本发明专利技术提供一种晶圆研磨方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面;在所述晶圆的功能面上形成保护层后,再于所述保护层上覆盖一层保护胶带;之后,将所述晶圆放置在研磨设备上,研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆;去除所述保护胶带,之后再去除所述保护层。在所述进行研磨前,在晶圆的功能面上形成保护层,之后在所述保护层上覆盖一层保护胶带。所述保护胶带在研磨过程中,可有效保护晶圆功能面上的结构在研磨过程被损伤,所述保护胶带粘附在保护层上,可有效克服保护胶带与晶圆功能面接触,进而在研磨工艺后撕去胶带过程中,保护胶带会去除部分晶圆功能面表面的部件的缺陷,减小晶圆功能面上的结构损伤。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种晶圆研磨方法。
技术介绍
随着科技的发展,电子产品的功能不断增强,而尺寸不断减小。在半导体器件的制造领域,半导体器件的尺寸不断减小,电子芯片的尺寸不断减小。为此,在半导体器件制造过程中,在晶圆的功能面上形成众多半导体器件之后,进行晶圆背面研磨工艺(BackGrinding,简称BG),采用平坦化工艺研磨晶圆与功能面对应的背面去除部分厚度的晶圆,以减小后续形成的芯片厚度。在研磨晶圆背面的过程中,会先在晶圆的功能面上覆盖一层保护胶带(BGtape),以避免在研磨晶圆背面过程中产生的杂质造成晶圆功能面污染,以及避免晶圆功能直接与研磨设备(如用于固定晶圆的吸盘)直接接触而造成晶圆功能面受损,进而降低形成的芯片质量。然而,即便如此,在晶圆BG工艺后,在取下晶圆功能面上的保护胶带后,发现晶圆的功能面依然出现损伤(Peeling)从而影响芯片质量。为此,如何改进晶圆的研磨工艺以降低晶圆损伤,是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶圆研磨方法,以降低晶圆背面研磨(BG)工艺中晶圆受损程度。为解决上述问题,本专利技术提供一种晶圆研磨方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面;在所述晶圆的功能面上形成保护层;在所述保护层上覆盖保护胶带;将所述晶圆放置在研磨设备上,研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆;去除所述保护胶带,之后去除所述保护层。可选地,所述保护层的材料为有机硅材料。可选地,所述保护层的材料为六甲基二硅氧烷。可选地,形成所述保护层的步骤包括:采用化学气相沉积在所述晶圆的功能面上形成六甲基二硅氧烷层,之后进行退火工艺,以形成所述保护层。可选地,所述退火工艺包括:在惰性气体环境下,控制退火的温度为180~200℃,持续退火2~3小时。可选地,所述惰性气体为氮气。可选地,去除所述保护层的方法为湿法清洗工艺。可选地,所述湿法清洗工艺中,采用有机清洗剂去除所述保护层。可选地,所述湿法清洗工艺中,所述有机清洗剂为苯酚溶液。可选地,所述湿法清洗工艺的步骤包括:所述苯酚溶液的体积比浓度大于或等于20%,清洗温度为70~90℃,持续清洗3~10分钟。与现有技术相比,本专利技术的技术方案具有以下优点:在所述进行研磨前,在晶圆的功能面上形成保护层,之后在所述保护层上覆盖一层保护胶带。所述保护胶带在研磨过程中,可有效保护晶圆功能面上的结构在研磨过程被损伤,所述保护胶带粘附在保护层上,可有效克服保护胶带与晶圆功能面接触,从而在研磨工艺后撕去胶带过程中,保护胶带会损伤部分晶圆功能面表面的部件的缺陷,进而减小晶圆功能面上的结构损伤。进一步可选地,所述保护层采用有机硅材料,有机硅材料和晶圆间具有良好的黏合强度,以提高后续保护胶带与晶圆的结合强度,确保保护胶带对于晶圆保护;而且,有机硅材料清除工艺较为方便,且清除有机硅材料工艺对于晶圆损伤较小,因而在研磨工艺后可减小晶圆损伤同时,简化保护层的去除工艺,降低工艺成本。附图说明图1现有技术中将保护胶带由晶圆功能面撕去时造成晶圆损伤的示意图;图2~图6为本专利技术晶圆研磨方法一实施例的结构示意图。具体实施方式如
技术介绍
