具有在基底支撑件上的弯曲的同心凹槽的衬托器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于外延生长反应器的衬托器；它大体上包含主体(601)，所述主体(601)具有面(602)，该面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的基底的至少一个区(603)；该区(603)具有用于放置所述基底的支托表面(604)或与用于放置所述基底的支托表面(604)相关联；支托表面(604)设置有图案，该图案包括多个弯曲的凹槽伸展部(606)，该多个弯曲凹槽伸展部(606)使它们的中心大体上在与所述支托表面(604)相同的位置(605)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利
本专利技术主要涉及一种衬托器，其具有在将经受“外延生长”的基底的支托表面(restingsurface)上获得的图案。
技术介绍
外延生长和用于获得外延生长的反应器许多年来一直是已知的；它们基于被称作“CVD”，即“化学气相沉积”的技术。它们被使用的
是生产电子部件的
；用于该应用的工艺和反应器是特定的，因为需要非常高质量的沉积层并且仍要求提高质量。外延反应器的类型之一采用“衬托器(susceptor)”，其插入反应室中并且其支撑将经历外延生长的一个或更多个基底，该衬托器放置在适当凹部内部的支托表面上(参见图1A中的参考数字10和1000)；如已知的，基底可以是完全地圆形的或通常具有平面(参见图1B中的在完全地圆形的凹部内的基底1000)。对于高温外延生长(不低于800℃，不高于2000℃，并且根据待生长的材料通常从1000℃至1800℃)，常常使用反应器，其中室被加热并且尤其是衬托器经由电磁感应或经由电阻或经由辐射获得的热而被加热。大部分现有技术(图1)涉及在从1000℃逐渐地至1200℃的工艺温度下的硅的外延生长，并且涉及所包括的反应器；事实上，仅仅最近，由碳化硅制成的电子部件已更广泛地得到使用。定位和支托基底的操作具有数个问题：基底至支托表面的粘附，在基底的定位期间和/或之后基底相对于支托表面的侧向位移，放置在支托表面上的基底的变形，在支托表面至基底的热传递中缺乏均匀性，支托表面与基底之间的物质的移动。因此，进行了持续研究以找到解决这些问题的更好的解决方案。这还归因于对生长基底的品质以及对生产工艺的品质和速度的日益严格的要求。在过去，人们认为使基底凹部成形有深的周边环形的凹槽并且在凹槽中提供具有略微凹的形状以及一些相对窄的、短的径向凹口的支托表面，该相对窄的、短的径向凹口通向凹槽中并且用于排放在凹槽中的基底与支托表面之间捕获的气体。概述因此，本申请人设定目标以为这些问题提供令人满意的解决方案，还因为上述具体解决方案是令人满意的但非最佳的。实际上，本申请人已观察到，基底倾向于粘附至支托表面，尤其是在其不存在凹口的中心区域中；此外，本申请人注意到，当基底放置在凹部中(即，首先降低并且然后放下)时，少量的、窄的凹口不能执行排放基底的中心区域与支托表面的中心区域之间的气体的功能。这样的目的借助于具有在所附权利要求中陈述的技术特征的衬托器来实现，所附权利要求形成了本描述的不可缺少的部分。作为本专利技术基础的构思是使用多个弯曲凹槽伸展部作为基底的支托表面上的图案的构思。特别地，凹槽伸展部的中心大体上在与支托表面相同的位置中；这样的凹槽伸展部用于模拟粗糙表面，并且因此它们甚至特别地避免在外延生长过程期间的微观运动，例如，0.1-1.0mm的平移，或宏观运动，例如，360°或更多的旋转。根据优选的实施方案，凹槽伸展部被连接以形成一个或更多个螺旋；此外，支托表面的图案还包括多个凹口，该多个凹口优选地在环绕支托表面的环形凹槽中终止并且用于排放在基底与支托表面之间，特别是在外周环形凹槽中所捕获的气体。值得注意的是，本申请人也设计了特别有效的、特定构造的凹口(特别地，三角形或大体上三角形的形状和/或具有可变的深度)，而甚至无弯曲凹槽伸展部。支托表面可以在第一图案化区域中设置有弯曲凹槽伸展部并且在第二图案化区域中设置有凹口；第一区域和第二区域可以是互相不同的。根据第一另外的方面，本专利技术涉及一种用于外延生长的反应器，包括具有图案的至少一个衬托器，该图案包括多个弯曲凹槽伸展部，该多个弯曲凹槽伸展部使它们的中心大体上在相同的位置中。根据第二另外的方面，本专利技术涉及一种以稳定的方式接纳和支撑基底的方法(即，在生长过程期间，无微观运动，例如，0.1-1.0mm的平移，或宏观运动，例如，360°且更大的旋转)，该基底将在外延反应器的衬托器上经历外延生长过程，从而避免基底在外延生长过程期间粘附在衬托器上；根据这样的方法，支托表面设置成用于将基底放置在衬托器上，并且图案被设置在支托表面上；图案包括多个弯曲凹槽伸展部，该多个弯曲凹槽伸展部使它们的中心大体上在与支托表面相同的位置中。