【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构及其驱动方法、显示面板。
技术介绍
显示装置采用低频驱动，一般是指采用30Hz以下的帧率，一般为10Hz、5Hz。按当前技术低频驱动可实现至30Hz，但30Hz以下，尤其10Hz以下实现起来较为困难。究其原因在于，低频驱动的频率越低，一帧(FRAME)的时间越长，画面闪烁越严重。具体如图1所示，栅极开启电压Vgh打开薄膜晶体管，像素电压Vp加载至像素电极，随后栅极关闭电压Vgl关闭薄膜晶体管，但像素电极上的像素电压Vp会随时间的持续而逐渐降低，直至下一帧加载上反向的下一帧像素电压。整个过程会对应地发生亮度变化，而这一变化人眼会感知为闪烁(FLICKER)。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及其驱动方法、显示面板，可以解决现有低频驱动画面闪烁现象严重的问题，可扩大低频驱动的频率范围。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种像素结构，包括:像素电极，向所述像素电极加载信号的第一数据线，所述第一数据线与所述像素电极之间还设置有至少两个充电支路，所述充电支路包括：第一薄膜晶体管，其第一端连接至所述第一数据线，其控制端连接至第一控制线，存储电容，其第一端连接至所述第一薄膜晶体管的第二端，其第二端连接至公共电极线，第二薄膜晶体管，其第一端连接至所述存储电容的第一端，其第二端连接至所述像素电极，其控制端与
【技术保护点】
一种像素结构，包括:像素电极，向所述像素电极加载信号的第一数据线，其特征在于，所述第一数据线与所述像素电极之间还设置有至少两个充电支路，所述充电支路包括：第一薄膜晶体管，其第一端连接至所述第一数据线，其控制端连接至第一控制线，存储电容，其第一端连接至所述第一薄膜晶体管的第二端，其第二端连接至公共电极线，第二薄膜晶体管，其第一端连接至所述存储电容的第一端，其第二端连接至所述像素电极，其控制端与一条第二控制线对应连接。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括:像素电极，向所述像素电极加载信号的第一数据
线，其特征在于，所述第一数据线与所述像素电极之间还设置有至少两个充电
支路，所述充电支路包括：
第一薄膜晶体管，其第一端连接至所述第一数据线，其控制端连接至第一
控制线，
存储电容，其第一端连接至所述第一薄膜晶体管的第二端，其第二端连接
至公共电极线，
第二薄膜晶体管，其第一端连接至所述存储电容的第一端，其第二端连接
至所述像素电极，其控制端与一条第二控制线对应连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述充电支路与所述第
一控制线一一对应。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述充电支路与所述第
二控制线一一对应。
4.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一控制线
包括正极性控制线和负极性控制线；
所述正极性控制线输出开启电压时，所述第一数据线输出正极性的数据信
号；所述负极性控制线输出开启电压时，所述第一数据线输出负极性的数据信
号。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，连接到所述正极性控制
线的所述充电支路的数目，与连接到所述负极性控制线的所述充电支路的数目
相等或者相差一个。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述正极性控制线和所
述负极性控制线各一条。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一控制线和所述
第二控制线均为栅线。
8.一种显示面板，其特征在于，具有权利要求1-7任一项所述的像素结构。
9.一种驱动方法，用于驱动权利要求1-7任一项所述的像素结构，其特征在
于，包括：
步骤S1、第一控制线输出开启电压，与所述第一控制线相连的各第一薄膜
晶体管打开，充电支路的存储电容接收来自第一数据线的数据信号；
步骤S2、所述第一控制线输出关闭电压，各第二控制线逐一输出开启电压，
使各第二薄膜晶体管逐次打开，各存储电容通过所述第二薄膜晶体管逐一向像
素电极加载数据信号。
10.根据权利要求9所述的驱动方法，其特征在于，如果步骤S1中各充电支
路的存储电容完成充电的时刻不同，存在先后顺序，步骤S2中各第二薄膜晶体
管逐次打开的顺序为：按照各充电支路的存储电容完成充电的先后顺序进行。
11.根据权利要求9所述的驱动方法，其特征在于，如果所述充电支路与所
述第一控制线一一对应，步骤S1包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：严允晟，崔贤植，林允植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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