显示器件制造技术

本发明专利技术涉及一种显示器件，包括包含多个像素的像素部分，每个像素都包括第一晶体管、第二晶体管及发光元件，在该显示器件中，第一晶体管的栅极与扫描线电连接，第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接；第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，它们中的另一个与发光元件电连接，第一晶体管包括氧化物半导体层。显示器件显示静止图像的时段包括其中停止向像素部分内的全部扫描线输出信号的时段。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为201080051723.4(国际申请号PCT/JP2010/069226)、申请日为2010年10月22日(进入国家阶段日为2012年5月8日)、专利技术名称为“显示器件以及包含显示器件的电子器件”的专利技术专利申请的分案申请
本专利技术涉及显示器件。此外，本专利技术涉及包含显示器件的电子器件。
技术介绍
近些年，以液晶显示器件或者包括电致发光元件的电致发光显示器件(以下，称为EL显示器件)为代表的平板显示器作为图像显示器件的主流正在大量生产。在有源矩阵液晶显示器件中或者在有源矩阵EL显示器件中，在像素部分内的每个像素都设置有晶体管。这些晶体管包括作为有源层的硅(Si)半导体层。相比之下，已经提出了其中晶体管在其有源层内包含氧化物的图像显示器件(例如，参见专利文献1)。[参考文献][专利文献1]日本公开专利申请No.2006-165528
技术实现思路
一种用于评价晶体管的电特性的度量是截止电流。截止电流指的是当晶体管处于截止状态(处于非导电状态)时，在源极和漏极之间流过的电流。在n沟道晶体管中，截止电流指的是当施加于栅极和源极之间的电压等于或小于阈值电压(Vth)时，在源极和漏极之间流过的电流。专利文献1公开了当非晶氧化物半导体薄膜用作晶体管的沟道层时，截止电流能够小于10μA(＝1×10-5A)，优选地小于0.1μA(＝1×10-7A)。另外，根据专利文献1所述，通过使用非晶氧化物半导体薄膜，导通/截止比(on/offratio)能够超过103。但是，在具有该水平的电特性的晶体管中，截止电流并不令人满意。换言之，为了满足进一步降低图像显示器件的功耗的要求，需要进一步降低截止电流。本专利技术的一种实施例的一个目的是提供具有降低的功耗的显示器件，该显示器件包括设置有具有包含氧化物半导体的晶体管的多个像素的像素部分。在本专利技术的一种实施例中，在显示器件的显示部分中的每个像素至少包括包含氧化物半导体的晶体管。包含氧化物半导体的晶体管具有稳定的电特性，例如很低的截止电流。为了形成具有很低的截止电流的晶体管，根据本专利技术的一种实施例，氧化物半导体(高纯度氧化物半导体)中的将成为载流子供应者的杂质的浓度降低到氧化物半导体能够被表示为本征的或实质上本征的程度。典型地，在本专利技术的一种实施例中，包含氧化物半导体的晶体管包括其氢浓度为5×1019/cm3或更小的膜。本专利技术的一种实施例是显示器件，包括：包括多个像素的像素部分，每个像素都包括第一晶体管、第二晶体管以及包括一对电极的发光元件。在显示器件中，第一晶体管的栅极与扫描线电连接，第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，以及第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接；第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，以及第二晶体管的源极和漏极中的另一个与该对电极中的一个电极电连接；以及第一晶体管包括其氢浓度为5×1019/cm3或更小的氧化物半导体层。此外，本专利技术的另一种实施例是显示器件，在该显示器件中，显示器件显示静止图像的时段包括停止对像素部分内的全部扫描线的信号输出的时段。本专利技术的一种实施例是显示器件，包括：包括多个像素的像素部分，每个像素都包括第一晶体管、第二晶体管以及包括一对电极的发光元件；用于驱动像素部分的驱动电路部分；用于生成对驱动电路部分进行驱动的控制信号以及供应给像素的图像信号的信号发生电路；用于存储各个帧周期的图像信号的存储电路；用于检测在存储于存储电路内的各个帧周期的图像信号当中的连续帧周期的图像信号之间的差异的比较电路；用于在比较电路检测到差异时选择并输出连续帧周期的图像信号的选择电路；以及用于在比较电路检测到差异时将控制信号和由选择电路输出的图像信号供应给驱动电路部分，并且在比较电路没检测到差异时停止给驱动电路部分供应控制信号的显示控制电路。在显示器件中，第一晶体管的栅极与扫描线电连接，第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，以及第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，以及第二晶体管的源极和漏极中的另一个与该对电极中的一个电极电连接；以及第一晶体管包括其氢浓度为5×1019/cm3或更小的氧化物半导体层。此外，本专利技术的另一种实施例是其中控制信号是高电源电位、低电源电位、时钟信号、启动脉冲信号或复位信号的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是其中像素还包括发光层的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是其中氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1014/cm3的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是其中氧化物半导体层的带隙为2eV或更大的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是其中第二晶体管包含其氢浓度为5×1019/cm3或更小的氧化物半导体层的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是其中第二晶体管包含多晶硅层的显示器件。此外，本专利技术的另一种实施例是包括任意上述显示器件的电子器件。注意，由于晶体管的结构，因而要使晶体管的源极和漏极相互区分开是困难的。此外，电位电平可以根据电路的操作而互换。因此，在本说明书中，源极和漏极没有被特别地指定，并且还被称为第一电极(或第一端子)和第二电极(或第二端子)。例如，在第一电极是源极的情况下，第二电极指的是漏极，然而在第一电极是漏极的情况下，第二电极指的是源极。注意，在本说明书中，开口率指的是透光面积对单位面积之比；开口率随着由不透射光的构件所占有的区域的面积增加而降低，并且开口率随着由透射光的构件所占有的区域的面积增加而提高。在显示器件中，开口率随着由与像素电极交叠的布线和电容器线占用的面积的减少以及晶体管尺寸的减小而提高。特别地，在每个像素都包括发光元件的自发光的显示器件中，开口率指的是能够由面向显示器件的显示的观察者观察到的在像素区域内的发光元件的发光面积的比例。在本说明书中，短语“A与B连接”指的是A和B电连接的情形(即，A和B在别的元件或电路插入它们之间的情况下连接)，A与B在功能上连接的情形(即，A和B在别的电路插入它们之间的情况下于功能上连接)，或者A和B直接连接的情形(即，A和B在没有别的元件或电路插入它们之间的情况下连接)。此外，在本说明书中，诸如第一、第二、第三和第N(N是自然数)之类的序数词是为了避免混淆构件而使用的，这些词并没有通过数字来限制构件。例如，在本说明书中被称为“第一晶体管”的晶体管可以替换地称为“第二晶体管”，只要它不与别的构件混淆即可。根据本专利技术的一种实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，包括：像素部分，包括多个像素，每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件；驱动电路部分，用于驱动所述像素部分；以及显示控制电路，用于控制对所述驱动电路部分供应图像信号，其中，所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接，其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接，其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接，其中，所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区，其中，所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌，并且其中，所述第一氧化物半导体层是结晶的。

【技术特征摘要】
2009.11.13 JP 2009-259818;2009.12.08 JP 2009-278991.一种显示器件，包括：
像素部分，包括多个像素，每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件；
驱动电路部分，用于驱动所述像素部分；以及
显示控制电路，用于控制对所述驱动电路部分供应图像信号，
其中，所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电
连接，
其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，所述第二晶体管的所述源
极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接，
其中，所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包括所述第
一晶体管的沟道形成区，
其中，所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌，并且
其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥圭，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP