【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种发射荧光的新颖的有机化合物。此外,本专利技术的一个方式涉及一种使用发射荧光的新颖的有机化合物的发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。
技术介绍
利用电致发光(EL:Electroluminescence)的发光元件作为下一代显示器技术而备受很大的期待。近年来,对该发光元件进行各种研究开发。作为发光元件的基本结构,有在一对电极之间夹有包含发光物质的层的结构。并且,通过将电压施加到该元件,可以得到来源于处于激发态的发光物质的发光。因为这种发光元件是自发光型元件,所以具有优于液晶显示元件的优点诸如像素的可见度高,不需要背光源等,由此,这种发光元件被认为适合于平板显示元件。此外,这种发光元件可被制造为是薄且轻的,这是极大的优点。再者,非常高速的响应也是这种发光元件的特征之一。另外,因为上述发光元件可以形成为膜状,所以可以容易得到面状发光。因此,可以形成利用面状发光的大面积元件。当使用以白炽灯泡和LED为典型的点光源或以荧光灯为典型的线光源时,很难得到上述特征。因此,发光元件的作为可以应用于照明装置等的面光源的利用价值也很高。根据发光物质是有机化合物还是无机化合物,可以对发光元件进行大致分类,在将有机化合物用于发光物质时,通过对发光元件施加电压,电子和空穴从一对电极注入到包含上述发光有机化合物的层,以使电流流过。并且,通过这些电子及空穴(即,载流子)重新结合,发光有机化合物处于 ...
【技术保护点】
一种由通式(G1)表示的有机化合物:其中:Ar1及Ar2分别表示取代或未取代的具有形成环的6至13个碳原子的芳基;R1至R8分别表示氢、取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷氧基、氰基、卤素、取代或未取代的具有1至6个碳原子的卤代烷基和取代或未取代的具有6至10个碳原子的芳基中的任一个;以及X1及X2分别表示取代或未取代的苯并[b]萘并[1,2‑d]呋喃基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.26 JP 2013-1553181.一种由通式(G1)表示的有机化合物:
其中:
Ar1及Ar2分别表示取代或未取代的具有形成环的6至13个碳原子的芳基;
R1至R8分别表示氢、取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代或未取代的具有1
至6个碳原子的烷氧基、氰基、卤素、取代或未取代的具有1至6个碳原子的卤代烷基和取代
或未取代的具有6至10个碳原子的芳基中的任一个;以及
X1及X2分别表示取代或未取代的苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃基。
2.根据权利要求1所述的有机化合物,
其中通式(G1)中的氮原子分别键合于所述苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃基的6位或8位。
3.一种由通式(G2)表示的有机化合物:
其中:
Ar1及Ar2分别表示取代或未取代的具有形成环的6至13个碳原子的芳基;以及
R1至R17及R19至R27分别表示氢、取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代或未取
代的具有1至6个碳原子的烷氧基、氰基、卤素、取代或未取代的具有1至6个碳原子的卤代烷
基和取代或未取代的具有6至10个碳原子的芳基中的任一个。
4.根据权利要求3所述的有机化合物,
其中所述取代或未取代的具有6至13个碳原子的芳基及所述取代或未取代的具有6至
10个碳原子的芳基分别表示苯基、1-萘基、2-萘基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、邻联苯
基、间联苯基、对联苯基、9,9-二甲基-9H-芴-2-基、9,9-二苯基-9H-芴-2-基、9H-芴-2-基、
对叔丁基苯基和均三甲苯基中的任一个。
5.根据权利要求3所述的有机化合物,
其中所述取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷基表示甲基、乙基、正丙基、异丙基、
正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、正己基、异己
基、仲己基、叔己基、新己基、环己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1,2-二甲基丁
基和2,3-二甲基丁基中的任一个,
并且所述取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷氧基表示甲氧基、乙氧基、正丙氧基、
异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、仲戊氧基、叔戊
氧基、新戊氧基、正己氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、新己氧基、环己氧基、3-甲基戊
氧基、2-甲基戊氧基、2-乙基丁氧基、1,2-二甲基丁氧基和2,3-二甲基丁氧基中的任一个。
6.根据权利要求3所述的有机化合物,其中所述有机化合物由通式(G4)表示:
其中R29至R38分别表示氢、取代或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代或未取代的
具有1至6个碳原子的烷氧基、氰基、卤素、取代或未取代的具有1至6个碳原子的卤代烷基和
取代或未取代的具有6至10个碳原子的芳基中的任一...
【专利技术属性】
技术研发人员:川上祥子,桥本直明,铃木恒德,濑尾哲史,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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