一种高频率柱晶制造技术

技术编号:15043703 阅读:65 留言:0更新日期:2017-04-05 16:50
本实用新型专利技术公开了一种高频率柱晶,包括晶片、玻璃珠、外壳和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述外壳罩于玻璃珠外端,所述晶片设置为上端分叉的音叉片结构,采用ST切型切割,晶片表面附着旋转式电极。本实用新型专利技术产品通过采用独特的ST切型,保留传统的音叉结构,利用旋转式电极促使其让晶片顺利起振,扭曲式振动方式最大实现了音叉晶体常规所无法达到的频率,大幅降低使用进口产品和使用倍频电路的成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶振领域,具体涉及一种高频率柱晶。
技术介绍
柱晶是一种常用的电子元器件,广泛应用于计算机、遥控器、移动通讯设备等振荡电路中,但是一些高精度的测量仪器(如矿产探测,地表探测以及高精度千分尺等),上面使用的都是需要几百KHZ的频率,目前国内无法生产出如此高频段的KHZ产品,很多都是依赖进口和使用倍频电路来获取需要的频率,这样大大的增加了成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一采用ST切型旋转式电极的高频率柱晶。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种高频率柱晶,包括晶片、玻璃珠、外壳和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述外壳罩于玻璃珠外端,所述晶片设置为上端分叉的音叉片结构,采用ST切型切割,晶片表面附着旋转式电极。作为本技术进一步的方案:所述旋转式电极为镀银电极,所述镀银电极层对称设置于晶片表面。作为本技术进一步的方案:所述旋转式电极设置有电极A和两个电极B,所述电极A设置于晶片中心,沿音叉分叉口形成类“y”形,所述两个电极B分别设置于晶片长端两边边缘。作为本技术进一步的方案:所述音叉形晶片长度尺寸为4.22mm,宽度尺寸为1mm,厚度尺寸为0.33mm,音叉端长度尺寸为2.6mm,音叉端宽度尺寸为0.4mm。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术产品通过采用独特的ST切型,保留传统的音叉结构,利用旋转式电极促使其让晶片顺利起振,扭曲式振动方式最大实现了音叉晶体常规所无法达到的频率,大幅降低使用进口产品和使用倍频电路的成本。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图。图2为本技术实施例的侧面结构示意图。图3为本技术实施例的晶片结构示意图。在图1~3中:晶片1、玻璃珠2、引线3、外壳4、焊点5、可伐圈6、旋转式电极110、电极A111、电极B112。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1~3,本技术的实施例中,一种频率为307.2KHZ的高频率柱晶,包括晶片1、玻璃珠2、外壳4和引线3,其中晶片1与引线3通过焊点5焊接固定在玻璃珠2上,玻璃珠2外端设置有可伐圈6,外壳4罩于玻璃珠2外端对内部晶片1进行保护,其中晶片1的结构为上端分叉的音叉片结构,音叉片结构按照长度尺寸为4.22mm,宽度尺寸为1mm,厚度尺寸为0.33mm,音叉端长度尺寸为2.6mm,音叉端宽度尺寸为0.4mm的尺寸进行限定,而晶片1采用ST切型进行切割,并在晶片1表面附着旋转式电极110,该旋转式电极110为镀银材料电极,镀银电极层对称设置于晶片表面,侧面设有侧面镀银电极使双面电极连通,其中该旋转式电极设置有电极A111和两个电极B112,所述电极A111设置于晶片中心,沿音叉分叉口形成类“y”形,“y”形右侧上端连接侧面右侧面上部镀银电极,“y”下端出口处连接左侧面下部镀银电极,所述两个电极B112分别设置于晶片长端两边边缘,右侧电极B112与右侧面下部镀银电极连接,左侧电极B112与左侧面上部镀银电极连接,通过ST切型与旋转式电极的结构设计,使得柱晶频率大幅提升,晶片1尺寸限定,实现对307.2KHZ的频率确定。本技术的工作方式原理为:本技术产品将晶片1进行ST切型切割,并按照所需的尺寸要求进行限定且在晶片1表面设置有旋转式电极110,使得ST切型的扭曲型振动与旋转式电极相互配合,当晶片1表面电极A111和电极B112通电时,水晶片表面便产生了应力,由于晶片1为ST切型,所以当受到应力时,音叉两臂产生扭曲式振动,从而起振。扭曲式振动方式最大程度的实现了音叉晶体常规无法达到的高频率。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频率柱晶,包括晶片、玻璃珠、外壳和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述外壳罩于玻璃珠外端,其特征在于:所述晶片设置为上端分叉的音叉片结构,采用ST切型切割,晶片表面附着旋转式电极。

【技术特征摘要】
1.一种高频率柱晶,包括晶片、玻璃珠、外壳和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述外壳罩于玻璃珠外端,其特征在于:所述晶片设置为上端分叉的音叉片结构,采用ST切型切割,晶片表面附着旋转式电极。2.根据权利要求1所述的高频率柱晶,其特征在于:所述旋转式电极为镀银电极,所述镀银电极层对称设置于晶片表面。3.根据权利要求2所述的高频...

【专利技术属性】
技术研发人员:林家海
申请(专利权)人:浙江一晶电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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