导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。本发明专利技术涉及一种导电性膜状胶粘剂，其通过加热进行固化而得到的固化物的第1热导率相对于加热前的第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造中，将半导体元件粘接于金属引线框等被粘物的方法(即所谓的芯片接合(diebonding)法)从以往的金－硅共晶开始逐渐过渡至利用焊料、树脂糊料的方法。现在有时使用导电性的树脂糊料。然而，在使用树脂糊料的方法中，存在空孔导致导电性下降、或者树脂糊料的厚度不均匀、或者树脂糊料溢出导致焊盘被污染这样的问题。为了解决这些问题，有时使用含有聚酰亚胺树脂的膜状胶粘剂代替树脂糊料(例如参见专利文献1)。也已知包含丙烯酸系树脂的膜状胶粘剂。例如在专利文献2中记载了通过使用玻璃化转变温度－10℃～50℃的丙烯酸类共聚物，来提高挠性、降低引线框等的热损伤的技术。近年，进行电能的控制和供给的功率半导体装置正在明显普及。功率半导体装置中始终有电流流通，因此发热量大。因此，期望在功率半导体装置中使用的导电性的胶粘剂具有高散热性和低电阻率。关于使用膜状胶粘剂的芯片接合法，如图10所示，已知包含将具备膜状胶粘剂503和半导体芯片505的芯片接合用芯片541压接至约100℃～约150℃的被粘物506的工序的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平6－145639号公报专利文献2：日本专利4137827号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，本专利技术人进行了深入研究，结果发现，若膜状胶粘剂503的散热性高，则有时难以使膜状胶粘剂503软化至能够粘接于被粘物506的程度。本专利技术的目的在于解决上述课题，提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。用于解决问题的手段本专利技术涉及第1热导率相对于第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上的导电性膜状胶粘剂。第1热导率是通过加热使本发明的导电性膜状胶粘剂固化而得到的固化物的热导率。第2热导率为加热前的热导率。第1热导率优选为1.7W/m·K以上。本专利技术的导电性膜状胶粘剂优选包含导电性粒子。导电性粒子优选包含薄片状金属粒子和在200℃至少一部分会烧结的烧结性金属粒子。因此，通过使本专利技术的膜状胶粘剂固化，能够使热传导路径变宽，能够提高散热性。导电性粒子100重量％中的烧结性金属粒子的含量优选为5重量％～50重量％。本专利技术的导电性膜状胶粘剂包含树脂成分。树脂成分优选包含热塑性树脂、热固性树脂。本专利技术的导电性膜状胶粘剂优选还包含固化剂。本专利技术的导电性膜状胶粘剂的用途优选为芯片接合用途。本专利技术还涉及具备切割带和在切割带上配置的导电性膜状胶粘剂的带膜状胶粘剂的切割带。切割带具备基材和在基材上配置的粘合剂层。本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包含将具备导电性膜状胶粘剂和在导电性膜状胶粘剂上配置的半导体芯片的芯片接合用芯片压接于被粘物的工序。附图说明图1为膜状胶粘剂的示意性截面图。图2为带膜状胶粘剂的切割带的示意性截面图。图3为变形例涉及的带膜状胶粘剂的切割带的示意性截面图。图4为示意性表示在带膜状胶粘剂的切割带上配置有半导体晶片的状态的截面图。图5为芯片接合用芯片等的示意性截面图。图6为带半导体芯片的被粘物的示意性截面图。图7为半导体装置的示意性截面图。图8为评价基板的俯视图。图9为试验基板的俯视图。图10为芯片接合工序的示意性截面图。具体实施方式以下举出实施方式，详细说明本专利技术，但是本专利技术不仅限于这些实施方式。[膜状胶粘剂3]如图1所示，膜状胶粘剂3呈膜状。膜状胶粘剂3具备导电性和热固性。膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，通过加热进行固化而得到的固化物的第1热导率相对于加热前的第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上。优选为2.5以上。第1热导率相对于第2热导率之比的值的上限没有特别限定，例如为5.0等。第1热导率优选为1.7W/m·K以上、更优选为2.0W/m·K以上、进一步优选为2.5W/m·K以上、特别优选为3.0W/m·K以上。第1热导率的上限例如为20W/m·K、30W/m·K等。第2热导率优选为0.3W/m·K以上、更优选为0.5W/m·K以上。另一方面，第2热导率优选为15W/m·K以下、更优选为10W/m·K以下。第1热导率、第2热导率用实施例所述的方法进行测定。优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，通过加热进行固化而得到的固化物的第1电阻率相对于加热前的第2电阻率之比的值(第1电阻率/第2电阻率)优选为0.01以上、更优选为0.015以上。第1电阻率相对于第2电阻率之比的值的上限例如为0.95、0.9等。第1电阻率优选为5×10－5Ω·m以下、更优选为3×10－5Ω·m以下。第1电阻率的下限例如为1×10－7Ω·m等。第2电阻率优选为5×10－5Ω·m以下、更优选为4×10－5Ω·m以下。第2电阻率的下限例如为3×10－7Ω·m等。第1电阻率、第2电阻率用实施例所述的方法进行测定。优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，固化物的175℃的储存弹性模量优选为50MPa以上。另一方面，固化物的175℃的储存弹性模量优选为1500MPa以下。优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。在40℃将膜状胶粘剂3粘贴于镜面硅晶片后，在25℃测定的密合力优选为1N/10mm以上、更优选为4N/10mm以上。若为1N/10mm以上，则膜状胶粘剂3可以在40℃左右的低温粘贴至半导体晶片。密合力的上限没有特别限定，例如为10N/10mm。本说明书中，密合力是指从镜面硅晶片剥离膜状胶粘剂3时的剥离力，用如下方法测定。使用2kg辊将40℃的镜面硅晶片粘贴至膜状胶粘剂3后，在40℃放置2分钟。之后，在常温(25℃)放置20分钟，得到具备膜状胶粘剂3和粘贴于膜状胶粘剂3的镜面硅晶片的样品。对于样品，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制的AGS－J)在剥离角度180度、剥离温度25℃、剥离速度300mm/分钟的条件下测定从镜面硅晶片剥离膜状胶粘剂3时的剥离力。膜状胶粘剂3包含树脂成分。作为树脂成分，可以举出例如热塑性树脂、热固性树脂等。作为热塑性树脂，可以举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸类共聚物、乙烯－丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性膜状胶粘剂，其通过加热进行固化得到的固化物的第1热导率相对于所述加热前的第2热导率之比的值即所述第1热导率/所述第2热导率为2.0以上。

【技术特征摘要】
2014.11.27 JP 2014-2400281.一种导电性膜状胶粘剂，其通过加热进行固化得到的固化物的第
1热导率相对于所述加热前的第2热导率之比的值即所述第1热导率/所
述第2热导率为2.0以上。
2.如权利要求1所述的导电性膜状胶粘剂，其所述第1热导率为
1.7W/m·K以上。
3.如权利要求1所述的导电性膜状胶粘剂，其含有导电性颗粒，
所述导电性颗粒含有薄片状金属颗粒和在200℃至少一部分会烧结
的烧结性金属颗粒。
4.如权利要求3所述的导电性膜状胶粘剂，其中，
所述导电性颗粒100重量％中的所述烧结性金属颗粒的含量为5重
量％～50重量％。
5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅生悠树，木村雄大，襖田光昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP