静电防护与测试复合单元、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

一种静电防护与测试复合单元、阵列基板以及显示装置。该复合单元包括第一信号线、与第一信号线电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，与第一薄膜晶体管电连接的第二信号线、与第二薄膜晶体管电连接的第三信号线和第四信号线，该复合单元被配置来在第一阶段为所述第一信号线提供测试信号并被配置来在第二阶段为所述第一信号线提供静电防护，所述第一阶段为测试阶段，所述第二阶段为静电防护阶段。该复合单元可占用较小的面积，以便获得窄边框和/或者高分辨率的显示面板。

【技术实现步骤摘要】

本技术至少一实施例涉及一种静电防护与测试复合单元、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorliquidcrystaldisplay,TFT-LCD)的结构设计中，测试单元与静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)单元采用分离设计的方式。通常测试单元位于数据线的边侧；ESD单元位于数据线的边侧或显示屏四个角的位置。分离设计的测试单元与静电放电单元占用面积较大，不利于获得窄边框和/或者高分辨率的显示面板。
技术实现思路
本技术的至少一实施例提供一种静电防护与测试复合单元、阵列基板以及显示装置，以占用较小的面积，以便获得窄边框和/或者高分辨率的显示面板。本技术的至少一实施例提供一种静电防护与测试复合单元，该复合单元包括第一信号线、与所述第一信号线电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管电连接的第二信号线、与所述第二薄膜晶体管电连接的第三信号线和第四信号线，该复合单元被配置来在第一阶段为所述第一信号线提供测试信号并被配置来在第二阶段为所述第一信号线提供静电防护，所述第一阶段为测试阶段，所述第二阶段为静电防护阶段。本技术的至少一实施例还提供一种阵列基板，包括本技术实施例所述的任一静电防护与测试复合单元。本技术的至少一实施例还提供一种显示装置，包括本技术实施例所述的任一阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。图1为本技术一实施例提供的一种静电防护与测试复合单元的电路结构(等效电路)示意图；图2为本技术一实施例提供的一种静电防护与测试复合单元的平面示意图；图3为本技术一实施例提供的一种静电防护与测试复合单元组的平面示意图；图4为本技术一实施例提供的另一种静电防护与测试复合单元组的平面示意图；图5为本技术一实施例提供的另一种静电防护与测试复合单元的平面示意图；图6为本技术一实施例提供的另一种静电防护与测试复合单元的平面示意图；图7为本技术一实施例提供的阵列基板的显示区域和周边区域的示意图。附图标记：10-第一信号线；01-第一TFT；02-第二TFT；03-第三TFT；20-第二信号线；30-第三信号线；40-第四信号线；50-第五信号线；60-第六信号线；70-第七信号线；011-第一源极；012-第一漏极；013-第一栅极；014-第一有源层；021-第二源极；022-第二漏极；023-第二栅极；024-第一有源层；101-第一信号线的第一部分；102-第一信号线的第二部分；1001-第一条第一信号线；1002-第二条第一信号线；1003-第N-1条第一信号线；1004-第N条第一信号线；201-第二信号线的第一部分；301-第三信号线的第一部分；401-第四信号线的第一部分；031-第三源极；032-第三漏极；033-第三栅极；034-第三有源层；501-第五信号线的第一部分；100-显示区域；200-周边区域；001-过孔；002-连接部。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本公开中，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)简写为TFT。相应的，第一薄膜晶体管简写为第一TFT，第二薄膜晶体管简写为第二TFT，第三薄膜晶体管简写为第三TFT。并且，本公开中，源极和漏极相对而言，可相互替换。例如，将源极替换为漏极的情况下，漏极亦替换为源极。各附图中，“S”表示源极，“D”表示漏极。以液晶显示屏为例，通常，液晶盒(Cell)的测试单元的使用方法如下：(1)显示屏的Cell制作完成后，没有进行芯片绑定(Bonding)之前，利用电学测试治具通过Cell的测试单元为显示屏提供点亮所需信号；(2)显示屏点亮后需要对显示屏的显示效果及电学特性进行综合评价；(3)挑选步骤2中所选良品，进行芯片Bonding工艺；该工艺步骤完成后Cell测试单元被废弃。本公开的实施例基于此，将测试单元和静电放电单元整合形成静电防护与测试复合单元，以减小占用面积。本公开中，测试阶段的信号(高电平或者低电平信号等)可通过电学测试治具提供给静电防护与测试复合单元，静电放电阶段的信号(高电平或者低电平信号等)可通过芯片提供给静电防护与测试复合单元。本公开至少一实施例提供一种静电防护与测试复合单元，如图1和图5所示，该复合单元包括第一信号线10、与第一信号线10电连接的第一TFT01和第二TFT02，与第一TFT01电连接的第二信号线20、与第二TFT02电连接的第三信号线30和第四信号线40，该复合单元被配置来在第一阶段为第一信号线10提供测试信号并被配置来在第二阶段为第一信号线10提供静电防护。本公开的实施例中，第一阶段为测试阶段，第二阶段为静电防护阶段。例如，测试阶段是指在芯片绑定之前对显示屏进行测试的阶段，静电防护阶段是指在芯片绑定之后对第一信号线上积累的静电荷进行静电放电的阶段。该静电防护与测试复合单元占用较小的面积，从而可获得窄边框和/或者高分辨率的显示面板。下面通过几个具体的实施例来进行说明。需要说明的是，以下各实施例中，N型TFT中，源极为低电平，漏极为高电平，正的栅压(栅源压差大于0)可打开N型TFT。P型TFT中，源极为高电平，漏极为低电平，负的栅压(栅源压差小于0)可打开P型TFT。本公开中，以漏极与栅极电连接形成二极管为例进行说明。栅极与可与漏极电连接以构成二极管，或者虽然栅极与漏极与不同的信号线相连，但与栅极相连的信号线和与漏极相连的信号线可以连接同一信号，从而可形成二极管的结构。本公开以其为例进行说明，但并不限于此。实施例1本实施例提供一种静电防护与测试复合单元，如图1和图2所示，该复合单元包括第一信号线10、与第一信号线10电连接的第一TFT01和第二TFT02，与第一TFT01电连接的第二信号线20、与第二TFT02电连接的第三信号线30和第四信号线40，该复合单元被配置来在第一阶段为第一信号线10提供测试信号并被配置来在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电防护与测试复合单元，其特征在于，该复合单元包括第一信号线、与所述第一信号线电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管电连接的第二信号线、与所述第二薄膜晶体管电连接的第三信号线和第四信号线，该复合单元被配置来在第一阶段为所述第一信号线提供测试信号并被配置来在第二阶段为所述第一信号线提供静电防护，所述第一阶段为测试阶段，所述第二阶段为静电放电阶段。