所述,在现有晶圆在背面研磨过程中,即使在晶圆功能面上覆盖保护胶带(BGtape),但在保护胶带取下后,发现晶圆功能面依然出现损伤。分析其原因:现有保护胶带通过粘附在晶圆的功能面上,且保护胶带与晶圆具有较强的粘附性,以避免研磨过程中保护胶带脱落,从而更好保护避免晶圆功能面受污染,以及与研磨设备直接接触而造成损伤。但在研磨工艺后,参考图1,由于保护胶20与晶圆10较强的粘附性,将所述保护胶带20由所述晶圆10功能面撕去过程中,保护胶带20会损伤部分晶圆10功能面表面的部件11,从而致使晶圆10功能面上的半导体器件结构损伤,进而降低晶圆10的性能。尤其是随着半导体器件的尺寸不断减小,结构越发精密,撕除保护胶带时造成的半导体器件损伤逐步增大,进而对芯片性能影响逐渐加大。为此,本专利技术提供了一种晶圆研磨方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括功能面,以及与功能面相对的背面;在所述晶圆的功能面上形成保护层后,再于所述保护层上覆盖一层保护胶带;之后,将所述晶圆放置在研磨设备上,研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆;去除所述保护胶带,之后再去除所述保护层。在研磨所述晶圆过程中,所述保护胶带可有效保护晶圆功能面上的结构在研磨过程被损伤;在所述晶圆的功能面上粘附所述保护胶带前,先在所述功能面上形成保护层,之后再于所述保护层上形成所述保护胶带,避免保护胶带与晶圆功能面直接接触,从而避免基于保护胶带与晶圆功能面之间较强的粘附性而引起的,在研磨工艺后撕去胶带过程中,保护胶损伤晶圆功能面上的部件的缺陷,进而减小晶圆功能面上的结构损伤,以确保形成的半导体器件的性能。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2~图6为本专利技术提供晶圆研磨方法一实施例的结构示意图。本实施例晶圆研磨方法包括:先参考图2,提供晶圆100,所述晶圆100包括功能面110,以及与所述功能面110相对的背面120。所述晶圆100的材料包括硅、锗硅等各种材料,且在所述晶圆100的功能面110表面和所述晶圆100内形成有CMOS晶体管等半导体元器件(图中未显示)。所述晶圆100为本领域常用晶圆,本专利技术对所述晶圆100的结构,以及材料并不做限定。本实施例中,后续需研磨所述晶圆100的背面,以去除部分厚度的晶圆100至预定厚度,进而形成厚度特定的芯片。在研磨所述晶圆100前,需在所述晶圆100的功能面110上粘附一层保护胶带,以防止研磨过程中,研磨产生的副产物以及研磨设备对所述晶圆100造成损伤。接着参考图3,在向所述晶圆100粘附保护胶带前,先在所述晶圆100的功能面上形成保护层130,以用于保护所述晶圆100功能面110上的半导体元器件等结构。本实施例中,所述保护层130的材料为有机硅材料。有机硅材料与采用硅或是锗硅等材料制成的晶圆100之间具有良好的黏合强度,从而提高后续保护胶带与晶圆100的结合强度,以确保所述保护胶带对所述晶圆100的保护作用。可选地,本实施例中,所述保护层130的材料为六甲基二硅氧烷(hexamet本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶圆研磨方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面;在所述晶圆的功能面上形成保护层;在所述保护层上覆盖保护胶带;将所述晶圆放置在研磨设备上,研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆;去除所述保护胶带,之后去除所述保护层。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面;
在所述晶圆的功能面上形成保护层;
在所述保护层上覆盖保护胶带;
将所述晶圆放置在研磨设备上,研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶
圆;
去除所述保护胶带,之后去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的晶圆研磨方法,其特征在于,所述保护层的材料为有
机硅材料。
3.如权利要求2所述的晶圆研磨方法,其特征在于,所述保护层的材料为六
甲基二硅氧烷。
4.如权利要求2所述的晶圆研磨方法,其特征在于,形成所述保护层的步骤
包括:采用化学气相沉积在所述晶圆的功能面上形成六甲基二硅氧烷层,
之后进行退火工艺,以形成所述保护层。
5.如权利要求4所述的晶圆研...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彧,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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