附图列表本专利技术根据结合附图考虑的以下详细描述将变得更明显，在附图中：图1示出根据现有技术的衬托器的圆盘形主体的简化的剖视图和局部俯视图，其中基底插入衬托器的凹部中；图2示出根据本专利技术的衬托器的第一圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在其区的表面上；图3示出根据本专利技术的衬托器的第二圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在其区的表面上；图4示出根据本专利技术的衬托器的与第一支撑元件组合的第三圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图5示出根据本专利技术的衬托器的与第一支撑元件组合的第四圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图6示出根据两个不同的局部视图的衬托器，其中根据本专利技术的用于基底的支托表面具有根据本专利技术的图案；图7示出根据现有技术的衬托器的圆盘形主体的简化的剖视图；图8示出根据本专利技术的衬托器的第五圆盘形主体的简化的剖视图；图9示出根据本专利技术的衬托器的第六圆盘形主体的简化的剖视图；图10示出根据本专利技术的衬托器的第七圆盘形主体的简化的剖视图；图11示出根据本专利技术的衬托器的与第二支撑元件组合的第八圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图12示出根据本专利技术的衬托器的与第三支撑元件组合的第九圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图13示出根据本专利技术衬托器的与第四支撑元件组合的第十圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图14示出根据本专利技术的衬托器的与第五支撑元件组合的第十一圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图15示出根据本专利技术的与第五支撑元件组合的衬托器的第十二圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；图16示出根据本专利技术的衬托器的与框架和第六支撑元件组合的第十三圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上；以及图17示出根据本专利技术的衬托器的与第七支撑元件组合的第十四圆盘形主体的简化的剖视图，其中基底放置在元件的表面上这样的描述和这样的附图通过仅示例的方式来提供并且因此是非限制性的。如可以容易地理解的，关于本专利技术的主要的有利方面，在所附权利要求中限定的本专利技术可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于外延生长反应器的衬托器，包含主体(601)，所述主体(601)具有面(602)，所述面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的基底的至少一个区(603)，其中所述区(603)具有用于放置所述基底的支托表面(604)或与用于放置所述基底的支托表面(604)相关联，并且其中所述支托表面(604)设置有图案，其特征在于，所述图案包括多个弯曲的凹槽伸展部(606)，所述多个弯曲的凹槽伸展部(606)使它们的中心大体上在与所述支托表面(604)相同的位置(605)中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.19 IT CO2013A0000721.一种用于外延生长反应器的衬托器，包含主体(601)，所述主体
(601)具有面(602)，所述面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的
基底的至少一个区(603)，其中所述区(603)具有用于放置所述基底的
支托表面(604)或与用于放置所述基底的支托表面(604)相关联，并且
其中所述支托表面(604)设置有图案，
其特征在于，所述图案包括多个弯曲的凹槽伸展部(606)，所述多个
弯曲的凹槽伸展部(606)使它们的中心大体上在与所述支托表面(604)
相同的位置(605)中。
2.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部(606)至
少以螺旋定位。
3.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部以一系列
螺旋定位。
4.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部以多个同
心圆周或椭圆定位。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述凹槽伸
展部中的一些(606-1、606-2)彼此平行。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的衬托器，其中，所述支托表
面(604)由环形凹槽(610)环绕。
7.根据权利要求6所述的衬托器，其中，所述凹槽伸展部中的一些
在所述环形凹槽中终止。
8.根据权利要求6或7所述的衬托器，其中，所述图案还包括优选
地在所述环形凹槽(610)中终止的多个凹口(607)。
9.根据权利要求8所述的衬托器，其中，所述支托表面(604)设置

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯科·科里亚，D·克里帕，温森佐·奥格里阿里，弗兰科·佩雷蒂，马里奥·普莱蒂，
申请(专利权)人：LPE公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT