含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件制造技术

本发明专利技术提供一种包含本文所述的式1的至少一种芴取代三嗪衍生化合物的组合物以及含该组合物的电子器件。此类器件具有改善的效率以及更好的驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请参考本申请要求2013年11月12日提交的美国临时申请第61/840,624号的权益，并且其以引用的方式并入本文中。
技术介绍
电致发光(EL)器件为采用含有机芳香族化合物的膜堆叠作为电致发光层的显示器件。参见，例如以下参考文献中描述的器件和/或三嗪化合物；美国公开案2012/0286249、2011/0095282、US2010/0039026、US2006/0251919；美国专利7807276；国际公开案WO2007/023840、WO2005/105950；Zong等人，《基于联二三嗪的新光电材料：合成与特性(NewOptoelectronicMaterialsBasedonBitriazines:SynthesisandProperties)》，有机快报(OrganicLetter)，第10卷，709-712；Zong等人，《应用于光电器件的新共轭三嗪基分子材料：设计、合成与特性(NewConjugatedTriazineBasedMolecularMaterialsforApplicationinOptoelectronicDevices:Design,Synthesis,andProperties)》，物理化学期刊(J.ofPhys.Chem.)115，2423-2427。此类芳香族化合物通常被分类为电致发光材料和电荷传输材料。此类电致发光和电荷传输化合物需要的几个特性包括在固态下的高萤光量子产率、电子和空穴的高松迁移率、在真空中气相沉积期间的化学稳定性以及形成稳定膜的能力。这些所需的特征增加EL器件的使用寿命。然而，仍存在对改进的电致发光化合物和含该化合物的膜的持续不断的需要。
技术实现思路
本专利技术提供一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且其中一个或多个氢可任选地被氘取代。附图说明图1描绘化合物1的DSC曲线。图2描绘化合物2的DSC曲线。图3描绘化合物3的DSC曲线。具体实施方式如上文所论述，本专利技术提供包含选自式1的至少一种化合物的组合物：其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且其中一个或多个氢可任选地被氘取代。本专利技术的化合物可包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。本专利技术的组合物可包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。在一个实施例中，Ar基团包含6个至16个碳，进一步包含7个至16个碳，进一步包含8个至16个碳。在一个实施例中，至少一种化合物选自式2：其中化学基团如上文对式1所定义。在另一实施例中，对于式2，x＝0，y＝0，并且z＝0(或仅氢原子在环的标注部分上)。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团选自以下基团：在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团A、D、I或J，每个如上所示。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团D、I或J，每个如上所示。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团A、D或I，每个如上所示。在上述结构中，每个取代基的外连接点由波浪线表示，如当前IUPAC标准所推荐的：纯粹及应用化学(PureAppl.Chem.)，2008年，80，277(化学结构图的图形表示标准(Graphicalrepresentationstandardsforchemicalstructuraldiagrams))。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团包含8个至16个碳原子，进一步包含9至16个碳，进一步包含10个至16个碳。该范围的碳原子被认为提供所述化合物在电子器件中更好的堆叠。改进的堆叠将改善所述器件的电荷传输和效率。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团包含11个至16个碳原子，进一步包含12个至16个碳。该范围的碳原子被认为提供所述化合物在电子器件中甚至更好的堆叠。改进的堆叠将改善所述器件的电荷传输和效率。在一个实施例中，本专利技术的化合物(式1或式2)的Ar基团分子量为120克/摩尔至290克/摩尔，进一步为120克/摩尔至280克/摩尔。在一个实施例中，化合物(式1或式2)的玻璃化转变温度(Tg)大于或等于150℃，进一步大于或等于155℃，进一步大于或等于160℃，进一步大于或等于165℃，如通过DSC测定。在一个实施例中，化合物(式1或式2)的Tg为150℃至200℃，进一步为155℃至200℃，进一步为160℃至200℃，进一步为165℃至200℃，如通过DSC测定。高Tg值(≥150℃，更优选≥155℃，更优选≥160℃)为理想的以改善电子器件的热稳定性。在一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且其中R1和R2各自独立为C1‑C20烷基或C6‑C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且其中一个或多个氢可任选地被氘取代。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.12 US 61/9029461.一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：
其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个
或多个取代基；并且
其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且
其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含
小于或等于16个碳；并且
其中一个或多个氢可任选地被氘取代。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中Ar包含8个至16个碳。
3...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·E·昂德瑞，K·M·高，D·M·威尔士，T·D·潘恩，L·洪，K·E·斯托克曼，HY·那，KJ·李，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗门哈斯电子材料韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US