【技术特征摘要】
1.一种静电防护与测试复合单元，其特征在于，该复合单元包括第一信号线、与所述第一信号线电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管电连接的第二信号线、与所述第二薄膜晶体管电连接的第三信号线和第四信号线，该复合单元被配置来在第一阶段为所述第一信号线提供测试信号并被配置来在第二阶段为所述第一信号线提供静电防护，所述第一阶段为测试阶段，所述第二阶段为静电放电阶段。2.根据权利要求1所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极；所述第一信号线与所述第一漏极电连接，所述第二信号线与所述第一源极电连接，或者，所述第一信号线与所述第一源极电连接，所述第二信号线与所述第一漏极电连接；所述第一栅极与所述第一漏极或所述第一源极电连接；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第一信号线与所述第二源极电连接，所述第三信号线与所述第二漏极电连接，或者，所述第一信号线与所述第二漏极电连接，所述第三信号线与所述第二源极电连接；所述第二栅极与所述第四信号线电连接。3.根据权利要求2所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述测试阶段，所述第二信号线、所述第三信号线和所述第四信号线为高电平信号线或低电平信号线，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管导通，将所述第二信号线和所述第三信号线施加的测试信号传递给所述第一信号线。4.根据权利要求2所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述静电放电阶段，所述第二信号线为高电平信号线，所述第三信号线和所述第四信号线为低电平信号线，或者，所述第二信号线为低电平信号线，所述第三信号线和所述第四信号线为高电平信号线，使得所述第一信号线上积累的静电荷经所述第一薄膜晶体管以及所述第二信号线导出或者经所述第二薄膜晶体管以及所述第三信号线导出。5.根据权利要求1-4任一项所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。6.根据权利要求2-4任一项所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述第一信号线包括第一部分，所述第二信号线包括第一部分，所述第一信号线的第一部分作为所述第一漏极，所述第二信号线的第一部分作为所述第一源极，或者，所述第一信号线的第一部分作为所述第一源极，所述第二信号线的第一部分作为所述第一漏极。7.根据权利要求2-4任一项所述的静电防护与测试复合单元，其特征在于，所述第一信号线包括第二部分，所述第三信号线包括第一部分，所述第一信号线的第二部分作为所述第二源极，所述第三信号线的第一部分作为所述第二漏极，或者，所述第一信号线的第二部分作为所述第二漏极，所述第三信号线的第一部分作为所述第二源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝学光，乔勇，吴新银，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11