承载装置及半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置包括静电卡盘、辅助件和辅助件驱动器，静电卡盘上设置有用于承载基片的承载位，辅助件沿承载位的周向设置，且辅助件的内径小于基片的外径，在静电卡盘的上表面上设置有容纳辅助件的第一凹部，并且，在辅助件的靠近基片的位置处设置有第二凹部，以使基片位于承载位时基片的边沿位于第二凹部内；辅助件驱动器用于驱动辅助件升降，以使辅助件上升将基片托起。本发明专利技术提供的承载装置及半导体加工设备，其可以解决粘片使得基片上升的过程中掉片和碎片的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种承载装置及半导体加工设备。
技术介绍
刻蚀设备是集成电路生产制造过程中所需的重要设备之一，用于对基片完成刻蚀工艺。图1为典型的刻蚀设备的反应腔室的结构示意图。请参阅图1，该反应腔室10包括静电卡盘11、线圈12、进气装置、排气装置和顶针升降机构等。其中，静电卡盘11设置在反应腔室10的底部，用以采用静电吸附的方式将基片S固定在其上表面上。线圈12设置在反应腔室10顶部介质窗13的上方，借助线圈12与射频电源电连接，以在射频电源开启后将射频能量耦合至反应腔室，将反应腔室10内的工艺气体激发形成等离子体。进气装置包括设置在介质窗13的中心位置的进气口14以及设置在反应腔室10侧壁靠上位置的进气口15，用以与工艺气源相连通来实现向反应腔室10内输送工艺气体。排气装置包括设置在反应腔室底部的排气口16，其与真空装置(如干泵等)相连，用以将反应腔室10抽成真空。顶针升降机构包括多个顶针17和升降驱动器(图中未示出)，每个顶针17贯穿静电卡盘11的上下表面，其在升降驱动器的驱动下相对静电卡盘11升降。采用上述反应腔室的工艺过程包括以下步骤：S1，承载有基片的机械手传入反应腔室10内且位于静电卡盘11正上方的传输位置；S2，驱动顶针17上升直至将位于机械手上的基片顶起，空载的机械手收回；S3，驱动承载有基片的顶针17下降，直至基片位于静电卡盘11的上表面上，并向静电卡盘11施加直流电，以采用静电吸附的方式固定基片；S4，向静电卡盘11的表面通入热交换气体，对基片进行温控；S5，开始工艺；S6，工艺结束后停止通入热交换气体；S7，停止向静电卡盘11施加直流电；S8，驱动顶针17上升将基片托起至传输位置，空载的机械手传入反应腔室10内且位于基片的下方；S9，驱动顶针17下降以使基片位于机械手上，承载有已完成工艺的基片的机械手传出反应腔室10。在实际应用中发现：在上述步骤S7之后，静电卡盘的上表面和基片的背面的某些区域可能存在残余电荷，这造成二者之间存在残余静电引力，因而易发生粘片现象，尤其是，介质材料的基片容易发生粘片现象。为此，通常在步骤S7之后和步骤S8之前，向静电卡盘在短时间内施加反向电压，再通过产生等离子体来去除该残余电荷。然而，采用上述方法不能完全去除残余电荷，因此，在步骤S8中，由于分布不均匀地残余电荷，使得顶针上升的过程中基片受力不均匀发生倾斜，如图2所示，从而容易造成基片的滑落，进而容易造成掉片和碎片。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及半导体加工设备，其可以解决粘片使得基片上升的过程中掉片和碎片的问题。为解决上述问题之一，本专利技术提供了一种承载装置，包括静电卡盘、辅助件和辅助件驱动器，所述静电卡盘上设置有用于承载基片的承载位，所述辅助件沿所述承载位的周向设置，且所述辅助件的内径小于所述基片的外径，在所述静电卡盘的上表面上设置有容纳所述辅助件的第一凹部，并且，在所述辅助件的靠近所述基片的位置处设置有第二凹部，以使所述基片位于所述承载位时基片的边沿位于所述第二凹部内；所述辅助件驱动器用于驱动所述辅助件升降，以使所述辅助件上升将基片托起。其中，还包括多个顶针和顶针驱动器，多个所述顶针设置在所述静电卡盘内，且在所述顶针驱动器的驱动下贯穿所述静电卡盘的上表面进行升降，以实现在所述基片位于所述承载位的上方时与所述辅助件进行基片的传输。其中，所述辅助件为环形辅助件。其中，所述辅助件包括沿所述承载位的周向间隔设置的多个子辅助件。其中，所述多个子辅助件沿所述承载位的周向间隔且均匀设置。其中，所述辅助件驱动器包括气缸。其中，所述顶针驱动器包括气缸。其中，所述辅助件采用介质材料制成。其中，还包括用于连接所述辅助件和所述辅助件驱动器的连接件，所述连接件设置在所述静电卡盘的外侧，或者，所述连接件贯穿静电卡盘与所述辅助件驱动器相连。作为另外一个技术方案，本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，在反应腔室内设置有承载装置，所述承载装置采用本发明另一技术方案提供的承载装置。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的承载装置，其沿承载位的周向设置有辅助件，且辅助件的内径小于基片的外径，在静电卡盘的上表面上设置有容纳辅助件的第一凹部，并且，在辅助件的靠近基片的位置处设置有第二凹部，以使基片位于承载位时基片的边沿位于第二凹部内；在这种情况下，借助辅助件驱动器驱动辅助件升降，可以使辅助件上升将基片托起，由于在基片被托起的过程中，基片位于第二凹部内，可以使得在粘片造成基片托起时易发生倾斜的情况下第二凹部的侧壁对基片进行限位，这可以避免基片发生倾斜，因而可以有效地保证基片顺利可靠地升起，从而可以降低掉片和碎片的几率，进而可以提高设备的可靠性和产能。本专利技术提供的半导体加工设备，其采用本专利技术提供的承载装置，从而可以避免基片发生倾斜，从而可以避免基片的滑落而废片，进而可以提高经济效益。附图说明图1为现有的刻蚀设备的反应腔室的结构示意图；图2为基片发生倾斜的结构示意图；图3为本专利技术第一实施例提供的承载装置的结构示意图；以及图4为本专利技术第二实施例提供的承载装置的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的承载装置及半导体加工设备进行详细描述。图3为本专利技术第一实施例提供的承载装置的结构示意图。请参阅图3，本实施例提供的承载装置，包括静电卡盘20、辅助件21、辅助件驱动器22、多个顶针23和顶针驱动器24。其中，静电卡盘20上设置有用于承载基片S的承载位，静电卡盘20用于与直流电源电连接，采用静电吸附的方式固定位于其承载位的基片S。辅助件21沿承载位的周向设置，且辅助件21的内径D1小于基片的外径D2，在静电卡盘20的上表面上设置有容纳辅助件21的第一凹部201，并且，在辅助件21的靠近基片的位置处设置有第二凹部211，以使基片位于承载位时基片S的边沿位于第二凹部211内，如图3所示，第二凹部211的底面不高于静电卡盘20的上表面。优选地，辅助件21采用介质材料制成，以避免对工艺产生影响。辅助件驱动器22用于驱动辅助件21升降，以使其上升将基片S托起。可以理解，由于在基片S被托起的过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载装置，包括静电卡盘，所述静电卡盘上设置有用于承载基片的承载位，其特征在于，还包括辅助件和辅助件驱动器，所述辅助件沿所述承载位的周向设置，且所述辅助件的内径小于所述基片的外径，在所述静电卡盘的上表面上设置有容纳所述辅助件的第一凹部，并且，在所述辅助件的靠近所述基片的位置处设置有第二凹部，以使所述基片位于所述承载位时基片的边沿位于所述第二凹部内；所述辅助件驱动器用于驱动所述辅助件升降，以使所述辅助件上升将基片托起。

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，包括静电卡盘，所述静电卡盘上设置有用于承
载基片的承载位，其特征在于，还包括辅助件和辅助件驱动器，所述
辅助件沿所述承载位的周向设置，且所述辅助件的内径小于所述基片
的外径，在所述静电卡盘的上表面上设置有容纳所述辅助件的第一凹
部，并且，在所述辅助件的靠近所述基片的位置处设置有第二凹部，
以使所述基片位于所述承载位时基片的边沿位于所述第二凹部内；
所述辅助件驱动器用于驱动所述辅助件升降，以使所述辅助件上
升将基片托起。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，还包括多个顶
针和顶针驱动器，多个所述顶针设置在所述静电卡盘内，且在所述顶
针驱动器的驱动下贯穿所述静电卡盘的上表面进行升降，以实现在所
述基片位于所述承载位的上方时与所述辅助件进行基片的传输。
3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述辅助件为
环形辅助件。
4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：管长乐，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11