一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法及装置。其中，方法包括通过获取RAIM构架中各eMMC芯片的已用寿命计算得到其剩余寿命，进一步确定最小剩余寿命，对RAIM构架中n片eMMC的剩余寿命与最小剩余寿命的乘积取类似均方根平均值，即利用公式来实现对固态硬盘寿命的计算。本申请的技术方案实现了RAIM构架下的固态硬盘寿命的计算，避免了因固态硬盘寿命用尽时写入的数据丢失，一定程度上可保证固态硬盘存储的稳定性。此外，本发明专利技术实施例还提供了相应的实现装置，进一步使得所述方法更具有实用性，所述装置具有相应的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法及装置。
技术介绍
随着计算机技术的飞速发展和数字化时代的到来，在日常生活、科学研究以及公司业务中频繁使用数字化和网络化技术，使得数据呈现爆炸式增长，而数据的产生往往是需要承载或记录的，这就迫使存储技术快速发展以满足对数据信息的存储要求。SSD(SolidStateDrives，固态硬盘)，也叫固盘，是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存(FLASH芯片)作为存储介质，另外一种是采用DRAM作为存储介质。由于其存储和读写速度快、延迟小、启动快、不产生的磁盘碎片、噪音小、不易发生机械故障、工作温度范围宽和抗震动效果极好的优势将逐渐成为主流的存储设备。但是，固盘的存储单元闪存具有擦写次数限制的问题，如何能直观的显示SSD的寿命成为大众的焦点。EMMC(EmbededMultiMediaCard)为内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机和移动嵌入式产品为主。eMMC是一种嵌入式非易失性存储器系统，由闪存和闪存控制器两部分组成，并采用统一闪存接口管理闪存。闪存Flash的制程和技术变化很快，特别是TLC技术制程下降到20nm阶段后，对Flash的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间，保证产品的稳定性和一致性。对于组成eMMC的Flash，每个芯片都有擦除次数上限，每个芯片的寿命直接决定着SSD的寿命。现有技术中，只存在对单颗eMMC的SSD(普通SSD)寿命的计算方法，而对于基于EMMC的RAIM(RedundantArrayofIndependentModules，独立冗余单元阵列模型)构架的SSD寿命计算的方法还没有，而由于基于eMMC的RAIMSSD应用越来越多，所以计算该种构架下SSD的寿命是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种固态硬盘寿命计算的方法及装置，得到基于RAIM构架下的SSD寿命计算的方法。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供以下技术方案：本专利技术实施例一方面提供了一种固态硬盘寿命计算的方法，包括：获取RAIM中各eMMC芯片的已用寿命；根据所述各eMMC芯片的已用寿命计算各所述芯片的剩余寿命；在各所述eMMC芯片的所述剩余寿命中确定最小剩余寿命；利用公式计算固态硬盘的寿命，式中，HSSD为所述固态硬盘的寿命，Hi为各所述eMMC芯片的所述剩余寿命，HMin为所述最小剩余寿命，n为所述eMMC芯片的个数。优选的，在所述利用公式计算固态硬盘的寿命之后还包括：确定寿命调整参数Cτ；根据所述寿命调整参数Cτ得到修正后的公式以用于计算固态硬盘寿命。优选的，所述确定寿命调整参数Cτ为：当所述固态硬盘的寿命HSSD为100％时，利用公式确定寿命调整参数Cτ。优选的，在所述计算固态硬盘的寿命之后，还包括：将计算得到的所述固态硬盘的寿命进行显示。优选的，在将计算得到的所述固态硬盘的寿命进行显示之后还包括：当所述固态硬盘的寿命值不大于5％时，向用户进行报警提示。本专利技术实施例另一方面提供了一种固态硬盘寿命计算的装置，包括：获取模块，用于获取RAIM中各eMMC芯片的已用寿命；计算剩余寿命模块，用于根据所述各eMMC芯片的已用寿命计算各所述芯片的剩余寿命；确定最小寿命模块，在各所述eMMC芯片的所述剩余寿命中确定最小剩余寿命；寿命计算模块，用于利用公式计算固态硬盘的寿命，式中，HSSD为所述固态硬盘的寿命，Hi为各所述eMMC芯片的所述剩余寿命，HMin为所述最小剩余寿命，n为所述eMMC芯片的个数。优选的，还包括：第二计算模块，用于根据修正后的公式对所述固态硬盘的寿命进计算。优选的，所述第二计算模块包括：参数计算单元，用于确定寿命调整参数Cτ；计算寿命单元，用于根据所述寿命调整参数Cτ得到修正后的公式以用于计算固态硬盘寿命。优选的，还包括：显示模块，用于将计算得到的所述固态硬盘的寿命进行显示。优选的，还包括：报警模块，用于当所述固态硬盘的寿命值不大于5％时，向用户进行报警提示。本专利技术实施例提供了一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法，通过获取RAIM构架中各eMMC芯片的已用寿命计算得到其剩余寿命，进一步确定最小剩余寿命，对RAIM构架中n片eMMC的剩余寿命与最小剩余寿命的乘积取类似均方根平均值，即利用公式来实现对固态硬盘寿命的计算。本申请的技术方案实现了RAIM构架下的固态硬盘寿命的计算，通过计算得到固态硬盘的寿命值，可实时监测当前固态硬盘的寿命使用状况，在固态硬盘的寿命即将用尽时，就不再写入任何数据并及时的将之前的写入的数据迁移，避免了因固态硬盘寿命用尽时写入的数据和存储的数据丢失，一定程度上可保证固态硬盘存储数据的稳定性。此外，本专利技术实施例还针对一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法提供了相应的实现装置，进一步使得所述方法更具有实用性，所述装置具有相应的优点。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一个示例性应用场景的框架示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的理想情况下SSD寿命的仿真图；图5为本专利技术实施例提供的极限情况下的SSD寿命的仿真图；图6为本专利技术实施例提供的eMMC的阵列图；图7为本专利技术实施例提供的一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算装置的结构图；图8为本专利技术实施例提供的另一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算装置的结构图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述特定的顺序。此外术语“包括”和“具有”以及他们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可包括没有列出的步骤或单元。本申请的专利技术人经过研究发现，现有技术中关于SSD寿命计算方法的都是针对于单颗eMMC的SSD，即普通的SSD。而基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法并没有，而及时获取SSD寿命对于数据存储的稳定性是必要的。鉴于此，本申请通过获取RAIM构架中各eMMC芯片的已用寿命计算得到其剩余寿命，进一步确定最小剩余本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法，其特征在于，包括：获取RAIM中各eMMC芯片的已用寿命；根据所述各eMMC芯片的已用寿命计算各所述芯片的剩余寿命；在各所述eMMC芯片的所述剩余寿命中确定最小剩余寿命；利用公式计算固态硬盘的寿命，式中，HSSD为所述固态硬盘的寿命，Hi为各所述eMMC芯片的所述剩余寿命，HMin为所述最小剩余寿命，n为所述eMMC芯片的个数。

【技术特征摘要】
1.一种基于RAIM构架的固态硬盘寿命计算的方法，其特征在于，包括：获取RAIM中各eMMC芯片的已用寿命；根据所述各eMMC芯片的已用寿命计算各所述芯片的剩余寿命；在各所述eMMC芯片的所述剩余寿命中确定最小剩余寿命；利用公式计算固态硬盘的寿命，式中，HSSD为所述固态硬盘的寿命，Hi为各所述eMMC芯片的所述剩余寿命，HMin为所述最小剩余寿命，n为所述eMMC芯片的个数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用公式计算固态硬盘的寿命之后还包括：确定寿命调整参数Cτ；根据所述寿命调整参数Cτ得到修正后的公式以计算固态硬盘寿命。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定寿命调整参数Cτ为：当所述固态硬盘的寿命HSSD为100％时，利用公式确定寿命调整参数Cτ。4.根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，在所述计算固态硬盘的寿命之后，还包括：将计算得到的所述固态硬盘的寿命进行显示。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在将计算得到的所述固态硬盘的寿命进行显示之后还包括：当所述固态硬盘的寿命值不大于5％时，向用户进行报警提示。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅岳辉，刘丽丽，刘阳，
申请(专利权)人：杭州华澜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33