源区或与栅极的连接异常，已成为一个不容忽视的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种增加共享接触孔工艺窗口的方法，以解决现有技术中，由于对准精度的影响，使共享接触孔的位置发生偏移，导致共享接触孔与有源区或与栅极的连接异常的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种增加共享接触孔工艺窗口的方法，包括：步骤S11：提供一初始版图，所述初始版图包括多个共享接触孔对，所述共享接触孔对中的两个共享接触孔各自连接一个栅极和一个有源区，所述共享接触孔对连接的两个栅极相邻，并且，所述共享接触孔对连接的两个有源区相邻；步骤S12：将所述共享接触孔划分为两个区域，分别为位于有源区上的第一区域和位于栅极上的第二区域；步骤S13：将所述共享接触孔对中的两个第一区域沿平行于划分方向扩展一第一尺寸，将所述共享接触孔对中的两个第二区域沿平行于划分方向扩展一第二尺寸，所述第一区域和第二区域扩展的方向相反，并且，所述共享接触孔对沿划分方向间距最近的两个区域的间距保持不变；步骤S14：执行光学邻近效应修正；步骤S15：输出修正后的版图。可选的，于所述步骤S14之后、步骤S15之前还包括步骤S141：对共享接触孔的工艺窗口进行检查，并判断检查结果，若检查结果不符合共享接触孔的工艺要求，则返回步骤S14。可选的，共享接触孔的工艺窗口检查包括在最佳光刻条件和设定的焦深以及能量范围内，检查共享接触孔的边缘误差、图形断裂、图形桥接以及共享接触孔曝光后面积的允许范围。可选的，于所述步骤S141之后，还包括：步骤S142：将修正后的版图上的图形复制于半导体衬底上；步骤S143：收集形成于半导体衬底上的共享接触孔的数据，并确认是否符合制程规格；若不符合制程规格，则返回步骤S13，调整所述第一尺寸或第二尺寸的大小。可选的，第一尺寸及第二尺寸的大小根据光刻工艺的对准精度设定。可选的，第一尺寸与第二尺寸的大小相同。可选的，第一尺寸与第二尺寸均为6nm。可选的，光学邻近效应修正包括对所述版图中的图形尺寸整体增加或减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照设定的规则增加或减小图形尺寸。可选的，有源区及所述栅极均为直线型结构。可选的，修正前的所述共享接触孔为矩形。与现有技术相比，本专利技术提供的增加共享接触孔工艺窗口的方法，具有如下有益效果：本专利技术提供的一种增加共享接触孔工艺窗口的方法中，根据所述共享接触孔与所述有源区及栅极的连接区域，将所述共享接触孔划分为两个区域，所述两个区域可独立扩展，从而可根据实际版图的状况，单独设计所述两个区域的扩展方向及扩展大小，增加共享接触孔的面积，以摒除由于曝光对位精度的影响，而导致的共享接触孔与有源区或与栅极的连接出现异常的问题，实现增大共享接触孔的工艺窗口。附图说明图1a为现有技术中的一种SRAM单元的版图；图1b为图1a所示的现有技术中的一种SRAM单元中扩大共享接触孔面积后的版图；图2为本专利技术一实施例的增加共享接触孔工艺窗口的方法的示意图；图3a为一种待修正的初始版图；图3b为图3a所示的初始版图通过采用本专利技术一实施例的增加共享接触孔工艺窗口的方法修正后的版图；图4a为本专利技术一实施例的共享接触孔的第一种划分方式及扩展方向的示意图；图4b为本专利技术一实施例的共享接触孔的第二种划分方式及扩展方向的示意图；图4c为本专利技术一实施例的共享接触孔的第三种划分方式及扩展方向的示意图；图4d为本专利技术一实施例的共享接触孔的第四种划分方式及扩展方向的示意图。具体实施方式本专利技术提供一种通过对版图进行修正以此来增加共享接触孔的工艺窗口，以解决现有技术中，由于曝光时对准精度的限制，易产生共享接触孔的位置产生偏差，从而导致共享接触孔与有源区及与栅极的连接出现异常的问题。图2为本专利技术一实施例的增加共享接触孔工艺窗口的方法的示意图。如图2所示，所述增加共享接触孔工艺窗口的方法，包括：步骤S11：提供一初始版图，所述初始版图包括多个共享接触孔对，所述共享接触孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加共享接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，包括：步骤S11：提供一初始版图，所述初始版图包括多个共享接触孔对，所述共享接触孔对中的两个共享接触孔各自连接一个栅极和一个有源区，所述共享接触孔对连接的两个栅极相邻，并且，所述共享接触孔对连接的两个有源区相邻；步骤S12：将所述共享接触孔划分为两个区域，分别为位于有源区上的第一区域和位于栅极上的第二区域；步骤S13：将所述共享接触孔对中的两个第一区域沿平行于划分方向扩展一第一尺寸，将所述共享接触孔对中的两个第二区域沿平行于划分方向扩展一第二尺寸，所述第一区域和第二区域扩展的方向相反，并且，所述共享接触孔对沿划分方向间距最近的两个区域的间距保持不变；步骤S14：执行光学邻近效应修正；步骤S15：输出修正后的版图。

【技术特征摘要】
1.一种增加共享接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，包括：步骤S11：提供一初始版图，所述初始版图包括多个共享接触孔对，所述共享接触孔对中的两个共享接触孔各自连接一个栅极和一个有源区，所述共享接触孔对连接的两个栅极相邻，并且，所述共享接触孔对连接的两个有源区相邻；步骤S12：将所述共享接触孔划分为两个区域，分别为位于有源区上的第一区域和位于栅极上的第二区域；步骤S13：将所述共享接触孔对中的两个第一区域沿平行于划分方向扩展一第一尺寸，将所述共享接触孔对中的两个第二区域沿平行于划分方向扩展一第二尺寸，所述第一区域和第二区域扩展的方向相反，并且，所述共享接触孔对沿划分方向间距最近的两个区域的间距保持不变；步骤S14：执行光学邻近效应修正；步骤S15：输出修正后的版图。2.如权利要求1所述的增加共享接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：于所述步骤S14之后、步骤S15之前还包括步骤S141：对共享接触孔的工艺窗口进行检查，并判断检查结果，若检查结果不符合共享接触孔的工艺要求，则返回步骤S14。3.如权利要求2所述的增加共享接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：所述共享接触孔的工艺窗口检查包括在最佳光刻条件和设定的焦深以及能量范围内，检查共享接触孔的边缘误差、图形断裂、图...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹清晨，黄荣瑞，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42